[實用新型]一種激光器

有效

• 申請號: 201320515656.8
• 申請日: 2013-08-22
• 公開（公告）號: CN203456727U
• 公開（公告）日: 2014-02-26
• 發明（設計）人: 毛小潔;秘國江;龐慶生;鄒躍;劉先達
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第十一研究所
• 主分類號: H01S3/081
• 分類號: H01S3/081;H01S3/136
• 代理公司: 工業和信息化部電子專利中心 11010
• 代理人: 田俊峰

1.一種激光器，其特征在于，包括：依次設置的第一半導體泵浦源、第一能量光纖、第一耦合系統、激光晶體和諧振腔單元；其中，諧振腔單元中設置有抗失諧器，所述抗失諧器包括兩塊形狀為直角三角形的楔形鏡，且兩塊楔形鏡的斜邊平行。?

2.如權利要求1所述的激光器，其特征在于，所述抗失諧器由熔融石英材料或K9玻璃制成。?

3.如權利要求1或2所述的激光器，其特征在于，所述直角三角形的楔形鏡的最小角為15°。?

4.如權利要求3所述的激光器，其特征在于，所述諧振腔單元包括：?

第一雙色45°全反鏡，設置在所述第一耦合系統和激光晶體之間；?

在第一所述雙色45°全反鏡的透射光路上，依次設置有激光晶體、所述抗失諧器和平面輸出鏡；?

在第一所述雙色45°全反鏡的反射光路上，依次設置有45°全反鏡、偏振片、四分之一波片、普克爾盒和平凹全反鏡。?

5.如權利要求4所述的激光器，其特征在于，?

所述普克爾盒中調Q晶體為KD*P晶體或Cr4+:YAG晶體。?

6.如權利要求1所述的激光器，其特征在于，包括：所述諧振腔單元包括：?

雙色平凹鏡，設置在所述第一耦合系統和激光晶體之間；?

在所述激光晶體遠離所述雙色平凹鏡的一側，依次設置有Cr4+:YAG被動調Q晶體、所述抗失諧器和平面輸出鏡。?

7.如權利要求6所述的激光器，其特征在于，所述Cr4+:YAG被動調Q晶體透過率為30%；所述平面輸出鏡對波長為1064nm的激光透過率為50%。?

8.如權利要求1所述的激光器，其特征在于，在所述激光晶體遠離所述第一耦合系統的一側，依次設置有第二耦合系統、第二能量光纖和第二半導體?泵浦源；?

所述諧振腔單元包括：?

第一雙色45°全反鏡，設置在所述第一耦合系統和激光晶體之間；在所述第一雙色45°全反鏡的反射光路上，依次設置有偏振片、四分之一波片、普克爾盒和平凹全反鏡；?

第二雙色45°全反鏡，設置在所述第二耦合系統和激光晶體之間；在所述第二雙色45°全反鏡的反射光路上，依次設置有所述抗失諧器和平面輸出鏡。?

9.如權利要求5或7所述的激光器，其特征在于，?

所述第一半導體泵浦源提供峰值功率≤2000W的泵浦光，泵浦光脈沖寬度為100～480μs；由半導體制冷片制冷；?

所述第一能量光纖的纖芯直徑為800～1000μm；?

所述第一耦合系統的耦合比例為1:4；?

所述激光晶體為Nd:YAG晶體或Nd:YLF晶體；由半導體制冷片制冷；?

所述平面輸出鏡面向諧振腔的一面鍍透過率為70%的1064nm介質膜，另一面鍍1064nm增透膜。?

10.如權利要求8所述的激光器，其特征在于，?

所述第一半導體泵浦源和第二半導體泵浦源提供峰值功率≤2000W的泵浦光，泵浦光脈沖寬度為100～480μs；由半導體制冷片制冷；?

所述第一能量光纖和第二能量光纖的纖芯直徑為800～1000μm；?

所述第一耦合系統和第二耦合系統的耦合比例為1:4；?

所述激光晶體為Nd:YAG晶體或Nd:YLF晶體；由半導體制冷片制冷；?

所述平凹全反鏡的凹面鍍1064nm激光全反膜；?

所述平面輸出鏡面向諧振腔的一面鍍透過率為70%的1064nm介質膜，另一面鍍1064nm增透膜。?