[實用新型]磁控陰極濺射鍍膜工藝室

有效

• 申請號: 201320412833.X
• 申請日: 2013-07-11
• 公開（公告）號: CN203411603U
• 公開（公告）日: 2014-01-29
• 發明（設計）人: 陸仁立
• 申請（專利權）人: 重慶春江鍍膜玻璃有限公司
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35
• 代理公司: 北京匯澤知識產權代理有限公司 11228
• 代理人: 張瑾

技術領域

本實用新型涉及玻璃鍍膜生產技術領域，特別涉及一種玻璃濺射鍍膜工藝室。

背景技術

磁控陰極濺射鍍膜是在二極濺射中增加一個平行于靶表面的封閉磁場，借助于靶表面上形成的正交電磁場，把二次電子束縛在靶表面特定區域來增強電離效率，增加離子密度和能量，從而實現高速率濺射的過程，為了提高氣體的離化率，需要更低的氣壓，而傳統的玻璃濺射鍍膜工藝室內真空度難以達到要求，容易造成鍍膜質量不佳。

實用新型內容

有鑒于此，本實用新型提供一種磁控陰極濺射鍍膜工藝室，可達到更高的真空度，提高鍍膜質量。

本實用新型通過以下技術手段解決上述技術問題：

磁控陰極濺射鍍膜工藝室，包括依次連通的入口氣鎖室、入口真空緩沖腔室、磁控陰極濺射鍍膜真空腔室、出口真空緩沖腔室和出口氣鎖室，所述入口真空緩沖腔室包括至少4個緩沖單元腔室，磁控陰極濺射鍍膜真空腔室包括至少16個濺射單元腔室，所述出口真空緩沖腔室包括至少4個緩沖單元腔室。

進一步，磁控陰極濺射鍍膜真空腔室包括至少32個濺射單元腔室。

進一步，每個入口氣鎖室或出口氣鎖室設置有至少1個旋片真空泵和1個羅茨真空泵。

進一步，每個緩沖單元腔室設置有至少1個旋片真空泵、1個羅茨真空泵和2個分子真空泵。

進一步，每個濺射單元腔室至少設置有1個旋片真空泵、1個羅茨真空泵和1個分子真空泵。

進一步，所述磁控陰極濺射鍍膜真空腔室中設置有至少4個平面陰極，6個旋轉陰極和6個備用陰極位。

本實用新型的有益效果：本實用新型的磁控陰極濺射鍍膜工藝室，在磁控陰極濺射鍍膜真空腔室兩端設置真空緩沖室和鎖定室，可有效降低玻璃基片進出磁控陰極濺射鍍膜真空腔室造成的氣體泄漏，提高磁控陰極濺射鍍膜真空腔室的真空度，并使其維持在穩定的水平，從而提高鍍膜質量；真空緩沖室和磁控陰極濺射鍍膜真空腔室均采用單元化設計，可以使離子氛圍更為均勻。

附圖說明

下面結合附圖和實施例對本實用新型作進一步描述。

圖1為本實用新型磁控陰極濺射鍍膜工藝室的結構示意圖。

具體實施方式

以下將結合附圖對本實用新型進行詳細說明。

如圖1所示，本實施例的磁控陰極濺射鍍膜工藝室，包括依次連通的入口氣鎖室、入口真空緩沖腔室、磁控陰極濺射鍍膜真空腔室、出口真空緩沖腔室和出口氣鎖室，所述入口真空緩沖腔室、出口真空緩沖腔室和磁控陰極濺射鍍膜真空腔室都采用單元化設計，所述入口真空緩沖腔室包括4個緩沖單元腔室，磁控陰極濺射鍍膜真空腔室包括32個濺射單元腔室，所述出口真空緩沖腔室包括4個緩沖單元腔室。

每個入口氣鎖室或出口氣鎖室設置有1個旋片真空泵和1個羅茨真空泵。每個緩沖單元腔室設置有1個旋片真空泵、1個羅茨真空泵和2個分子真空泵。每個濺射單元腔室至少設置有1個旋片真空泵、1個羅茨真空泵和1個分子真空泵。所述磁控陰極濺射鍍膜真空腔室中設置有至少4個平面陰極，6個旋轉陰極和6個備用陰極位。

最后說明的是，以上實施例僅用以說明本實用新型的技術方案而非限制，盡管參照較佳實施例對本實用新型進行了詳細說明，本領域的普通技術人員應當理解，可以對本實用新型的技術方案進行修改或者等同替換，而不脫離本實用新型技術方案的宗旨和范圍，其均應涵蓋在本實用新型的權利要求范圍當中。