[實用新型]電荷流元件、電荷留置電路和集成電路芯片有效
| 申請號： | 201320428471.3 | 申請日： | 2013-07-16 |
| 公開（公告）號： | CN203444766U | 公開（公告）日： | 2014-02-19 |
| 發明（設計）人： | F·瑪里內特;P·福爾納拉 | 申請（專利權）人： | 意法半導體(魯塞)公司 |
| 主分類號： | G11C16/06 | 分類號： | G11C16/06 |
| 代理公司： | 北京市金杜律師事務所 11256 | 代理人： | 王茂華;張寧 |
| 地址： | 法國*** | 國省代碼： | 法國;FR |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 電荷 元件 留置 電路 集成電路 芯片 | ||
1.一種電荷流元件，其特征在于，包括在絕緣支撐物上的第一電極、電介質層和第二電極的堆疊，所述電介質層具有能夠通過隧道效應讓電荷流動的至少一個部分，其中所述電極中的至少一個電極由未摻雜多晶硅制成。?
2.根據權利要求1所述的元件，其特征在于，所述電極之一由重摻雜多晶硅制成。?
3.根據權利要求1所述的元件，其特征在于，兩個電極由未摻雜多晶硅制成。?
4.根據權利要求1所述的元件，其特征在于，所述電介質層包括氧化物-氮化物-氧化物堆疊，所述至少一個部分由氧化硅制成。?
5.根據權利要求1所述的元件，其特征在于，具有在所述兩個電極之間的、范圍在1*10-15與10*10-15法拉之間的電容。?
6.一種電荷留置電路，其特征在于，所述電荷留置電路用于時間測量并且包括連接到根據權利要求1所述的電荷流元件的電容電荷存儲元件。?
7.根據權利要求6所述的電路，其特征在于，所述電容電荷存儲元件具有范圍在10-12與100*10-12法拉之間的電容。?
8.根據權利要求6所述的電路，其特征在于，還包括連接到與所述存儲元件和所述流元件共同的浮置節點的電容初始化元件。?
9.根據權利要求8所述的電路，其特征在于，所述電容初始化元件具有范圍在10*10-15與100*10-15法拉之間的電容。?
10.一種集成電路芯片，其特征在于，所述集成電路芯片在半導體襯底以內和上面形成并且包括非易失性存儲器單元、邏輯塊和根據權利要求6所述的電路，所述邏輯塊包括MOS晶體管。?
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