[實用新型]一種激光器有效
| 申請號: | 201320515656.8 | 申請日: | 2013-08-22 |
| 公開(公告)號: | CN203456727U | 公開(公告)日: | 2014-02-26 |
| 發明(設計)人: | 毛小潔;秘國江;龐慶生;鄒躍;劉先達 | 申請(專利權)人: | 中國電子科技集團公司第十一研究所 |
| 主分類號: | H01S3/081 | 分類號: | H01S3/081;H01S3/136 |
| 代理公司: | 工業和信息化部電子專利中心 11010 | 代理人: | 田俊峰 |
| 地址: | 100015*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 激光器 | ||
技術領域
本實用新型涉及光電技術領域,特別是涉及一種激光器。
背景技術
無水冷高峰值功率DPL(Diode?Pumped?solid?state?Laser,全固態激光器),以其體積小、重量輕、效率高等特點在軍事國防、醫療衛生和空間雷達等領域迅速發展,其研究受到極大關注,隨著應用平臺越來越廣泛,對激光器沖擊、振動的要求也越來越嚴格。
按泵浦方式來分類,無水冷全固態激光器可分為側面泵浦、端面泵浦等類型。側面泵浦具有結構簡單、泵浦功率大的特點,可以輸出大能量激光;但是,單棒輸出光的圓度不夠高。于是,出現雙棒串接的泵浦模式,有效的補償了激光的均勻性,但功耗和體積將會增大。于是,端面泵浦無水冷激光器應運而生,為了得到大的能量輸出,采用導光錐將泵浦光耦合進激光晶體的形式。但導光錐的出光面必須靠近激光晶體端面,晶體端面鍍全反膜,沒有全反鏡,不利于壓縮發散角。
也有采用垂直腔面發射激光器(VCSEL,Vertical?Cavity?Surface?Emitting?Laser)作為端面泵浦源,由于其發射光斑呈圓性,易集成為大面積陣列,可以直接聚焦到晶體表面,可以增加后反鏡,其輸出光束質量好,發散角小;但輸出能量只有40mJ左右,且沒有抗失諧裝置。為了抗失諧,將后腔鏡改為直角圓錐形,具有抗失諧、易調試、無硬邊衍射損耗的特點;但是直角圓錐形沒有曲率,不利于壓縮輸出激光發散角。
如何在無水冷全固態、高峰值功率、大能量輸出的情況下,保證小的發散角和好的光束質量,以及能夠抗失諧,是當前急需解決的一個技術難題。
實用新型內容
本實用新型要解決的技術問題是提供一種激光器,用以至少解決上述現有技術存在的問題之一。
為解決上述技術問題,本實用新型提供一種激光器,包括:依次設置的第一半導體泵浦源、第一能量光纖、第一耦合系統、激光晶體和諧振腔單元;其中,諧振腔單元中設置有抗失諧器,所述抗失諧器包括兩塊形狀為直角三角形的楔形鏡,且兩塊楔形鏡的斜邊平行。
進一步,所述抗失諧器由熔融石英材料或K9玻璃制成。
進一步,所述直角三角形的楔形鏡的最小角為15°。
進一步,所述諧振腔單元包括:
第一雙色45°全反鏡,設置在所述第一耦合系統和激光晶體之間;
在第一所述雙色45°全反鏡的透射光路上,依次設置有激光晶體、所述抗失諧器和平面輸出鏡;
在第一所述雙色45°全反鏡的反射光路上,依次設置有45°全反鏡、偏振片、四分之一波片、普克爾盒和平凹全反鏡。
進一步,所述普克爾盒中調Q晶體為KD*P晶體或Cr4+:YAG晶體。
進一步,包括:所述諧振腔單元包括:
雙色平凹鏡,設置在所述第一耦合系統和激光晶體之間;
在所述激光晶體遠離所述雙色平凹鏡的一側,依次設置有Cr4+:YAG被動調Q晶體、所述抗失諧器和平面輸出鏡。
進一步,所述Cr4+:YAG被動調Q晶體透過率為30%;所述平面輸出鏡對波長為1064nm的激光透過率為50%。
進一步,在所述激光晶體遠離所述第一耦合系統的一側,依次設置有第二耦合系統、第二能量光纖和第二半導體泵浦源;
所述諧振腔單元包括:
第一雙色45°全反鏡,設置在所述第一耦合系統和激光晶體之間;在所述第一雙色45°全反鏡的反射光路上,依次設置有偏振片、四分之一波片、普克爾盒和平凹全反鏡;
第二雙色45°全反鏡,設置在所述第二耦合系統和激光晶體之間;在所述第二雙色45°全反鏡的反射光路上,依次設置有所述抗失諧器和平面輸出鏡。
進一步,所述第一半導體泵浦源提供峰值功率≤2000W的泵浦光,泵浦光脈沖寬度為100~480μs;由半導體制冷片制冷;
所述第一能量光纖的纖芯直徑為800~1000μm;
所述第一耦合系統的耦合比例為1:4;
所述激光晶體為Nd:YAG晶體或Nd:YLF晶體;由半導體制冷片制冷;
所述平面輸出鏡面向諧振腔的一面鍍透過率為70%的1064nm介質膜,另一面鍍1064nm增透膜。
進一步,所述第一半導體泵浦源和第二半導體泵浦源提供峰值功率≤2000W的泵浦光,泵浦光脈沖寬度為100~480μs;由半導體制冷片制冷;
所述第一能量光纖和第二能量光纖的纖芯直徑為800~1000μm;
所述第一耦合系統和第二耦合系統的耦合比例為1:4;
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