[實用新型]半導體器件

有效

• 申請號: 201320426298.3
• 申請日: 2013-07-17
• 公開（公告）號: CN203491263U
• 公開（公告）日: 2014-03-19
• 發明（設計）人: 伊藤明
• 申請（專利權）人: 美國博通公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 田喜慶

技術領域

本實用新型大體上涉及金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）。更具體地，涉及一種低閾值電壓分柵高性能橫向擴散的金屬氧化物半導體（LDMOS）。

背景技術

硅半導體工藝具有用于制造集成電路的高級復雜的操作。隨著制造處理技術的不斷進步，集成電路的核心和IO工作電壓已被減小。然而，輔助裝置的工作電壓仍沒有變化。輔助裝置包括用于與集成電路結合的裝置。例如，輔助裝置可為任何與集成電路耦接的裝置，如打印機、掃描儀、磁盤驅動器、磁帶驅動器、麥克風、揚聲器，或是照相機。

集成電路可包括：互相連接的有源和無源元件的陣列，舉例而言，通過連續的一系列兼容處理集成或沉積在襯底上的晶體管、電阻器、電容器、導體。輔助裝置可以在比包含在集成電路中的晶體管的擊穿電壓高的電壓下工作。隨著施加在晶體管上的工作電壓的增加，該晶體管會最終被擊穿而導致無法控制的電流的增加。擊穿電壓是該無法控制的電流的增加發生時的電壓電平。擊穿的示例可包括例如穿通、雪崩擊穿、以及柵氧擊穿。長時間工作在擊穿電壓以上減少晶體管的壽命。

實用新型內容

根據本實用新型的一個實施方式，提供一種半導體器件，包括：源區，被布置于半導體襯底；漏區，被布置于半導體襯底；柵區，被布置到半導體襯底上，并且位于源區和漏區之間；柵氧區，被布置在半導體襯底上并與柵區接觸；以及阱區，被植入到半導體襯底上并位于柵區和柵氧區的下面，其中，柵氧區具有與阱區接觸的下外沿部分。

根據本實用新型實施方式的一個方面，阱區包括第一阱和第二阱，第一阱和第二阱被植入不同材料。

根據本實用新型實施方式的一個方面，柵氧區在第一阱與第二阱之間具有在襯底區之上的低內部部分。

根據本實用新型實施方式的一個方面，源區、漏區、以及柵區被植入n型材料。

根據本實用新型實施方式的一個方面，源區、漏區、以及柵區被植入p型材料。

根據本實用新型實施方式的一個方面，柵氧區包括具有第一厚度的第一部分和具有第二厚度的第二部分，第一厚度基本上大于第二厚度。

根據本實用新型實施方式的一個方面，阱區包括具有第一長度的第一阱，第一阱與第一部分接觸。

根據本實用新型實施方式的一個方面，阱區還包括第二阱，第二阱具有比第一長度更短的第二長度。

根據本實用新型的另一種實施方式，提供一種半導體器件，包括：源區，被布置于半導體襯底；漏區，被布置于半導體襯底；柵區，被布置到半導體襯底上，并且位于源區與漏區之間；柵氧區，被布置到半導體襯底上與柵區接觸；第一阱，被植入到半導體襯底上并與柵氧區接觸，第一阱具有第一高度，以及第二阱，被植入到位于淺槽隔離（STI）區下面的半導體襯底上，第二阱具有第二高度，其中，第一高度比第二高度更大。

根據本實用新型實施方式的一個方面，第二阱基本上在淺槽隔離區以下。

根據本實用新型實施方式的一個方面，第一阱和第二阱之間有襯底區，襯底區在柵氧區和包植入層以下延伸，該包植入層與淺槽隔離區接觸。

根據本實用新型實施方式的一個方面，所述半導體器件還包括：第三阱，與第一阱接觸。

根據本實用新型實施方式的一個方面，襯底具有比第二高度更大的深度。

根據本實用新型實施方式的一個方面，襯底區具有與第一高度基本上相等的深度。

根據本實用新型實施方式的一個方面，第一阱具有第一長度，第二阱具有第二長度，并且其中，第一長度大于第二長度。

根據本實用新型實施方式的一個方面，第三阱具有第三長度，并且其中，第三長度大于第二長度。

根據本實用新型的又一實施方式，提供了一種半導體器件，包括：源區，被布置于半導體襯底；漏區，被布置于半導體襯底；柵區，被布置到半導體襯底上，并且位于源區與漏區之間；柵氧區，被布置在半導體襯底上，與柵區接觸；第一阱，被植入到半導體襯底上并與柵氧區接觸，第一阱具有第一長度；第二阱，被植入到位于第一淺槽隔離（STI）區下面的半導體襯底上，第二阱具有第二長度；以及第三阱，被植入到位于第二淺槽隔離區下面的半導體襯底上，第三阱具有第三長度，其中，襯底區形成于第一阱和第二阱之間。

根據本實用新型實施方式的一個方面，半導體器件還包括位于第一阱、第二阱、和第三阱下面的深阱。

根據本實用新型實施方式的一個方面，第一阱被植入p型材料，第二阱、第三阱以及深阱被植入n型材料。

根據本實用新型實施方式的一個方面，第一阱被植入n型材料，第二阱、第三阱以及深阱被植入p型材料。