[實用新型]一種CMOS器件保護電路和CMOS電路有效
| 申請號： | 201320509825.7 | 申請日： | 2013-08-20 |
| 公開（公告）號： | CN203423485U | 公開（公告）日： | 2014-02-05 |
| 發明（設計）人： | 吳金振;龐師鋒 | 申請（專利權）人： | 北京經緯恒潤科技有限公司 |
| 主分類號： | H02H9/04 | 分類號： | H02H9/04 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 王寶筠 |
| 地址： | 100101 北京*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 cmos 器件 保護 電路 | ||
【權利要求書】：
1.一種CMOS器件保護電路，其特征在于，
所述CMOS器件保護電路設置在干擾源電路和CMOS器件輸入電路之間；其中，
所述CMOS器件保護電路包括：能量轉化電路，或能量泄放電路，或能量吸收電路。
2.根據權利要求1所述的電路，其特征在于，所述能量轉化電路包括：
電阻、或磁珠或串聯的電阻和磁珠，所述能量轉化電路的一端與所述干擾源電路相連接，另一端與所述CMOS器件輸入電路相連接。
3.根據權利要求1所述的電路，其特征在于，所述能量泄放電路包括：
穩壓管或瞬態電壓抑制TVS管，所述能量泄放電路的負極端與所述干擾源電路和CMOS器件輸入電路的連接線相連接，所述能量泄放電路的正極端接地。
4.根據權利要求1所述的電路，其特征在于，所述能量吸收電路包括：
電容，所述電容的一端與所述干擾源電路和CMOS器件輸入電路的連接線相連接，另一端接地。
5.根據權利要求4所述的電路，其特征在于，
所述能量吸收電路中的電容為nF量級的電容。
6.一種CMOS電路，其特征在于，包括：
如權利要求1至權利要求5任一項所述的CMOS器件保護電路。
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