[實用新型]掩膜板有效
| 申請號： | 201320526670.8 | 申請日： | 2013-08-27 |
| 公開（公告）號： | CN203444236U | 公開（公告）日： | 2014-02-19 |
| 發明（設計）人： | 宋萍;陸相晚 | 申請（專利權）人： | 合肥京東方光電科技有限公司;京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號： | G03F1/20 | 分類號： | G03F1/20 |
| 代理公司： | 北京路浩知識產權代理有限公司 11002 | 代理人： | 王瑩 |
| 地址： | 230011 安徽*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 掩膜板 | ||
【權利要求書】：
1.一種掩膜板，包括掩膜面及與所述掩膜面相對的非掩膜面，其特征在于，所述非掩膜面為由四周至中心凹陷的曲面。
2.如權利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述非掩膜面關于經過所述掩膜面中心且垂直于所述掩膜面的直線中心對稱。
3.如權利要求1或2所述的掩膜板，其特征在于，所述曲面的中心深度不超過所述掩膜板邊緣厚度的15‰。
4.如權利要求3所述的掩膜板，其特征在于，所述掩膜板的邊緣厚度為7～15mm，掩膜板長度為1200～1400mm，掩膜板寬度為850～1220mm，掩膜板重量為15～60kg，所述曲面凹陷深度為70～90μm。
5.如權利要求4所述的掩膜板，其特征在于，所述掩膜板的邊緣厚度為10mm，掩膜板長度為1200mm，掩膜板寬度為850mm，掩膜板重量為22.5kg，所述曲面凹陷深度為80μm。
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G03 攝影術；電影術；利用了光波以外其他波的類似技術；電記錄術；全息攝影術
G03F 圖紋面的照相制版工藝，例如，印刷工藝、半導體器件的加工工藝；其所用材料；其所用原版；其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其專門適用于此的容器；其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如通過電子束；其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜；其制備，例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜，例如用于校準或測試的特殊涂層或標記；其制備
G03F 圖紋面的照相制版工藝，例如，印刷工藝、半導體器件的加工工藝；其所用材料；其所用原版；其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其專門適用于此的容器；其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如通過電子束；其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜；其制備，例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜，例如用于校準或測試的特殊涂層或標記；其制備
