[實(shí)用新型]磁控濺射門(mén)防下垂裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201320450283.0
• 申請(qǐng)日: 2013-07-26
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN203360561U
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-12-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 章新良
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 蚌埠雷諾真空技術(shù)有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): C23C14/35
• 分類(lèi)號(hào): C23C14/35;C23C14/56
• 代理公司: 蚌埠鼎力專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 34102
• 代理人: 王琪

1.磁控濺射門(mén)防下垂裝置，其特征在于：該防下垂裝置為支撐塊，所述支撐塊內(nèi)部開(kāi)有臺(tái)階孔，其中右側(cè)孔的直徑大于左側(cè)孔的直徑，支撐塊上端面靠右側(cè)有一段斜面，所述斜面向右下角傾斜，傾斜角度為8～15度。

2.如權(quán)利要求1所述的磁控濺射門(mén)防下垂裝置，其特征在于：支撐塊左側(cè)上端部有凸出的臺(tái)階。