[實用新型]一種IGBT模塊

有效

• 申請號: 201320452893.4
• 申請日: 2013-07-29
• 公開（公告）號: CN203434140U
• 公開（公告）日: 2014-02-12
• 發明（設計）人: 劉春江;薛鵬輝;陳剛
• 申請（專利權）人: 比亞迪股份有限公司
• 主分類號: H01L23/13
• 分類號: H01L23/13
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本實用新型涉及功率模塊領域，尤其涉及一種IGBT模塊。

背景技術

隨著電子技術的發展，功率模塊被廣泛的應用于各種電子產品中，尤其是IGBT模塊，其廣泛的應用于帶有開關電源的控制器以及電動汽車控制器等各個領域。IGBT（Insulated?Gate?Bipolar?Transistor，絕緣柵雙極型晶體管）是80年代中期問世的一種復合型電力電子器件,?從結構上說，相當于一個由MOSFET（Metal?Oxide?Semiconductor?Field?Effect?Transistor，金屬-氧化物-半導體場效晶體管）驅動的厚基區的BJT（Bipolar?Junction?Transistor，雙極結型晶體管）,?IGBT既有MOSFET的快速響應、高輸入阻抗、熱穩定性好、驅動電路簡單的特性，也具備BJT的電流密度高、通態壓降低，耐壓高的特性，被廣泛應用于電力電子設備中。

現有IGBT模塊底座一般是采用銅材沖壓或鑄造成型，其結構一般都比較簡單。IGBT模塊通常需要安裝到其它部件或電路中，例如通常需要將IGBT模塊安裝到散熱體上后一起連接到電路中。但將IGBT模塊進行安裝時其通常會使得IGBT模塊的底座發生形變且使底座上的電子元器件容易受到損傷，進而降低了IGBT模塊的電性能的可靠性及產品良率。

可以理解的是，本部分的陳述僅提供與本實用新型相關的背景信息，可能構成或不構成所謂的現有技術。

發明內容

本實用新型所要解決的技術問題在于針對現有技術中IGBT模塊由于安裝外力以致電子元器件易受損，進而降低了IGBT模塊的電性能及良率的缺陷，提供一種可以減少電子元器件的損傷、提高產品電性能及良率的IGBT模塊。

本實用新型解決其技術問題所采用的技術方案是提供一種IGBT模塊，其包括殼體、固定于殼體內的底座、及安裝于底座的頂面處且包括IGBT芯片的電子元器件，所述底座的頂面設置有多組與所述IGBT芯片相對應的正電極及多組與所述正電極相對應的負電極；所述底座的邊緣處設置有若干個安裝孔及穿過安裝孔用于將底座固定于殼體內的固定件，所述底座的頂面還設置有若干個凹槽，每個所述凹槽位于一安裝孔與電子元器件之間。

在上述IGBT模塊中，所述凹槽的深度為所述底座的厚度的20%—95%。

在上述IGBT模塊中，所述凹槽均勻的分布于所述底座上。

在上述IGBT模塊中，所述凹槽的中間部分的深度小于凹槽邊緣部分的深度。

在上述IGBT模塊中，所述凹槽與所述底座一體成型。

在上述IGBT模塊中，每個所述安裝孔與電子元器件之間設置有多個等間距排列的凹槽。

在上述IGBT模塊中，所述隔離層、凹槽及底座一體成型。

在上述IGBT模塊中，所述凹槽的深度為2-4mm。

在上述IGBT模塊中，所述凹槽的寬度為1-2mm。

在上述IGBT模塊中，所述多個等間距排列的凹槽呈L型。

在上述IGBT模塊中，每個安裝孔與電子元器件之間的凹槽的數量及形狀均相同。

本實用新型提供的IGBT模塊，其主要通過在底座的頂面設置若干個凹槽，且使凹槽位于安裝孔與電子元器件之間。當IGBT模塊的底座在與外界進行安裝固定時，底座的四周被固定件壓緊了，由于凹槽對力的分解作用，所以外界的安裝力在傳遞到凹槽所在位置時，由于凹槽處底座較薄，其在力的作用下會發生塑性變形來緩解安裝力，這樣就會使離凹槽有一定的距離的電子元器件受到的力大大減小，進而可以減少外力對電子元器件的損傷，從而提高IGBT模塊的電性能及產品的良率。??

附圖說明

圖1是本實用新型提供的一實施例中IGBT模塊的部分結構示意圖；

圖2是本實用新型提供的一實施例中IGBT模塊的底座的部分結構示意圖；

圖3是本實用新型提供的又一實施例中IGBT模塊的底座的部分結構示意圖。??

具體實施方式

為了使本實用新型所解決的技術問題、技術方案及有益效果更加清楚明白，以下結合附圖及實施例，對本實用新型進行進一步詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實施例僅用以解釋本實用新型，并不用于限定本實用新型。