[實(shí)用新型]磁控陰極濺射鍍膜工藝室有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201320412833.X | 申請(qǐng)日： | 2013-07-11 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN203411603U | 公開（公告）日： | 2014-01-29 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 陸仁立 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 重慶春江鍍膜玻璃有限公司 |
| 主分類號(hào)： | C23C14/35 | 分類號(hào)： | C23C14/35 |
| 代理公司： | 北京匯澤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11228 | 代理人： | 張瑾 |
| 地址： | 401520 重慶*** | 國(guó)省代碼： | 重慶;85 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 陰極 濺射 鍍膜 工藝 | ||
1.磁控陰極濺射鍍膜工藝室，其特征在于：包括依次連通的入口氣鎖室、入口真空緩沖腔室、磁控陰極濺射鍍膜真空腔室、出口真空緩沖腔室和出口氣鎖室，所述入口真空緩沖腔室包括至少4個(gè)緩沖單元腔室，磁控陰極濺射鍍膜真空腔室包括至少16個(gè)濺射單元腔室，所述出口真空緩沖腔室包括至少4個(gè)緩沖單元腔室。
2.如權(quán)利要求1所述的磁控陰極濺射鍍膜工藝室，其特征在于：磁控陰極濺射鍍膜真空腔室包括至少32個(gè)濺射單元腔室。
3.如權(quán)利要求1或2所述的磁控陰極濺射鍍膜工藝室，其特征在于：每個(gè)入口氣鎖室或出口氣鎖室設(shè)置有至少1個(gè)旋片真空泵和1個(gè)羅茨真空泵。
4.如權(quán)利要求3所述的磁控陰極濺射鍍膜工藝室，其特征在于：每個(gè)緩沖單元腔室設(shè)置有至少1個(gè)旋片真空泵、1個(gè)羅茨真空泵和2個(gè)分子真空泵。
5.如權(quán)利要求4所述的磁控陰極濺射鍍膜工藝室，其特征在于：每個(gè)濺射單元腔室至少設(shè)置有1個(gè)旋片真空泵、1個(gè)羅茨真空泵和1個(gè)分子真空泵。
6.如權(quán)利要求1所述的磁控陰極濺射鍍膜工藝室，其特征在于：所述磁控陰極濺射鍍膜真空腔室中設(shè)置有至少4個(gè)平面陰極，6個(gè)旋轉(zhuǎn)陰極和6個(gè)備用陰極位。
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C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆；用金屬材料對(duì)材料的鍍覆；表面擴(kuò)散法，化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過(guò)覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆，例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理
