[實用新型]自供電發光防偽標識

有效

• 申請號: 201320447563.6
• 申請日: 2013-07-25
• 公開（公告）號: CN203351155U
• 公開（公告）日: 2013-12-18
• 發明（設計）人: 張弛;王中林
• 申請（專利權）人: 國家納米科學中心
• 主分類號: G09F13/04
• 分類號: G09F13/04;H02N2/18
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 曹玲柱

1.一種自供電發光防偽標識，其特征在于，包括：

發光芯片(20)；

標志層(30)，貼合于所述發光芯片(20)出光側的上方；以及

壓電材料納米發電機(10)，電性連接至所述發光芯片(20)的兩電極；

其中，所述壓電材料納米發電機(10)將外界機械能轉換為電能，為所述發光芯片(20)提供發光所需的能量；所述發光芯片(20)發出的光線由所述標志層(30)上的圖案透過或遮蔽，以達到防偽目的。

2.根據權利要求1所述的自供電發光防偽標識，其特征在于，所述壓電材料納米發電機(10)包括：下導電層(11)、壓電材料納米結構層(12)和上導電層(13)；

其中，該壓電材料納米發電機(10)受到外力發生形變，所述壓電材料納米結構層(12)中產生壓電勢，在下導電層(11)和上導電層(13)之間產生電壓。

3.根據權利要求2所述的自供電發光防偽標識，其特征在于，所述納米結構層(12)為納米結構陣列或納米薄膜；

所述壓電材料選自于：氧化鋅、硫化鋅、氮化鎵、碲化鎘或硫化鎘。

4.根據權利要求3所述的自供電發光防偽標識，其特征在于，所述納米結構陣列中的納米結構為：納米線、納米管或納米棒。

5.根據權利要求4所述的自供電發光防偽標識，其特征在于，所述納米線、納米管或納米棒為線狀、立方體或者四棱錐形狀。

6.根據權利要求2所述的自供電發光防偽標識，其特征在于，所述壓電材料納米結構層的厚度介于1μm～200μm之間。

7.根據權利要求6所述的自供電發光防偽標識，其特征在于，所述壓電材料納米結構層的厚度介于2μm～10μm之間。

8.根據權利要求2所述的自供電發光防偽標識，其特征在于，所述壓電材料納米發電機(10)的下導電層(11)和上導電層(13)的材料為金屬材料，其厚度介于10nm～100nm之間。

9.根據權利要求1至8中任一項所述的自供電發光防偽標識，其特征在于，所述發光芯片(20)包括：導電層(21)，發光層(22)，透明導電膜(23)和透明絕緣膜(24)；

其中，在所述導電層(21)和透明導電膜(23)之間施加電壓，所述發光層(22)發出的光穿過透明導電膜(23)和透明絕緣膜(24)射向所述標志層(30)。

10.根據權利要求9所述的自供電發光防偽標識，其特征在于，還包括：

三苯基二胺層，介于所述導電層(22)和透明導電膜(23)之間，其厚度介于25nm-100nm之間。

11.根據權利要求1至8中任一項所述的自供電發光防偽標識，其特征在于：所述標志層(30)和發光芯片(20)貼合，貼合邊緣處由膠黏劑密封。