[實用新型]四層結構片式氧傳感器

有效

• 申請號: 201320423286.5
• 申請日: 2013-07-17
• 公開（公告）號: CN203376282U
• 公開（公告）日: 2014-01-01
• 發明（設計）人: 田慎重;許金鑫;徐鵬;王一平;王春華
• 申請（專利權）人: 蘇州衡業新材料科技有限公司
• 主分類號: G01N27/00
• 分類號: G01N27/00
• 代理公司: 南京正聯知識產權代理有限公司 32243
• 代理人: 郭俊玲

1.一種四層結構片式氧傳感器，包括自上向下依次設置的敏感元件層(1)、空氣通道層(2)和加熱層(3)，所述加熱層(3)由加熱基片層(4)、以及設于加熱基片層(4)上方的加熱電極絕緣層(5)組成，其特征在于：所述加熱電極絕緣層(5)和空氣通道層(2)之間還設有一氧化鋯基片層(6)，所述氧化鋯基片層(6)包括氧化鋯基片(61)，所述氧化鋯基片(61)的下表面設有一絕緣印刷層一(62)。

2.根據權利要求1所述的一種四層結構片式氧傳感器，其特征在于：所述敏感元件層(1)由敏感元件層本體(11)、外電極(12)和內電極(13)組成，所述外電極(12)設于敏感元件層本體(1)的上表面，所述內電極(13)設于敏感元件層本體(1)的下表面，且連接內電極(13)的引腳一(14)設于敏感元件層本體(1)的上表面，所述引腳一(14)上設有內電極通孔(15)。

3.根據權利要求1所述的一種四層結構片式氧傳感器，其特征在于：所述空氣通道層(2)包括空氣通道層本體(21)，且所述空氣通道層本體(21)內設有空腔室(22)。

4.根據權利要求1所述的一種四層結構片式氧傳感器，其特征在于：所述加熱電極絕緣層(5)包括加熱電極(51)，所述加熱電極(51)的下方設有絕緣印刷層二(52)，所述加熱電極設于絕緣印刷層一(62)和絕緣印刷層二(52)之間，所述加熱基片層(4)包括加熱基片層本體(41)，連接加熱電極(51)的引腳二(43)設于加熱基片層本體(41)的下表面，且引腳二(43)上設有加熱電極通孔(44)。

5.根據權利要求2或4所述的一種四層結構片式氧傳感器，其特征在于：所述敏感元件層本體(11)上表面位于引腳一(14)周圍印設有多孔保護層(16)，所述加熱基片層本體(41)下表面位于引腳二(43)周圍印設有絕緣層(45)。

6.根據權利要求1、2或4所述的一種四層結構片式氧傳感器，其特征在于：所述敏感元件層本體(11)、空氣通道層本體(21)、加熱基片層本體(41)和氧化鋯基片(61)均采用氧化鋯材料流延制得，且四者的長度和寬度相同，其長度為70-80mm，寬度為6-7mm，所述空氣通道本體(21)和氧化鋯基片(61)厚度一樣，為0.3-0.4mm；所述敏感層本體(11)及加熱基片層本體(41)厚度均為0.6-0.8mm。

7.根據權利要求3所述的一種四層結構片式氧傳感器，其特征在于：所述空腔室(22)的橫截面為大小不同的矩形一(23)和矩形二(24)組成，所述矩形一(23)的長為8-12mm，寬為1.1-1.5mm；所述矩形二(24)的長為60-70mm，寬為0.6-1.0mm。