[實用新型]半導(dǎo)體器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201320426298.3
• 申請日: 2013-07-17
• 公開（公告）號: CN203491263U
• 公開（公告）日: 2014-03-19
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 伊藤明
• 申請（專利權(quán)）人: 美國博通公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06
• 代理公司: 北京康信知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11240
• 代理人: 田喜慶

1.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，包括：?

源區(qū)，被布置于半導(dǎo)體襯底；?

漏區(qū)，被布置于所述半導(dǎo)體襯底；?

柵區(qū)，被布置到所述半導(dǎo)體襯底上，并且位于所述源區(qū)和所述漏區(qū)之間；?

柵氧區(qū)，被布置在所述半導(dǎo)體襯底上并與所述柵區(qū)接觸；以及?

阱區(qū)，被植入到所述半導(dǎo)體襯底上并位于所述柵區(qū)和所述柵氧區(qū)的下面，?

其中，所述柵氧區(qū)具有與所述阱區(qū)接觸的下外沿部分。?

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述柵氧區(qū)包括具有第一厚度的第一部分和具有第二厚度的第二部分，所述第一厚度基本上大于所述第二厚度。?

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述阱區(qū)包括具有第一長度的第一阱，所述第一阱與所述第一部分接觸。?

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述阱區(qū)還包括第二阱，所述第二阱具有比所述第一長度更短的第二長度。?

5.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，包括：?

源區(qū)，被布置于半導(dǎo)體襯底；?

漏區(qū)，被布置于所述半導(dǎo)體襯底；?

柵區(qū)，被布置到所述半導(dǎo)體襯底上，并且位于所述源區(qū)與所述漏區(qū)之間；?

柵氧區(qū)，被布置到所述半導(dǎo)體襯底上與所述柵區(qū)接觸；?

第一阱，被植入到所述半導(dǎo)體襯底上并與所述柵氧區(qū)接觸，所述第一阱具有第一高度，以及?

第二阱，被植入到位于淺槽隔離區(qū)下面的所述半導(dǎo)體襯底上，所述第二阱具有第二高度，?

其中，所述第一高度比所述第二高度更大。?

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一阱和所述第二阱之間有襯底區(qū)，所述襯底區(qū)在所述柵氧區(qū)和包植入層以下延伸，所述包植入層與所述淺槽隔離區(qū)接觸。?

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件，還包括：第三阱，與所述第一阱接觸。?

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一阱具有第一長度，所述第二阱具有第二長度，并且其中，所述第一長度大于所述第二長度。?

9.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，包括：?

源區(qū)，被布置于半導(dǎo)體襯底；?

漏區(qū)，被布置于所述半導(dǎo)體襯底；?

柵區(qū)，被布置到所述半導(dǎo)體襯底上，并且位于所述源區(qū)與所述漏區(qū)之間；?

柵氧區(qū)，被布置在所述半導(dǎo)體襯底上，與所述柵區(qū)接觸；?

第一阱，被植入到所述半導(dǎo)體襯底上并與所述柵氧區(qū)接觸，所述第一阱具有第一長度；?

第二阱，被植入到位于第一淺槽隔離區(qū)下面的所述半導(dǎo)體襯底上，所述第二阱具有第二長度；以及?

第三阱，被植入到位于第二淺槽隔離區(qū)下面的所述半導(dǎo)體襯底上，所述第三阱具有第三長度，?

其中，襯底區(qū)形成于所述第一阱和所述第二阱之間。?

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件，還包括位于所述第一阱、所述第二阱、和所述第三阱下面的深阱。?