[實用新型]導磁式半導體封裝結構有效
申請號: | 201320512681.0 | 申請日: | 2013-08-22 |
公開(公告)號: | CN203466177U | 公開(公告)日: | 2014-03-05 |
發明(設計)人: | 蘇攀;王雪松;游平 | 申請(專利權)人: | 江西創成半導體有限公司 |
主分類號: | H01L23/29 | 分類號: | H01L23/29;H01L23/31 |
代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
地址: | 343000 江西省*** | 國省代碼: | 江西;36 |
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摘要: | |||
搜索關鍵詞: | 導磁式 半導體 封裝 結構 | ||
【權利要求書】:
1.導磁式半導體封裝結構,其特征在于:所述導磁式半導體封裝結構包括被封裝半導體器件、氟硅橡膠層、導磁材料層和環氧樹脂層,所述氟硅橡膠層覆蓋被封裝半導體器件,所述導磁材料層覆蓋氟硅橡膠層,所述環氧樹脂層覆蓋導磁材料層。
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