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[實用新型]導磁式半導體封裝結構有效

專利信息
申請號: 201320512681.0 申請日: 2013-08-22
公開(公告)號: CN203466177U 公開(公告)日: 2014-03-05
發明(設計)人: 蘇攀;王雪松;游平 申請(專利權)人: 江西創成半導體有限公司
主分類號: H01L23/29 分類號: H01L23/29;H01L23/31
代理公司: 暫無信息 代理人: 暫無信息
地址: 343000 江西省*** 國省代碼: 江西;36
權利要求書: 查看更多 說明書: 查看更多
摘要:
搜索關鍵詞: 導磁式 半導體 封裝 結構
【權利要求書】:

1.導磁式半導體封裝結構,其特征在于:所述導磁式半導體封裝結構包括被封裝半導體器件、氟硅橡膠層、導磁材料層和環氧樹脂層,所述氟硅橡膠層覆蓋被封裝半導體器件,所述導磁材料層覆蓋氟硅橡膠層,所述環氧樹脂層覆蓋導磁材料層。

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2、支持發明專利 、實用新型專利、外觀設計專利(升級中);

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