[實(shí)用新型]一種LED芯片

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201320499540.X
• 申請(qǐng)日: 2013-08-16
• 公開（公告）號(hào): CN203434185U
• 公開（公告）日: 2014-02-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李明剛
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 惠州比亞迪實(shí)業(yè)有限公司
• 主分類號(hào): H01L33/38
• 分類號(hào): H01L33/38;H01L33/46;H01L33/64
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種LED芯片。

背景技術(shù)

由于LED具有環(huán)保、節(jié)能、壽命長等優(yōu)點(diǎn)，得到的廣泛的應(yīng)用。其中最核心部件——LED芯片的通常采用碳化硅襯底、硅襯底和藍(lán)寶石襯底。其中碳化硅襯底和硅襯底由于導(dǎo)電性良好，可以制作成垂直結(jié)構(gòu)LED芯片和水平結(jié)構(gòu)LED芯片，而絕緣的藍(lán)寶石襯底僅能制作成水平結(jié)構(gòu)LED芯片。

圖1為現(xiàn)有技術(shù)中的水平結(jié)構(gòu)LED芯片的結(jié)構(gòu)示意圖。可以看出水平結(jié)構(gòu)的LED芯片通常是在外延層上表面刻蝕掉一部分露出N型層，然后分別在P型層和N型層之上形成P電極和N電極。該水平結(jié)構(gòu)LED芯片的P極通常采用透明電極，但仍會(huì)吸收30%-40%的光，大大降低了出光效率。并且，當(dāng)襯底選用藍(lán)寶石襯底時(shí)由于其導(dǎo)熱性較差，在100℃導(dǎo)熱系數(shù)僅為25w/（m﹒K），容易引起器件熱量累積，對(duì)LED芯片壽命帶來衰減。

發(fā)明內(nèi)容

本實(shí)用新型旨在至少在一定程度上解決上述技術(shù)問題之一或至少提供一種有用的商業(yè)選擇。為此，本實(shí)用新型的一個(gè)目的在于提出一種出光率高、散熱性好的LED芯片。根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的LED芯片，包括以下部分：襯底；形成在所述襯底之上的緩沖層；形成在所述緩沖層之上的N型GaN層；形成在所述N型GaN層之上的量子阱；形成在所述量子阱之上的電子阻擋層；形成在所述電子阻擋層之上的P型GaN層；?形成在所述P型GaN層之上的鈍化層；P電極，所述P電極從所述襯底的下表面貫穿至所述P型GaN層的下表面；以及N電極，所述N電極從所述襯底的下表面貫穿至所述N型GaN層的下表面。

優(yōu)選地，還包括：形成在所述P型GaN層和所述鈍化層之間的電流擴(kuò)散層。

優(yōu)選地，所述P電極從所述襯底的下表面貫穿至所述電流擴(kuò)散層的下表面。

優(yōu)選地，還包括：形成在所述緩沖層和所述N型GaN層之間的本征層。

優(yōu)選地，所述N電極從所述襯底的下表面貫穿至所述本征層的下表面。

優(yōu)選地，所述P電極和N電極的形狀為正梯形。

優(yōu)選地，定義所述P電極的側(cè)面與所述襯底的下表面夾角為α,?所述N電極的側(cè)面與所述襯底的下表面夾角為β，其中，α和β的取值范圍為65-80°。

優(yōu)選地，所述P電極和N電極的側(cè)面以及所述襯底的下表面具有布拉格反射層。

優(yōu)選地，所述襯底為藍(lán)寶石襯底。

實(shí)用新型由上可知，根據(jù)本實(shí)用新型的LED芯片至少具有如下優(yōu)點(diǎn)：

(1)電極從襯底下方引出，不影響光線從正面芯片正面射出，并且，電極層側(cè)面和襯底下表面具有分布式布拉格反射層，光線不容易從電極處和芯片底部漏出，因此LED芯片的出光率高。

(2)由于電極是從襯底底部引出的，因此可以采用覆晶技術(shù)將電極直接固晶在支架上，因此芯片上熱能能夠迅速傳遞給支架，從而有效地解決了藍(lán)寶石散熱性差的問題，此外藍(lán)寶石襯底經(jīng)過減薄處理也有利于散熱，避免了因熱量累積導(dǎo)致芯片壽命衰減。

(3)結(jié)構(gòu)簡單，工藝簡單，成本較低，易于大規(guī)模生產(chǎn)。

本實(shí)用新型的附加方面和優(yōu)點(diǎn)將在下面的描述中部分給出，部分將從下面的描述中變得明顯，或通過本實(shí)用新型的實(shí)踐了解到。

附圖說明

本實(shí)用新型的上述和/或附加的方面和優(yōu)點(diǎn)從結(jié)合下面附圖對(duì)實(shí)施例的描述中將變得明顯和容易理解，其中：

圖1是現(xiàn)有的水平結(jié)構(gòu)的LED芯片的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是根據(jù)本實(shí)用新型一個(gè)實(shí)施例的LED芯片的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3是根據(jù)本實(shí)用新型另一個(gè)實(shí)施例的LED芯片的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4是根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的LED芯片的制備方法的流程圖；

圖5a至圖5e是根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的LED芯片的制備方法的具體過程示意圖。

具體實(shí)施方式

下面詳細(xì)描述本實(shí)用新型的實(shí)施例，所述實(shí)施例的示例在附圖中示出，其中自始至終相同或類似的標(biāo)號(hào)表示相同或類似的元件或具有相同或類似功能的元件。下面通過參考附圖描述的實(shí)施例是示例性的，旨在用于解釋本實(shí)用新型，而不能理解為對(duì)本實(shí)用新型的限制。

在本實(shí)用新型的描述中，需要理解的是，術(shù)語“中心”、“縱向”、“橫向”、“長度”、“寬度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“豎直”、“水平”、“頂”、“底”“內(nèi)”、“外”、“順時(shí)針”、“逆時(shí)針”等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系，僅是為了便于描述本實(shí)用新型和簡化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對(duì)本實(shí)用新型的限制。