[實用新型]陣列基板和顯示裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201320451996.9 | 申請日： | 2013-07-26 |
| 公開（公告）號： | CN203351574U | 公開（公告）日： | 2013-12-18 |
| 發(fā)明（設計）人： | 閆梁臣 | 申請（專利權(quán)）人： | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/77 | 分類號： | H01L21/77;H01L27/12;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 北京銀龍知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11243 | 代理人： | 許靜;黃燦 |
| 地址： | 100015 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 陣列 顯示裝置 | ||
1.一種陣列基板，其特征在于，所述陣列基板的有源層由至少兩個金屬氧化物半導體層組成，其中，靠近柵絕緣層的第一金屬氧化物半導體層的遷移率大于靠近源漏金屬層的第二金屬氧化物半導體層的遷移率。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第一金屬氧化物半導體層的遷移率大于30cm2/V*s，所述第二金屬氧化物半導體層的遷移率為8-10cm2/V*s。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述第一金屬氧化物半導體層的厚度為10nm-50nm，所述第二金屬氧化物半導體層的厚度為10nm-50nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述第一金屬氧化物半導體層為ITZO，所述第二金屬氧化物半導體層為IGZO。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-4中任一項所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板具體包括：
襯底基板；
所述襯底基板上的柵電極和柵線；
所述柵電極和所述柵線上的所述柵絕緣層；
所述柵絕緣層上的所述有源層，所述有源層由第一金屬氧化物半導體層和第二金屬氧化物半導體層組成；
所述有源層上的刻蝕阻擋層；
所述刻蝕阻擋層上的由所述源漏金屬層組成的漏電極、源電極和數(shù)據(jù)線；
所述漏電極、所述源電極和所述數(shù)據(jù)線上的鈍化層，所述鈍化層包括有對應所述漏電極的過孔；
所述鈍化層上的像素電極，所述像素電極通過所述過孔與所述漏電極電連接。
6.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-5中任一項所述的陣列基板。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
