[實(shí)用新型]基于微控制單元的核磁共振芯片射頻發(fā)射通道有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201320522971.3 | 申請(qǐng)日: | 2013-08-26 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN203433102U | 公開(kāi)(公告)日: | 2014-02-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 倪中華;易紅;張?jiān)埔?/a>;吳衛(wèi)平;陸榮生 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 東南大學(xué) |
| 主分類(lèi)號(hào): | G01R33/44 | 分類(lèi)號(hào): | G01R33/44;G01R33/36 |
| 代理公司: | 南京蘇高專(zhuān)利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 張學(xué)彪 |
| 地址: | 211189 江*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 基于 控制 單元 核磁共振 芯片 射頻 發(fā)射 通道 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型屬于核磁共振檢測(cè)技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種基于微控制單元的核磁共振芯片射頻發(fā)射通道。
背景技術(shù)
核磁共振檢測(cè)技術(shù)具有檢測(cè)迅速、低輻射以及對(duì)被檢測(cè)對(duì)象無(wú)損等優(yōu)點(diǎn),被廣泛應(yīng)用于醫(yī)學(xué)成像、分子結(jié)構(gòu)分析、物質(zhì)成分鑒定以及疾病診斷等領(lǐng)域。但是傳統(tǒng)核磁共振儀器笨重,尺寸較大,并且造價(jià)昂貴,限制了核磁共振檢測(cè)技術(shù)的普及,于是出現(xiàn)了核磁共振檢測(cè)芯片的研究。核磁共振芯片主要由微型磁路、微型射頻線圈和微型控制電路組成,致力于微型磁路以及微型射頻線圈的研究有很多,并且也取得了很多不錯(cuò)的成果。核磁共振芯片控制電路方面的研究相對(duì)較少,大多數(shù)控制電路方面的研究主要應(yīng)用于傳統(tǒng)的大型核磁共振儀器。在核磁共振芯片的控制電路中,接收通道易于實(shí)現(xiàn)模塊化,可利用通用模塊化的器件搭建;射頻發(fā)射通道實(shí)現(xiàn)方式較多,如頻率源可采用各種振蕩電路實(shí)現(xiàn),脈沖可采用FPGA技術(shù)實(shí)現(xiàn),雙工器可利用PIN二極管與1/4波長(zhǎng)線實(shí)現(xiàn)等,但是這些實(shí)現(xiàn)方式造成電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)復(fù)雜,不便于電路控制,電路尺寸相對(duì)較大,不適合用在核磁共振芯片當(dāng)中。
因此,需要一種基于微控制單元的核磁共振芯片射頻發(fā)射通道以實(shí)現(xiàn)上述功能。
實(shí)用新型內(nèi)容
實(shí)用新型目的:本實(shí)用新型的目的是針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中核磁共振芯片射頻發(fā)射通道存在的不足,提供一種基于微控制單元的核磁共振芯片射頻發(fā)射通道。
技術(shù)方案:為實(shí)現(xiàn)上述實(shí)用新型目的,本實(shí)用新型基于微控制單元的核磁共振芯片射頻發(fā)射通道可采用如下技術(shù)方案:
一種基于微控制單元的核磁共振芯片射頻發(fā)射通道,包括第一微控制單元、第二微控制單元、頻率源模塊、脈沖序列發(fā)生器模塊、脈沖功率放大模塊和電路狀態(tài)轉(zhuǎn)換模塊,所述頻率源模塊連接所述第一微控制單元;所述頻率源模塊、脈沖序列發(fā)生器模塊、脈沖功率放大模塊和電路狀態(tài)轉(zhuǎn)換模塊依次連接,所述脈沖序列發(fā)生器模塊、脈沖功率放大模塊和電路狀態(tài)轉(zhuǎn)換模塊均連接所述第二微控制單元。
更進(jìn)一步的,所述頻率源模塊包括第一DDS模塊、第二DDS模塊、第三DDS模塊、第一有源晶振模塊和第二有源晶振模塊,所述第一DDS模塊、第二DDS模塊和第三DDS模塊均連接所述第一微控制單元,所述第一有源晶振模塊連接所述第一DDS模塊和第二DDS模塊,所述第二有源晶振模塊連接所述第三DDS模塊。
更進(jìn)一步的,所述脈沖序列發(fā)生器模塊包括第一模擬開(kāi)關(guān)、第二模擬開(kāi)關(guān)、第三模擬開(kāi)關(guān)、第四模擬開(kāi)關(guān)和第一兩路復(fù)用器,所述第一DDS模塊、第一模擬開(kāi)關(guān)和第二模擬開(kāi)關(guān)依次連接,所述第二DDS模塊、第三模擬開(kāi)關(guān)和第四模擬開(kāi)關(guān)依次連接;所述第二模擬開(kāi)關(guān)和第四模擬開(kāi)關(guān)均連接所述第一兩路復(fù)用器。
更進(jìn)一步的,所述脈沖功率放大模塊包括緩沖器、功率放大器和第一電平放大模塊,所述緩沖器連接所述第一兩路復(fù)用器,所述功率放大器連接所述緩沖器,所述第一電平放大模塊連接所述第二微控制單元和功率放大器。
更進(jìn)一步的,所述電路狀態(tài)轉(zhuǎn)換模塊包括第二兩路復(fù)用器、第三兩路復(fù)用器、標(biāo)準(zhǔn)阻抗、第二電平放大模塊、第三電平放大模塊、第四電平放大模塊、第五電平放大模塊和第六電平放大模塊,所述第二兩路復(fù)用器連接所述功率放大器,所述第三兩路復(fù)用器連接所述第二兩路復(fù)用器,所述標(biāo)準(zhǔn)阻抗接地并連接所述第三兩路復(fù)用器;所述第二電平放大模塊、第三電平放大模塊、第四電平放大模塊、第五電平放大模塊和第六電平放大模塊均連接所述第二微控制單元,
所述第二電平放大模塊、第三電平放大模塊和第四電平放大模塊均連接所述第二兩路復(fù)用器,
所述第二電平放大模塊、第五電平放大模塊和第六電平放大模塊均連接所述第三兩路復(fù)用器。
有益效果:本實(shí)用新型的基于微控制單元的核磁共振芯片射頻發(fā)射通道結(jié)構(gòu)緊湊,可有效縮小電路尺寸,使其適用于核磁共振檢測(cè)芯片當(dāng)中。簡(jiǎn)化了電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),使得電路易于控制,不僅增加了檢測(cè)方法上的靈活性,也降低了制造成本,與微型線圈、微型磁體配合用于核磁共振芯片當(dāng)中,能夠彌補(bǔ)傳統(tǒng)核磁共振檢測(cè)方法的不足,有益于促進(jìn)核磁共振檢測(cè)技術(shù)的普及。
附圖說(shuō)明
圖1為基于微控制單元的核磁共振芯片射頻發(fā)射通道的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖2為頻率源模塊的結(jié)構(gòu)示意圖;??
圖3為脈沖序列發(fā)生器模塊的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖4為脈沖功率放大模塊的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖5為電路狀態(tài)轉(zhuǎn)換模塊的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖6基于微控制單元的射頻發(fā)射通道總框圖。
具體實(shí)施方式
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