[實(shí)用新型]陣列基板和顯示裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201320451996.9
• 申請日: 2013-07-26
• 公開（公告）號: CN203351574U
• 公開（公告）日: 2013-12-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 閆梁臣
• 申請（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L27/12;G02F1/1368
• 代理公司: 北京銀龍知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11243
• 代理人: 許靜;黃燦

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種陣列基板和顯示裝置。

背景技術(shù)

隨著科技的不斷進(jìn)步，用戶對液晶顯示設(shè)備的需求日益增加，TFT-LCD(Thin?Film?Transistor-Liquid?Crystal?Display，薄膜場效應(yīng)晶體管液晶顯示器)也成為了手機(jī)、平板電腦等產(chǎn)品中使用的主流顯示器。此外，隨著顯示設(shè)備的普及，用戶對大尺寸顯示產(chǎn)品的需求也越來越普遍。

TFT的性能決定了液晶顯示器的顯示品質(zhì)。量產(chǎn)中常常采用非晶硅作為有源層，但非晶硅具有較多的缺陷，并且遷移率較低。非晶硅TFT的載流子實(shí)際遷移率大致在10cm²/(V*s)左右，但由于缺陷數(shù)目太多，柵電極所吸引的大部分電荷被攫取在缺陷中而無法提供導(dǎo)電能力，使得等效載流子遷移率僅僅剩下不到1cm²/(V*s)，不能滿足大尺寸顯示產(chǎn)品的需求。

為了提高有源層的遷移率，現(xiàn)有技術(shù)采用金屬氧化物半導(dǎo)體制作有源層，但有的金屬氧化物半導(dǎo)體的遷移率不夠高，而有的金屬氧化物半導(dǎo)體雖然遷移率比較高，但是漏電流比較大，將會影響TFT的性能，導(dǎo)致顯示器不能正常顯示。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問題是提供一種陣列基板和顯示裝置，能夠制備性能良好、穩(wěn)定且具有高遷移率的有源層。

為解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型的實(shí)施例提供技術(shù)方案如下：

一方面，提供一種陣列基板，所述陣列基板的有源層由至少兩個金屬氧化物半導(dǎo)體層組成，其中，靠近柵絕緣層的第一金屬氧化物半導(dǎo)體層的遷移率大于靠近源漏金屬層的第二金屬氧化物半導(dǎo)體層的遷移率。

進(jìn)一步地，上述方案中，所述第一金屬氧化物半導(dǎo)體層的遷移率大于30cm²/V*s，所述第二金屬氧化物半導(dǎo)體層的遷移率為8-10cm²/V*s。

進(jìn)一步地，上述方案中，所述第一金屬氧化物半導(dǎo)體層的厚度為10nm-50nm，所述第二金屬氧化物半導(dǎo)體層的厚度為10nm-50nm。

進(jìn)一步地，上述方案中，所述第一金屬氧化物半導(dǎo)體層為ITZO，所述第二金屬氧化物半導(dǎo)體層為IGZO。

進(jìn)一步地，上述方案中，所述陣列基板具體包括：

襯底基板；

所述襯底基板上的柵電極和柵線；

所述柵電極和所述柵線上的所述柵絕緣層；

所述柵絕緣層上的所述有源層，所述有源層由第一金屬氧化物半導(dǎo)體層和第二金屬氧化物半導(dǎo)體層組成；

所述有源層上的刻蝕阻擋層；

所述刻蝕阻擋層上的由所述源漏金屬層組成的漏電極、源電極和數(shù)據(jù)線；

所述漏電極、所述源電極和所述數(shù)據(jù)線上的鈍化層，所述鈍化層包括有對應(yīng)所述漏電極的過孔；

所述鈍化層上的像素電極，所述像素電極通過所述過孔與所述漏電極電連接。

本實(shí)用新型實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，包括如上所述的陣列基板。

本實(shí)用新型的實(shí)施例具有以下有益效果：

上述方案中，陣列基板的有源層由至少兩個金屬氧化物半導(dǎo)體層組成，其中，靠近柵絕緣層的第一金屬氧化物半導(dǎo)體層作為載流子傳輸層具有較高的遷移率，而靠近源漏金屬層的第二金屬氧化物半導(dǎo)體層作為相對高電阻層具有較低的遷移率，可以起到降低漏電流、穩(wěn)定TFT特性的作用。這樣通過至少兩個金屬氧化物半導(dǎo)體層組合，最終可以制備性能良好、穩(wěn)定且具有高遷移率的有源層。

附圖說明

圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例在陣列基板上形成柵電極和柵線后的截面示意圖；

圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例在陣列基板上形成柵絕緣層后的截面示意圖；

圖3為本實(shí)用新型實(shí)施例在陣列基板上形成第一金屬氧化物半導(dǎo)體層和第二金屬氧化物半導(dǎo)體層后的截面示意圖；

圖4為本實(shí)用新型實(shí)施例在陣列基板上形成有源層的圖形后的截面示意圖；

圖5為本實(shí)用新型實(shí)施例在陣列基板上形成刻蝕阻擋層的圖形后的截面示意圖；

圖6為本實(shí)用新型實(shí)施例在陣列基板上形成源電極、漏電極和數(shù)據(jù)線后的截面示意圖；

圖7為本實(shí)用新型實(shí)施例在陣列基板上形成鈍化層的圖形后的截面示意圖；

圖8為本實(shí)用新型實(shí)施例在陣列基板上形成像素電極后的截面示意圖。

附圖標(biāo)記

1襯底基板??2柵電極??3柵絕緣層

4第一金屬氧化物半導(dǎo)體層??5第二金屬氧化物半導(dǎo)體層

6刻蝕阻擋層??7源漏金屬層??8鈍化層

9像素電極