[實(shí)用新型]一種受溫度影響小的晶體管

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201320554470.3
• 申請(qǐng)日: 2013-09-09
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN203481238U
• 公開(kāi)（公告）日: 2014-03-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 洪元本;彭成炫
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 江西省一元數(shù)碼科技有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L29/778
• 分類(lèi)號(hào): H01L29/778;H01L29/06
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及一種晶體管，屬于半導(dǎo)體領(lǐng)域。

背景技術(shù)

現(xiàn)有的?HEMT?存在薄層電阻隨溫度上升而顯著增大的問(wèn)題。若大電流流過(guò)HEMT，則?HEMT?發(fā)熱，從而溫度會(huì)上升。這樣，薄層電阻會(huì)增大。若薄層電阻增大，則?HEMT?進(jìn)一步發(fā)熱，從而薄層電阻進(jìn)一步增大。因此，薄層電阻隨溫度上升而增大的特性對(duì)流過(guò)大電

流的功率晶體管而言是致命的。

發(fā)明內(nèi)容

本實(shí)用新型的目的是提供一種能實(shí)現(xiàn)溫度變化引起的薄層電阻的變動(dòng)小的晶體管。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型采用如下技術(shù)方案：一種受溫度影響小的晶體管，包括晶體管主體和應(yīng)力施加部，所述的晶體管主體包括形成基板、層疊于形成基板上的第一半導(dǎo)體層和比第一半導(dǎo)體層帶隙大的第二半導(dǎo)體層，所述的晶體管主體設(shè)置于應(yīng)力施加部上；應(yīng)力施加部為與形成基板的形成有半導(dǎo)體層的面為相反側(cè)的面的應(yīng)力施加膜；在所述第二半導(dǎo)體層和應(yīng)力施加部之間形成有絕緣層。

本實(shí)用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有如下優(yōu)點(diǎn)：能實(shí)現(xiàn)溫度變化引起的薄層電阻的變動(dòng)小。

附圖說(shuō)明

圖1是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。

其中：1-晶體管主體；10-形成基板；11-低溫緩沖層；12-第一半導(dǎo)體層；13-第二半導(dǎo)體層；14-漏極電極；15-柵極電極；16-源極電極；2-應(yīng)力施加膜。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖1對(duì)本實(shí)用新型做進(jìn)一步的詳述：一種受溫度影響小的晶體管，包括晶體管主體1和應(yīng)力施加部2，所述的晶體管主體包括形成基板10、層疊于形成基板上的未摻雜的?GaN?構(gòu)成的第一半導(dǎo)體層12和比第一半導(dǎo)體層帶隙大的未摻雜的?AlGaN?構(gòu)成的第二半導(dǎo)體層13，所述的晶體管主體設(shè)置于應(yīng)力施加部上；所述應(yīng)力施加部為與形成基板的形成有半導(dǎo)體層的面為相反側(cè)的面的應(yīng)力施加膜；在第二導(dǎo)體層上設(shè)置有漏極電極14、柵極電極15和源極電極16，源極電極?16以及漏極電極14是例如層疊了鈦?(Ti)?和鋁?(Al)?的歐姆電極。柵極電極?15?是例如層疊了鉑?(Pt)?和金?(Au)?的肖特基電極；在第一半導(dǎo)體層12和形成基板10之間設(shè)置有低溫緩沖層11。

應(yīng)力施加部為形成于與形成基板?10?的形成有半導(dǎo)體層的面為相反側(cè)的面(背面)的應(yīng)力施加膜2。在這種情況下，作為應(yīng)力施加膜2，使用與形成基板?10相比熱膨脹系數(shù)小的膜即可。例如，在以形成基板10為?Si?基板的情況下，作為應(yīng)力施加膜2，使用?SiO2?或者抑制溫度依賴性的鐵鎳合金等即可。