[實(shí)用新型]基于微控制單元的核磁共振芯片射頻發(fā)射通道

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201320522971.3
• 申請日: 2013-08-26
• 公開（公告）號: CN203433102U
• 公開（公告）日: 2014-02-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 倪中華;易紅;張?jiān)埔?/a>;吳衛(wèi)平;陸榮生
• 申請（專利權(quán)）人: 東南大學(xué)
• 主分類號: G01R33/44
• 分類號: G01R33/44;G01R33/36
• 代理公司: 南京蘇高專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 32204
• 代理人: 張學(xué)彪

1.一種基于微控制單元的核磁共振芯片射頻發(fā)射通道，其特征在于，包括第一微控制單元（101）、第二微控制單元（112）、頻率源模塊、脈沖序列發(fā)生器模塊、脈沖功率放大模塊和電路狀態(tài)轉(zhuǎn)換模塊，所述頻率源模塊連接所述第一微控制單元（101）；所述頻率源模塊、脈沖序列發(fā)生器模塊、脈沖功率放大模塊和電路狀態(tài)轉(zhuǎn)換模塊依次連接，所述脈沖序列發(fā)生器模塊、脈沖功率放大模塊和電路狀態(tài)轉(zhuǎn)換模塊均連接所述第二微控制單元（112）。

2.如權(quán)利要求1所述的基于微控制單元的核磁共振芯片射頻發(fā)射通道，其特征在于，所述頻率源模塊包括第一DDS模塊（102）、第二DDS模塊（103）、第三DDS模塊（105）、第一有源晶振模塊（104）和第二有源晶振模塊（106），所述第一DDS模塊（102）、第二DDS模塊（103）和第三DDS模塊（105）均連接所述第一微控制單元（101），所述第一有源晶振模塊（104）連接所述第一DDS模塊（102）和第二DDS模塊（103），所述第二有源晶振模塊（106）連接所述第三DDS模塊（105）。

3.如權(quán)利要求2所述的基于微控制單元的核磁共振芯片射頻發(fā)射通道，其特征在于，所述脈沖序列發(fā)生器模塊包括第一模擬開關(guān)（107）、第二模擬開關(guān)（108）、第三模擬開關(guān)（109）、第四模擬開關(guān)（110）和第一兩路復(fù)用器（111），所述第一DDS模塊（102）、第一模擬開關(guān)（107）和第二模擬開關(guān)（108）依次連接，所述第二DDS模塊（103）、第三模擬開關(guān)（109）和第四模擬開關(guān)（110）依次連接；所述第二模擬開關(guān)（108）和第四模擬開關(guān)（110）均連接所述第一兩路復(fù)用器（111）。

4.如權(quán)利要求3所述的基于微控制單元的核磁共振芯片射頻發(fā)射通道，其特征在于，所述脈沖功率放大模塊包括緩沖器（113）、功率放大器（114）和第一電平放大模塊（115），所述緩沖器（113）連接所述第一兩路復(fù)用器（111），所述功率放大器（114）連接所述緩沖器（113），所述第一電平放大模塊（115）連接所述第二微控制單元（112）和功率放大器（114）。

5.如權(quán)利要求4所述的基于微控制單元的核磁共振芯片射頻發(fā)射通道，其特征在于，所述電路狀態(tài)轉(zhuǎn)換模塊包括第二兩路復(fù)用器（121）、第三兩路復(fù)用器（122）、標(biāo)準(zhǔn)阻抗（123）、第二電平放大模塊（116）、第三電平放大模塊（117）、第四電平放大模塊（118）、第五電平放大模塊（119）和第六電平放大模塊（120），所述第二兩路復(fù)用器（121）連接所述功率放大器（114），所述第三兩路復(fù)用器（122）連接所述第二兩路復(fù)用器（121），所述標(biāo)準(zhǔn)阻抗（123）接地并連接所述第三兩路復(fù)用器（122）；所述第二電平放大模塊（116）、第三電平放大模塊（117）、第四電平放大模塊（118）、第五電平放大模塊（119）和第六電平放大模塊（120）均連接所述第二微控制單元（112），

所述第二電平放大模塊（116）、第三電平放大模塊（117）和第四電平放大模塊（118）均連接所述第二兩路復(fù)用器（121），

所述第二電平放大模塊（116）、第五電平放大模塊（119）和第六電平放大模塊（120）均連接所述第三兩路復(fù)用器（122）。