[實用新型]光掩模板導向片去除機

有效

• 申請號: 201320475833.4
• 申請日: 2013-08-05
• 公開（公告）號: CN203422555U
• 公開（公告）日: 2014-02-05
• 發明（設計）人: 凌震軍
• 申請（專利權）人: 上海凸版光掩模有限公司
• 主分類號: G03F1/82
• 分類號: G03F1/82
• 代理公司: 上海光華專利事務所 31219
• 代理人: 李儀萍

技術領域

本實用新型屬于半導體技術領域，涉及一種光掩模板導向片去除機。

背景技術

在當今大規模集成電路生產中，光刻工藝是其中最重要的工藝步驟，利用光刻過程可以將印在光掩模上的圖形結構轉移到襯底的表面上。一塊集成電路的生產往往要經過多達20到30甚至更多道工藝步驟，其中光刻工藝多達6-20多道。在光刻過程中，首先將光阻旋轉涂布在襯底上，然后對其進行軟烘干，使之成為固態薄膜。接著，對涂布有光阻的晶片進行光刻和顯影，于是在光阻中形成期望的三維圖形。基于該三維圖形，可以對襯底進行蝕刻，使得光阻上的圖形深入到襯底中。

光掩模的基材通常為玻璃版或高純度精密石英版。在生產中，為了防止有雜質落到光掩模的圖形區影響曝光質量，往往在光掩模的圖形區上覆蓋一層由金屬框撐起的透光薄膜，一般稱為保護膜。由于一個集成電路設計往往包括許多層，而基本上每一層均需要一塊光掩模，在集成電路設計公司對一個新產品進行流片時，光掩模成本就成為不可回收成本(NRE)中的一個主要部分。隨著集成電路芯片的特征線寬(CD)越來越小，目前已經進入了亞波長光刻時代，即特征線寬小于曝光波長。為了在現有的光刻設備上達到如此低的特征線寬，大量的分辨率增強技術(RET)被采用，如離軸照明技術(OAI)、光學臨近效應修正技術(OPC)、相移掩模技術(PSM)和空間濾波技術等。

現有光掩模制造流程中，對于特定尺寸如3*5吋的UT光掩模板，在貼保護膜后需要在光掩模板左右兩個角裝導向片（UT?guider），請參閱圖1，顯示為兩個導向片1分別安裝于光掩模板2的兩個角。由于各方的原因，如果導向片的位置安裝不對，晶片廠的曝光機將不能正常工作，所以經常會重裝導向片。目前拆除導向片的工藝步驟是：1）左手拿住光掩模板，右手握住烙鐵夾上下夾住導向片；2）烙鐵夾通過導向片接通，加熱到一定溫度；3）高溫軟化掩模板和導向片之間的膠水；4）幾分鐘后導向片和光掩模板自動分離。請參閱圖2，顯示為烙鐵夾3夾住光掩模板2上其中一個導向片1的示意圖。現有方法的缺點是：1）溫度不能調節；2）烙鐵夾接觸點太小；3）拆兩個導向片需要雙倍時間；4）通過手工操作，費時費力；5）工藝不受控。

因此，提供一種工藝受控、省時省力的光掩模板去除機實屬必要。

實用新型內容

鑒于以上所述現有技術的缺點，本實用新型的目的在于提供一種光掩模板導向片去除機，用于解決現有技術中去除導向片時溫度不能調節、烙鐵夾接觸點太小、拆兩個需要雙倍時間、手工操作費時費力、工藝不受控的問題。

為實現上述目的及其他相關目的，本實用新型提供一種光掩模板導向片去除機，所述光掩模板導向片去除機至少包括：

支架；所述支架包括面板及安裝于所述面板橫向兩側用以支撐所述面板的至少兩個支腳；所述面板中設有第一通槽；所述第一通槽縱向側邊的底部相向延伸設有用于承載光掩模板的臺階；所述第一通槽橫向兩側分別設有第二通槽及第三通槽；所述第二通槽的長度小于所述第一通槽的長度；所述第三通槽的長度大于所述第一通槽的長度；

用以加熱導向片的兩個加熱電極；所述加熱電極分別裝設于兩個電極支架上；兩個電極支架裝設于靠近所述第三通槽一側的支腳上；所述加熱電極頂面正對所述第三通槽；

電源模塊；所述電源模塊通過導線分別與兩個加熱電極連接；

用以設定加熱時間的定時模塊及用以設定加熱溫度的溫控模塊，所述定時模塊及所述溫控模塊分別與所述電源模塊相連；

用以固定光掩模板的至少兩個轉動壓片，裝設于所述第一通槽縱向兩側的所述面板上。

可選地，兩個加熱電極以并聯方式連接。

可選地，所述電源模塊上設有分別對兩個加熱電極進行控制的兩個開關。

可選地，所述支腳為柱狀或板狀。

可選地，所述加熱電極通過第一定位元件裝設于所述電極支架上并且位置上下可調。

可選地，所述電極支架通過第二定位元件裝設于所述支腳上并且位置上下可調。

可選地，所述定時模塊的時間可調范圍是0.5～30分鐘。

可選地，所述溫控模塊的溫度可調范圍是1～500℃。

可選地，所述加熱電極的橫截面為圓形或方形。

可選地，所述加熱電極頂面面積是5～200mm²。