[實(shí)用新型]一種硅片生產(chǎn)中用于取片的機(jī)械手有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201320423788.8 | 申請(qǐng)日: | 2013-07-16 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN203398091U | 公開(kāi)(公告)日: | 2014-01-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 高奎;李建朋;鄭志勇;石亞芬;張繼偉 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 天津英利新能源有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/677 | 分類號(hào): | H01L21/677;H01L21/687;H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人: | 魏曉波 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 硅片 生產(chǎn) 用于 機(jī)械手 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及光伏技術(shù)領(lǐng)域,特別是涉及一種硅片生產(chǎn)中用于取片的機(jī)械手。?
背景技術(shù)
在太陽(yáng)能電池片的制作過(guò)程中要經(jīng)過(guò)制絨、擴(kuò)散、濕法刻蝕、等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積和印刷燒結(jié)等重要工序,?
其中,等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積工序的工藝目的是在硅片表面沉積一層能夠起到減弱反射和鈍化作用的氮化硅膜。此過(guò)程通常將硅片放到石墨舟中,在400多攝氏度的高溫下進(jìn)行,此工藝剛剛完成后硅片呈彎曲狀,硅片冷卻后,用帶吸盤(pán)的機(jī)械手進(jìn)行取片。?
如果硅片未冷卻至室溫前,用機(jī)械手進(jìn)行取片,很容易造成硅片破碎,機(jī)械手的吸盤(pán)也很容易在硅片的氮化硅膜上留下印記,造成硅片的表面不合格。如果硅片的溫度較高,對(duì)機(jī)械手自身也有較大的損害,減少設(shè)備的壽命。?
目前,在此工序中,取片過(guò)程全靠經(jīng)驗(yàn)來(lái)掌握溫度,實(shí)際操作中很難準(zhǔn)確的把握溫度,硅片的碎片率和不合格率均很高。?
因此,如何在機(jī)械手取片過(guò)程中,既能夠降低硅片的碎片率,又能夠提高硅片表面的合格率,是本領(lǐng)域技術(shù)人員目前急需解決的技術(shù)問(wèn)題。?
實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型的目的是提供一種硅片生產(chǎn)中用于取片的機(jī)械手,該機(jī)械手在取片過(guò)程中,既能夠降低硅片的碎片率,又能夠提高硅片表面的合格率。?
為了實(shí)現(xiàn)上述技術(shù)目的,本實(shí)用新型提供了一種硅片生產(chǎn)中用于取片的機(jī)械手,包括機(jī)械臂、吸盤(pán)及二者的控制器,所述機(jī)械臂端部?設(shè)置所述吸盤(pán),所述控制器能夠改變所述機(jī)械臂的位置并控制所述吸盤(pán)工作,還包括溫度傳感器,所述溫度傳感器設(shè)置在所述機(jī)械手上,并將檢測(cè)的溫度信號(hào)傳遞給所述控制器。?
優(yōu)選地,所述溫度傳感器設(shè)置在所述吸盤(pán)上。?
優(yōu)選地,所述控制器為可編程序控制器,所述控制器根據(jù)預(yù)定溫度和實(shí)際溫度控制所述吸盤(pán)。?
優(yōu)選地,還包括信號(hào)燈,所述控制器根據(jù)預(yù)定溫度和實(shí)際溫度控制所述信號(hào)燈。?
本實(shí)用新型提供的硅片生產(chǎn)中用于取片的機(jī)械手,包括機(jī)械臂、吸盤(pán)及二者的控制器,所述機(jī)械臂端部設(shè)置所述吸盤(pán),控制器能夠改變機(jī)械臂的位置并控制吸盤(pán)工作,還包括溫度傳感器,溫度傳感器設(shè)置在機(jī)械手上,并將檢測(cè)的溫度信號(hào)傳遞給控制器。?
硅片經(jīng)過(guò)高溫工藝?yán)鋮s一段時(shí)間后,使用該機(jī)械手進(jìn)行取片。取片時(shí),吸盤(pán)首先接觸硅片,硅片的溫度能夠通過(guò)吸盤(pán)傳遞給機(jī)械手,溫度傳感器能夠檢測(cè)到硅片的溫度,并將其傳遞給控制器;控制器根據(jù)硅片的溫度判斷適不適合進(jìn)行取片,如果適合,則控制吸盤(pán)取片;如果不適合,則移動(dòng)機(jī)械臂到其他硅片并進(jìn)行同樣的判斷。經(jīng)過(guò)判斷,機(jī)械手進(jìn)行取片操作的硅片,其溫度均適宜取片,取片過(guò)程不容易造成碎片,并且吸盤(pán)也不會(huì)在硅片的氮化硅膜上留下印記。與現(xiàn)有技術(shù)相比,該機(jī)械手在取片過(guò)程中,既能夠降低硅片的碎片率,又能夠提高硅片表面的合格率。?
具體的,溫度傳感器可以設(shè)置在機(jī)械臂上,也可以設(shè)置在吸盤(pán)上。設(shè)置在吸盤(pán)上時(shí),直接檢測(cè)到吸盤(pán)表面接觸的硅片的溫度,并傳遞給控制器??梢栽诳刂破鲀?nèi)設(shè)定預(yù)定溫度,然后,控制器可根據(jù)預(yù)定溫度和實(shí)際溫度來(lái)判斷硅片的溫度是否適合取片,然后控制吸盤(pán)工作。?
優(yōu)選的,該機(jī)械手還包括信號(hào)燈,當(dāng)溫度傳感器檢測(cè)到的實(shí)際溫度高于控制器內(nèi)設(shè)定的預(yù)定溫度時(shí),控制器控制信號(hào)燈提示溫度超出范圍,并將機(jī)械手轉(zhuǎn)移到其他硅片。?
附圖說(shuō)明
圖1為本實(shí)用新型所提供的硅片生產(chǎn)中用于取片的機(jī)械手一種具體實(shí)施方式的示意圖。?
其中,圖1中的附圖標(biāo)記如下:?
機(jī)械臂1;吸盤(pán)11;控制器2;溫度傳感器3。?
具體實(shí)施方式
本實(shí)用新型的核心是提供一種硅片生產(chǎn)中用于取片的機(jī)械手,該機(jī)械手在取片過(guò)程中,既能夠降低硅片的碎片率,又能夠提高硅片表面的合格率。?
為了使本技術(shù)領(lǐng)域的人員更好地理解本實(shí)用新型方案,下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步的詳細(xì)說(shuō)明。?
請(qǐng)參考圖1,圖1為本實(shí)用新型所提供的硅片生產(chǎn)中用于取片的機(jī)械手一種具體實(shí)施方式的示意圖。?
在一種具體的實(shí)施方式中,本實(shí)用新型提供了一種硅片生產(chǎn)中用于取片的機(jī)械手,包括機(jī)械臂1、吸盤(pán)11及二者的控制器2,機(jī)械臂1的端部設(shè)置吸盤(pán)11,控制器2能夠改變機(jī)械臂1的位置并控制吸盤(pán)11工作;還包括溫度傳感器3,溫度傳感器3設(shè)置在機(jī)械手上,并將檢測(cè)的溫度信號(hào)傳遞給控制器2。?
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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