[實用新型]外延片基盤

有效

• 申請號: 201320559607.4
• 申請日: 2013-09-10
• 公開（公告）號: CN203474959U
• 公開（公告）日: 2014-03-12
• 發明（設計）人: 鄧順達;林溪漢;陳浩中
• 申請（專利權）人: 冠銓（山東）光電科技有限公司
• 主分類號: C30B23/02
• 分類號: C30B23/02;C30B25/02
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

?本實用新型屬于晶體生長設備技術領域，更具體的說是一種晶體生長過程中使用的外延片基盤。

背景技術

目前，晶體外延片生長的主流工藝中采用的是生長基盤，現有技術的生長外延片所使用的基盤，一臺一次只能生長31片，該工藝生產效率低，生產成本高，外延片的均勻性較差，質量不穩定。

發明內容

為了解決上述問題，本實用新型提供了一種一次能生長37片、生產效率高、生產成本低、外延片的均勻性較好、質量穩定的外延片基盤，其具體方案為：所述的外延片基盤由盤體、中心容槽、容槽組成，其特征是中心容槽設置在盤體的中心位置上，容槽均勻設置在中心容槽的四周，中心容槽、容槽內設置外延片，中心容槽、容槽設置為直徑相等的圓形。

本實用新型所述的中心容槽、容槽，其特征在于中心容槽、容槽的深度設置為0～650um。

本實用新型所述的中心容槽、容槽，其特征在于中心容槽、容槽的底部形式設置為平底型、斜底型、凹型、凸型、階梯型中的一種或二種以上的混合形式，其底部高度差設置為0.001～0.5um。

本實用新型所述的容槽，其特征在于容槽的布置形式為：盤體的中心位置上設置一個中心容槽，中心容槽的四周均勻設置3周容槽，每周容槽設置個數從內向外依次分別為：6、12、18。

本實用新型的有益效果是外延片基盤一次能生長37片，生產效率高，生產成本低，外延片的均勻性較好，外延片的質量穩定。

附圖說明

附圖1是本實用新型的結構示意圖；附圖1中：

1.盤體，2.中心容槽，3.容槽。

具體實施方式

結合附圖1對本實用新型進一步詳細描述，以便公眾更好地掌握本實用新型的實施方法，本實用新型具體的實施方案為：所述的外延片基盤由盤體1、中心容槽2、容槽3組成，其特征是中心容槽2設置在盤體1的中心位置上，容槽3均勻設置在中心容槽2的四周，中心容槽2、容槽3內設置外延片，中心容槽2、容槽3設置為直徑相等的圓形。

本實用新型所述的中心容槽2、容槽3，其特征在于中心容槽2、容槽3的深度設置為0～650um。

本實用新型所述的中心容槽2、容槽3，其特征在于中心容槽2、容槽3的底部形式設置為平底型、斜底型、凹型、凸型、階梯型中的一種或二種以上的混合形式，其底部高度差設置為0.001～0.5um。

本實用新型所述的容槽3，其特征在于容槽3的布置形式為：盤體的中心位置上設置一個中心容槽2，中心容槽2的四周均勻設置3周容槽3，每周容槽3設置個數從內向外依次分別為：6、12、18。

本實用新型的有益效果是外延片基盤一次能生長37片，生產效率高，生產成本低，外延片的均勻性較好，外延片的質量穩定。