[實用新型]一種檢測晶體缺陷的裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201320527901.7
• 申請日: 2013-08-27
• 公開（公告）號: CN203465253U
• 公開（公告）日: 2014-03-05
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張玉;曹建民;趙龍;宋旭寧;董永見
• 申請（專利權(quán)）人: 河北寧晉松宮半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號: G01N33/00
• 分類號: G01N33/00
• 代理公司: 河北東尚律師事務(wù)所 13124
• 代理人: 王文慶

技術(shù)領(lǐng)域

本實用新型屬于硅晶體制備技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種檢測晶體缺陷的裝置。

背景技術(shù)

采用Dash腐蝕液可以用來檢測直拉單晶的晶體缺陷，但是，Dash腐蝕液腐蝕硅片反應(yīng)放熱，因此該檢測方法受氣溫與反應(yīng)體系溫度制約很大。一旦反應(yīng)體系溫度上升到一定程度，會使得Dash腐蝕液腐蝕硅片的化學(xué)反應(yīng)劇烈進而反應(yīng)體系溫度升高，在此情況下如若不停止Dash腐蝕液的腐蝕硅片操作，會使體系溫度持續(xù)升高，進而使硝酸受熱分解，醋酸、氫氟酸揮發(fā)更為劇烈，浪費資源的同時，檢測晶體缺陷的準(zhǔn)確性也會下降。另一方面，在冬季，由于氣溫很低，反應(yīng)微弱，工作效率降低，也同樣是原裝置的一大弊端。

實用新型內(nèi)容

本實用新型要解決的技術(shù)問題是提供一種檢測晶體缺陷的裝置，極大的提高了硅片位錯顯現(xiàn)率。

為解決上述技術(shù)問題，本實用新型所采取的技術(shù)方案是：一種檢測晶體缺陷的裝置，包括盛有腐蝕液的腐蝕容器；還包括盛有恒溫水的恒溫水箱；所述腐蝕容器浸在恒溫水中；所述恒溫水箱中且在腐蝕容器的下方設(shè)有加熱器和溫度傳感器；恒溫水箱的外側(cè)設(shè)有溫控儀，加熱器和溫度傳感器分別通過導(dǎo)線與溫控儀連接。

其中，所述恒溫水箱的橫截面形狀為方形或圓形。

其中，所述恒溫水箱的上部固定有托架，腐蝕容器放置在托架上。

其中，所述溫控儀通過繼電器與外部電源連接。

其中，所述加熱器為一個或多個直型電熱管、U型電熱管或異型電熱管。

其中，所述腐蝕容器浸在恒溫水中的高度與其露在恒溫水外的高度的比值為3：1。

其中，所述溫度傳感器為pt100熱電阻。

采用上述技術(shù)方案所產(chǎn)生的有益效果在于：本實用新型可以有效調(diào)節(jié)并控制溫度，并可設(shè)置溫度上限、溫度下限，保證酸泡腐蝕法工藝在25～30℃下進行，確保了酸泡蝕刻法硅片的反應(yīng)速率，極大的提高了硅片位錯顯現(xiàn)率。

附圖說明

圖1是本實用新型的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖中：1、腐蝕容器，2、恒溫水箱，3、加熱器，4、溫度傳感器，5、托架，6、溫控儀。

具體實施方式

下面結(jié)合附圖和具體實施方式對本實用新型作進一步詳細的說明。

如圖1所示，本實用新型為一種檢測晶體缺陷的裝置，包括盛有腐蝕液的腐蝕容器1和盛有恒溫水的恒溫水箱2；恒溫水箱2的橫截面形狀為方形或圓形，腐蝕容器1浸在恒溫水中；恒溫水箱2的上部固定有托架5，腐蝕容器2放置在托架5上，并且腐蝕容器1浸在恒溫水中的高度與其露在恒溫水外的高度的比值為3：1，這種設(shè)置比例可達到最好的調(diào)溫和控溫效果。恒溫水箱2中且在腐蝕容器1的下方設(shè)有加熱器3和溫度傳感器4；其中，溫度傳感器4為pt100熱電阻，加熱器3為一個或多個直型電熱管、U型電熱管或異型電熱管，還可以采用其他各種形式的電加熱器，保證恒溫效果；恒溫水箱2的外側(cè)設(shè)有溫控儀6，加熱器3和溫度傳感器4分別通過導(dǎo)線與溫控儀6連接，溫控儀6通過繼電器與外部電源連接。

本實用新型在現(xiàn)有技術(shù)的基礎(chǔ)上增加了恒溫水浴調(diào)節(jié)裝置，起始水溫為25-35℃，以達到起始反應(yīng)速度需求，并在反應(yīng)過程中吸收反應(yīng)放出的熱量，保證反應(yīng)過程保持在工藝要求的范圍內(nèi)。腐蝕容器1中的腐蝕液的配方為：HF（40-42%）：HNO₃（65%）：CH₃COOH（99%以上）=1：3：12。