[實用新型]絕緣柵半導體裝置結構

有效

• 申請號: 201320419561.6
• 申請日: 2013-07-16
• 公開（公告）號: CN203325907U
• 公開（公告）日: 2013-12-04
• 發明（設計）人: Z·豪森
• 申請（專利權）人: 半導體元件工業有限責任公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/78;H01L29/36
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 陳華成

1.一種絕緣柵半導體裝置結構，其特征在于，所述絕緣柵半導體裝置結構包括：

半導體材料的區域，其包括第一導電類型的半導體層并且具有主要表面；

第二導電類型的體區，其形成在從所述主要表面延伸的所述半導體層中；以及

溝槽結構，其形成在從鄰近所述體區的所述主要表面延伸的所述半導體層中，并且其中所述溝槽結構包括：

絕緣柵極；以及

具有第一部分和第二部分的屏蔽電極，其中所述第一部分比所述第二部分寬，并且其中所述第一部分在所述柵極與所述第二部分之間，并且其中第一介電層使所述第一部分至少部分地與所述半導體層分離，并且其中比所述第一介電層厚的第二介電層使所述第二部分與所述半導體層分離。

2.如權利要求1所述的絕緣柵半導體裝置結構，其特征在于，所述絕緣柵極包括通過第三介電層與所述半導體層分離的柵極，并且其中所述第三介電層比所述第一介電層薄。

3.如權利要求1所述的絕緣柵半導體裝置結構，其特征在于，所述半導體層具有接近所述第一部分的第一摻雜濃度和接近所述第二部分的第二摻雜濃度，并且其中所述第一摻雜濃度大于所述第二摻雜濃度。

4.如權利要求1所述的絕緣柵半導體裝置結構，其特征在于，所述絕緣柵半導體裝置結構進一步包括以與所述體區間隔的關系形成的源極區，并且其中所述絕緣柵極包括具有接近所述體區的寬闊部分和接近所述源極區的狹窄部分的柵極。

5.如權利要求1所述的絕緣柵半導體裝置結構，其特征在于，所述絕緣柵半導體裝置結構進一步包括形成在所述第一介電層與所述第一部分之間的介電襯墊。

6.如權利要求5所述的絕緣柵半導體裝置結構，其特征在于，所述介電襯墊包括氮化物，并且其中所述第一介電層包括氧化物。

7.如權利要求1所述的絕緣柵半導體裝置結構，其特征在于，所述絕緣柵極包括具有接近所述體區的寬闊部分和在所述寬闊部分與所述屏蔽電極之間的鰭部分的柵極。

8.如權利要求1所述的絕緣柵半導體裝置結構，其特征在于，所述體區和所述半導體層形成結，并且其中接近所述結形成所述第一部分。