[實用新型]自供電發光防偽標識有效
| 申請號: | 201320447563.6 | 申請日: | 2013-07-25 |
| 公開(公告)號: | CN203351155U | 公開(公告)日: | 2013-12-18 |
| 發明(設計)人: | 張弛;王中林 | 申請(專利權)人: | 國家納米科學中心 |
| 主分類號: | G09F13/04 | 分類號: | G09F13/04;H02N2/18 |
| 代理公司: | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人: | 曹玲柱 |
| 地址: | 100190 北*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 供電 發光 防偽 標識 | ||
技術領域
本實用新型涉及防偽技術領域,尤其涉及一種自供電發光防偽標識。
背景技術
2006年,美國佐治亞理工學院王中林教授等成功的在納米尺度范圍內將機械能轉換為電能,研制出世界上最小的發電機-納米發電機。納米發電機的基本原理是:當納米線在外力下動態拉伸或壓縮時,納米線中產生壓電勢,相應瞬變電流在兩端流動以平衡費米能級。納米發電機能夠從環境中收集微弱的機械能并轉換為電能,形成自供電系統,在防偽領域具有很大的應用潛力。
目前,發光防偽標識是一種應用比較廣泛的商品防偽方式,但目前常見的發光防偽標識需要電源供電,在斷電情況下不能獨立工作,喪失了防偽功能。
實用新型內容
(一)要解決的技術問題
鑒于上述技術問題,本實用新型提供了一種自供電發光防偽標識,以在斷電情況下仍然具有防偽功能。
(二)技術方案
根據本實用新型的一個方面,提供了一種自供電發光防偽標識。該自供電發光防偽標識包括:發光芯片20;標志層30,貼合于發光芯片20出光側的上方;以及壓電材料納米發電機10,電性連接至發光芯片20的兩電極;其中,壓電材料納米發電機10將外界機械能轉換為電能,為發光芯片20提供發光所需的能量;發光芯片20發出的光線由標志層30上的圖案透過或遮蔽,以達到防偽目的。
優選地,本實用新型自供電發光防偽標識中,壓電材料納米發電機10包括:下導電層11、壓電材料納米結構層12和上導電層13;其中,該壓電材料納米發電機10受到外力發生形變,壓電材料納米結構層12中產生壓電勢,在下導電層11和上導電層13之間產生電壓。
優選地,本實用新型自供電發光防偽標識中,納米結構層12為納米結構陣列或納米薄膜;壓電材料選自于:氧化鋅、硫化鋅、氮化鎵、碲化鎘或硫化鎘。
優選地,本實用新型自供電發光防偽標識中,納米結構陣列中的納米結構為:納米線、納米管或納米棒。
優選地,本實用新型自供電發光防偽標識中,納米線、納米管或納米棒為線狀、立方體或者四棱錐形狀。
優選地,本實用新型自供電發光防偽標識中,壓電材料納米結構層的厚度介于1μm~200μm之間。
優選地,本實用新型自供電發光防偽標識中,壓電材料納米結構層的厚度介于2μm~10μm之間。
優選地,本實用新型自供電發光防偽標識中,壓電材料納米發電機10的下導電層11和上導電層13的材料為金屬材料,其厚度介于10nm~100nm之間。
優選地,本實用新型自供電發光防偽標識中,發光芯片20包括:導電層21,發光層22,透明導電膜23和透明絕緣膜24;其中,在導電層21和透明導電膜23之間施加電壓,發光層22發出的光穿過透明導電膜23和透明絕緣膜24射向標志層30。
優選地,本實用新型自供電發光防偽標識還包括:三苯基二胺層,介于導電層22和透明導電膜23之間,其厚度介于25nm-100nm之間。
優選地,本實用新型自供電發光防偽標識中,標志層30和發光芯片20貼合,貼合邊緣處由膠黏劑密封。
(三)有益效果
從上述技術方案可以看出,本實用新型嵌入自供電發光防偽標識具有以下有益效果:
(1)利用納米發電機將外界的機械能轉換為電能,為防偽標識供電,從而不需外接電源,在斷電情況下仍然能夠正常工作,克服了由電池供電的防偽標識由于長時間放置、電池漏電而導致的無法起防偽作用的缺陷;
(2)將標志層和發光芯片進行貼合,邊緣處由膠黏劑密封粘結,不僅使整個防偽標識緊湊,易于攜帶,并且還提高了防潮密封性能。
附圖說明
圖1為本實用新型實施例自驅動發光防偽標識的剖面示意圖。
【本發明主要元件符號說明】
10-納米發電機;
11-下導電層;??????12-氧化鋅納米線陣列;
13-上導電層;
20-發光芯片;
21-導電層;??????22-發光層;
23-透明導電膜;??24-透明塑料膜;
30-標志層。
具體實施方式
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