[實用新型]薄膜晶體管制備系統以及薄膜晶體管、陣列基板有效
| 申請號: | 201320433465.7 | 申請日: | 2013-07-19 |
| 公開(公告)號: | CN203521409U | 公開(公告)日: | 2014-04-02 |
| 發明(設計)人: | 魏小丹;楊曉峰;張同局;倪水濱 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/02 | 分類號: | H01L27/02;H01L21/77;H01L29/786 |
| 代理公司: | 北京路浩知識產權代理有限公司 11002 | 代理人: | 王瑩 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 薄膜晶體管 制備 系統 以及 陣列 | ||
技術領域
本實用新型涉及顯示技術領域,尤其涉及薄膜晶體管制備系統以及薄膜晶體管、陣列基板。?
背景技術
現有技術中制備薄膜晶體管的步驟包括:通過構圖工藝形成包括有源漏電極圖形,具體為:在設有柵極的薄膜晶體管上涂覆光刻膠后,采用曝光處理形成與源漏電極圖形具有相同圖形的光刻膠,然后采用一次濕刻一次干刻的刻蝕(etch)方法進行刻蝕,形成源漏電極圖形、半導體層圖形、摻雜半導體層圖形和溝道區域,刻蝕方法具體包括:?
使用稀釋的刻蝕液(dillution)對源漏金屬層進行濕刻刻蝕,形成源漏電極圖形和溝道區域;?
對半導體層圖形和摻雜半導體層圖形進行干刻刻蝕,形成與源漏電極圖形具有相同圖形的半導體層圖形和摻雜半導體層圖形。?
然而,上述一次濕刻一次干刻的刻蝕方法會導致半導體層圖形和摻雜半導體層圖形之間出現鉆蝕(undercut)的問題。?
實用新型內容
本實用新型提供一種薄膜晶體管制備系統,用于解決制備薄膜晶體管時,半導體層圖形和摻雜半導體層圖形出現鉆蝕的問題。?
本實用新型還提供一種薄膜晶體管,包括:源漏電極圖形、摻雜半導體層圖形、半導體層圖形、柵極圖形和柵絕緣層圖形;?
所述柵極圖形上設有所述柵絕緣層圖形,所述柵絕緣層圖形上設有所述半導體層圖形,所述半導體層圖形上設有所述摻雜半導體層圖形,所述摻雜半導體層圖形上設有所述源漏電極圖形;?
其中所述源漏電極圖形的第一側面與底面的坡度角小于90°,且?所述源漏電極圖形的第二側面與底面的坡度角小于90°。?
本實用新型還提供一種陣列基板,包括:玻璃基板、鈍化層、像素電極、公共電極,還包括本實用新型所述的薄膜晶體管。?
本實用新型還提供一種薄膜晶體管制備系統,所述系統應用于對待加工件進行加工以制備薄膜晶體管;?
所述系統包括:鍍膜裝置、光刻膠涂覆裝置、濕刻裝置、干刻裝置、灰化裝置、烘箱和機械臂;?
其中,所述鍍膜裝置用于在所述待加工件上依次形成半導體層薄膜、摻雜半導體層薄膜、源漏電極薄膜;?
所述光刻膠涂覆裝置用于在形成有半導體層薄膜、摻雜半導體層薄膜、源漏電極薄膜的所述待加工件上形成第一圖案化的光刻膠層;所述第一圖案化的光刻膠層覆蓋所述薄膜晶體管的源漏電極圖形區域和溝道區域;?
所述濕刻裝置包括第一濕刻單元和第二濕刻單元,?
所述第一濕刻單元,用于進行第一次刻蝕,去掉未被所述第一圖案化的光刻膠層覆蓋的區域上的源漏電極薄膜;?
所述第二濕刻單元,用于進行第三次刻蝕,去掉未被所述灰化處理后的光刻膠層覆蓋的區域上的源漏電極薄膜,所述源漏電極圖形形成;?
所述干刻裝置包括第一干刻單元和第二干刻單元,?
所述第一干刻單元,用于進行第二次刻蝕,去掉未被所述第一圖案化的光刻膠層覆蓋的區域上的摻雜半導體層薄膜和半導體層薄膜,所述半導體層圖形形成;?
所述第二干刻單元,用于進行第四次刻蝕,去掉未被所述灰化處理后的光刻膠層覆蓋的區域上的摻雜半導體層薄膜,所述摻雜半導體層圖形形成;?
所述灰化裝置:用于對所述光刻膠層進行灰化處理,去掉所述溝道區域上的光刻膠層;?
所述烘箱,用于對灰化處理后的光刻膠層進行烘烤;?
所述機械臂,用于將所述待加工件從所述濕刻裝置放置入所述干刻裝置、從所述干刻裝置放置入所述灰化裝置、從所述灰化裝置放置入所述烘箱、以及從所述烘箱放置入所述濕刻裝置。?
本實用新型所述的薄膜晶體管制備系統,采用四次刻蝕的加工方法,能夠在薄膜晶體管制備過程中,解決半導體層圖形和摻雜半導體層圖形出現鉆蝕的問題,為進一步提高薄膜晶體管制備工藝提供了可行的方案。?
附圖說明
為了更清楚地說明本實用新型實施例或現有技術中的技術方案,下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作一簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖是本實用新型的一些實施例,對于本領域普通技術人員來講,在不付出創造性勞動的前提下,還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。?
圖1為本實用新型實施例一的形成源漏電極圖形的流程示意圖;?
圖2為本實用新型實施例一的薄膜晶體管的圖形形成過程的示意圖;?
圖3為本實用新型實施例二的陣列基板制備方法流程圖;?
圖4為本實用新型實施例二的陣列基板的圖形形成過程的示意圖;?
圖5是本實用新型實施例五的薄膜晶體管制備系統的結構示意圖。?
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





