[實(shí)用新型]一種LED芯片有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201320499540.X | 申請(qǐng)日： | 2013-08-16 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN203434185U | 公開（公告）日： | 2014-02-12 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 李明剛 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 惠州比亞迪實(shí)業(yè)有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L33/38 | 分類號(hào)： | H01L33/38;H01L33/46;H01L33/64 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 516083*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 led 芯片 | ||
1.一種LED芯片，其特征在于，包括以下部分：
襯底；
形成在所述襯底之上的緩沖層；
形成在所述緩沖層之上的N型GaN層；
形成在所述N型GaN層之上的量子阱；
形成在所述量子阱之上的電子阻擋層；
形成在所述電子阻擋層之上的P型GaN層；
形成在所述P型GaN層之上的鈍化層；
P電極，所述P電極從所述襯底的下表面貫穿至所述P型GaN層的下表面；以及
N電極，所述N電極從所述襯底的下表面貫穿至所述N型GaN層的下表面。
2.如權(quán)利要求1所述的LED芯片，其特征在于，還包括：形成在所述P型GaN層和所述鈍化層之間的電流擴(kuò)散層。
3.如權(quán)利要求2所述的LED芯片，其特征在于，所述P電極從所述襯底的下表面貫穿至所述電流擴(kuò)散層的下表面。
4.如權(quán)利要求1所述的LED芯片，其特征在于，還包括：形成在所述緩沖層和所述N型GaN層之間的本征層。
5.如權(quán)利要求4所述的LED芯片，其特征在于，所述N電極從所述襯底的下表面貫穿至所述本征層的下表面。
6.如權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的LED芯片，其特征在于，所述P電極和N電極的形狀為正梯形。
7.如權(quán)利要求6所述的LED芯片，其特征在于，定義所述P電極的側(cè)面與所述襯底的下表面夾角為α,?所述N電極的側(cè)面與所述襯底的下表面夾角為β，其中，α和β的取值范圍為65-80°。
8.如權(quán)利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述P電極和N電極的側(cè)面以及所述襯底的下表面具有布拉格反射層。
9.如權(quán)利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述襯底為藍(lán)寶石襯底。
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