[實(shí)用新型]導(dǎo)磁式半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201320512681.0
• 申請日: 2013-08-22
• 公開（公告）號(hào): CN203466177U
• 公開（公告）日: 2014-03-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 蘇攀;王雪松;游平
• 申請（專利權(quán)）人: 江西創(chuàng)成半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/29
• 分類號(hào): H01L23/29;H01L23/31
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體封裝技術(shù)領(lǐng)域，更確切地說是涉及一種導(dǎo)磁式半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)

在半導(dǎo)體封裝技術(shù)方面，現(xiàn)有的技術(shù)通常采用環(huán)氧樹脂進(jìn)行封裝，環(huán)氧樹脂的磁屏蔽性能很差，難以滿足磁屏蔽半導(dǎo)體封裝的需要。

由此可見，上述現(xiàn)有半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)亟待加以改進(jìn)。

發(fā)明內(nèi)容

本實(shí)用新型所要解決的主要技術(shù)問題在于，克服現(xiàn)有的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)存在的缺陷，而提供一種導(dǎo)磁式半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)。

本實(shí)用新型解決其主要技術(shù)問題是采用以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)的。依據(jù)本實(shí)用新型提出的一種導(dǎo)磁式半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，包括被封裝半導(dǎo)體器件、氟硅橡膠層、導(dǎo)磁材料層和環(huán)氧樹脂層，氟硅橡膠層覆蓋被封裝半導(dǎo)體器件，導(dǎo)磁材料層覆蓋氟硅橡膠層，環(huán)氧樹脂層覆蓋導(dǎo)磁材料層。

本實(shí)用新型的有益效果在于，采用導(dǎo)磁材料層位于氟硅橡膠層和環(huán)氧樹脂層之間，可以起到磁屏蔽的作用。

附圖說明

圖1為本實(shí)用新型的截面結(jié)構(gòu)示意圖。

附圖標(biāo)記說明：1、被封裝半導(dǎo)體器件；2、氟硅橡膠層；3、導(dǎo)磁材料層；4、環(huán)氧樹脂層。

具體實(shí)施方式

以下結(jié)合附圖及較佳實(shí)施例，對依據(jù)本實(shí)用新型提出的其具體實(shí)施方式、結(jié)構(gòu)、特征及其功效，詳細(xì)說明如后。

請參閱圖1所示，本實(shí)用新型的一種導(dǎo)磁式半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，包括被封裝半導(dǎo)體器件1、氟硅橡膠層2、導(dǎo)磁材料層3和環(huán)氧樹脂層4，氟硅橡膠層2覆蓋被封裝半導(dǎo)體器件1，導(dǎo)磁材料層3覆蓋氟硅橡膠層2，環(huán)氧樹脂層4覆蓋導(dǎo)磁材料層3。

以上所述，僅是本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，并非對本實(shí)用新型作任何形式上的限制，凡是依據(jù)本實(shí)用新型的技術(shù)實(shí)質(zhì)對以上實(shí)施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本實(shí)用新型技術(shù)方案的范圍內(nèi)。