[實用新型]薄膜晶體管制備系統以及薄膜晶體管、陣列基板

有效

• 申請號: 201320433465.7
• 申請日: 2013-07-19
• 公開（公告）號: CN203521409U
• 公開（公告）日: 2014-04-02
• 發明（設計）人: 魏小丹;楊曉峰;張同局;倪水濱
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L21/77;H01L29/786
• 代理公司: 北京路浩知識產權代理有限公司 11002
• 代理人: 王瑩

1.一種薄膜晶體管，包括：源漏電極圖形、摻雜半導體層圖形、半導體層圖形、柵極圖形和柵絕緣層圖形；?

所述柵極圖形上設有所述柵絕緣層圖形，所述柵絕緣層圖形上設有所述半導體層圖形，所述半導體層圖形上設有所述摻雜半導體層圖形，所述摻雜半導體層圖形上設有所述源漏電極圖形；?

其中所述源漏電極圖形的第一側面與底面的坡度角小于90°，且所述源漏電極圖形的第二側面與底面的坡度角小于90°。?

2.一種陣列基板，包括：玻璃基板、鈍化層、像素電極、公共電極，其特征在于，還包括權利要求1所述的薄膜晶體管。?

3.一種薄膜晶體管制備系統，所述系統應用于對待加工件進行加工以制備薄膜晶體管；?

其特征在于，所述系統包括：鍍膜裝置、光刻膠涂覆裝置、濕刻裝置、干刻裝置、灰化裝置、烘箱和機械臂；?

其中，所述鍍膜裝置用于在所述待加工件上依次形成半導體層薄膜、摻雜半導體層薄膜、源漏電極薄膜；?

所述光刻膠涂覆裝置用于在形成有半導體層薄膜、摻雜半導體層薄膜、源漏電極薄膜的所述待加工件上形成第一圖案化的光刻膠層；所述第一圖案化的光刻膠層覆蓋所述薄膜晶體管的源漏電極圖形區域和溝道區域；?

所述濕刻裝置包括第一濕刻單元和第二濕刻單元，?

所述第一濕刻單元，用于進行第一次刻蝕，去掉未被所述第一圖案化的光刻膠層覆蓋的區域上的源漏電極薄膜；?

所述第二濕刻單元，用于進行第三次刻蝕，去掉未被所述灰化處理后的光刻膠層覆蓋的區域上的源漏電極薄膜，所述源漏電極圖形形成；?

所述干刻裝置包括第一干刻單元和第二干刻單元，?

所述第一干刻單元，用于進行第二次刻蝕，去掉未被所述第一圖案化的光刻膠層覆蓋的區域上的摻雜半導體層薄膜和半導體層薄膜，所述半導體層圖形形成；?

所述第二干刻單元，用于進行第四次刻蝕，去掉未被所述灰化處理后的光刻膠層覆蓋的區域上的摻雜半導體層薄膜，所述摻雜半導體層圖形形成；?

所述灰化裝置：用于對所述光刻膠層進行灰化處理，去掉所述溝道區域上的光刻膠層；?

所述烘箱，用于對灰化處理后的光刻膠層進行烘烤；?

所述機械臂，用于將所述待加工件從所述濕刻裝置放置入所述干刻裝置、從所述干刻裝置放置入所述灰化裝置、從所述灰化裝置放置入所述烘箱、以及從所述烘箱放置入所述濕刻裝置。?