[實用新型]掩膜板有效
| 申請號: | 201320526670.8 | 申請日: | 2013-08-27 |
| 公開(公告)號: | CN203444236U | 公開(公告)日: | 2014-02-19 |
| 發明(設計)人: | 宋萍;陸相晚 | 申請(專利權)人: | 合肥京東方光電科技有限公司;京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | G03F1/20 | 分類號: | G03F1/20 |
| 代理公司: | 北京路浩知識產權代理有限公司 11002 | 代理人: | 王瑩 |
| 地址: | 230011 安徽*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 掩膜板 | ||
技術領域
本實用新型涉及顯示技術領域,特別涉及一種掩膜板。
背景技術
在大尺寸薄膜晶體管液晶顯示領域中常用接近式曝光機結合掩膜板對圖層進行曝光構圖,現有的掩膜板如圖1所示,掩膜板的掩膜面和非掩膜面都是平面,在掩膜面上制作與待曝光區域相應的圖形。由于掩膜板尺寸以及厚度較大,導致掩膜板自身重量增加。在接近式曝光中,以6代線為例,掩膜板大小850mm×1200mm×10mm,重22.5kg,掩膜板與待曝光基板的間距(Gap)較小(100um~300um),如圖2所示,由于支撐件1在掩膜板2(S為掩膜面)邊緣,掩膜板2由于自重發生彎曲,掩膜板2周邊到待曝光基板的間距與掩膜板2中心到待曝光基板的間距差別最大至80um。由于間距的不等造成在待曝光基板上形成的光刻膠圖形的關鍵尺寸(即線寬)的不穩定,導致在待曝光基板上形成的柱狀物的高度不一致,即形成的柱狀物高度呈中間高四周低的分布趨勢,同時掩膜板2的中心區域離待曝光基板太近,容易被待曝光基板上的微小顆粒劃傷的可能性也會增大。
近年提出的負壓式補正方式以及掩膜板的支撐件傾斜向上設置(支撐件與掩膜板連接的面傾斜向上設置,相當于抬高并水平拉伸掩膜板)的補正方式可以解決由于掩膜板自身重量產生的彎曲。這兩種方式均可以在一定程度上對彎曲程度進行一定的補正,但補正力度還存在不足,對掩膜板自身重量產生的彎曲不能完全補正,如圖3所示,根據掩膜板2的受力示意圖,支撐件1與掩膜板2連接的面傾斜向上設置,支撐件1對掩膜板2的拉力f可分解為豎直和水平方向上的兩個力f1和f2,相當于抬高并水平拉伸掩膜板2,減輕了掩膜板2向下彎曲的程度。補正后周邊到待曝光基板的間距與掩膜板2中心到待曝光基板的間距仍然有30um的差距。
通常掩膜板在制作時對表面進行平坦式研磨,然后再進行鉻膜的濺射。但這種掩膜板在大尺寸接近式曝光機中使用時存在以上弊端,如由于掩膜板自身重量發生彎曲,使得掩膜板與待曝光基板的圖面間距不等導致形成的光刻膠圖形出現扭曲,對關鍵尺寸精細化以及均勻化造成區域性影響。
實用新型內容
(一)要解決的技術問題
本實用新型要解決的技術問題是:如何有效補償掩膜板在用于曝光時由于重力導致的彎曲。
(二)技術方案
為解決上述技術問題,本實用新型提供了一種掩膜板,包括掩膜面及與所述掩膜面相對的非掩膜面,所述非掩膜面為由四周至中心凹陷的曲面。
其中,所述非掩膜面關于經過所述掩膜面中心且垂直于所述掩膜面的直線中心對稱。
其中,所述曲面的中心深度不超過所述掩膜板邊緣厚度的15‰。
其中,所述掩膜板的邊緣厚度為7~15mm,掩膜板長度為1200~1400mm,掩膜板寬度為850~1220mm,掩膜板重量為15~60kg,所述曲面凹陷深度為70~90μm。
其中,所述掩膜板的邊緣厚度為10mm,掩膜板長度為1200mm,掩膜板寬度為850mm,掩膜板重量為22.5kg,所述曲面凹陷深度為80μm。
(三)有益效果
本實用新型通過在掩膜板制作程序中,對掩膜板的非掩膜面進行研磨,使得掩膜板的非掩膜面由四周向中心向內凹陷呈曲面,以達到對自重導致的彎曲進行補償,使掩膜面接近于平面,從而達到曝光后的光刻膠圖形關鍵尺寸值在整體區域精細化、均勻化的效果。
附圖說明
圖1是現有技術的一種掩膜板示意圖;
圖2是在接近式曝光過程中現有的掩膜板由于自重向下彎曲的示意圖;
圖3是對圖2的曝光過程中對彎曲進行補償后的示意圖;
圖4是本實用新型實施例的一種掩膜板示意圖;
圖5是圖4中掩膜板在曝光過程中對彎曲進行補償后的示意圖。
具體實施方式
下面結合附圖和實施例,對本實用新型的具體實施方式作進一步詳細描述。以下實施例用于說明本實用新型,但不用來限制本實用新型的范圍。
實施例1
本實施例掩膜板如圖4所示,所述掩膜板具有掩膜面S及與掩膜面S相對的非掩膜面S',其中非掩膜面S'為由四周至中心向內凹陷呈曲面。由于越向中心,掩膜板越薄,掩膜板的自重也相對減輕。
如圖5所示,在掩膜板用于曝光時(在曝光時,通常掩膜板的掩膜面S朝下)由于自重減輕,掩膜面S向下彎曲的程度也相對減輕,掩膜面S趨近于水平的平面,從而達到曝光后的光刻膠圖形的關鍵尺寸值在整體區域精細化、均勻化的效果。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準或測試的特殊涂層或標記;其制備





