[實用新型]一種陣列基板和顯示裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201320400476.5
• 申請日: 2013-07-05
• 公開（公告）號: CN203365871U
• 公開（公告）日: 2013-12-25
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 徐向陽;杜雷;王盛
• 申請（專利權(quán)）人: 合肥京東方光電科技有限公司;京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: G02F1/1368
• 分類號: G02F1/1368
• 代理公司: 北京同達信恒知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11291
• 代理人: 黃志華

技術(shù)領(lǐng)域

本實用新型涉及平板顯示器制造領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板和顯示裝置。

背景技術(shù)

平板顯示器已取代笨重的CRT顯示器日益深入人們的日常生活中。目前，常用的平板顯示器包括液晶顯示器(Liquid?Crystal?Display，LCD)和有機發(fā)光二極管(Organic?Light-Emitting?Diode，OLED)顯示器。上述平板顯示器具有體積小、功耗低、無輻射等特點，在當前的平板顯示器市場中占據(jù)了主導地位。

陣列基板是顯示器的重要組成部分，其中薄膜場效應(yīng)晶體管（Thin?Film?Transistor，TFT）陣列基板是目前廣泛應(yīng)用的一種類型的陣列基板。對于TFT陣列基板而言，TFT開關(guān)通常由柵電極、源漏電極以及與源漏電極電連接的有源層組成，有源層之上設(shè)置有阻擋層。在形成源漏電極時，阻擋層用于保護有源層不被破壞，從而提高TFT開關(guān)的性能。而數(shù)據(jù)線通常與源漏電極設(shè)置于同一金屬層，柵線與柵電極設(shè)置于同一金屬層，參考圖1所示的數(shù)據(jù)線與柵線交疊處的剖面示意圖，包括數(shù)據(jù)線1、柵線2、柵絕緣層3和阻擋層4。其中，柵極絕緣層3和阻擋層4通常采用SiOx或SiOx/SiNx，其致密性較差，因此，柵絕緣層3或阻擋層4與相鄰的金屬層之間的接觸面會存在氣泡狀間隙（例如圖1所示的數(shù)據(jù)線1與阻擋層4之間），在刻蝕數(shù)據(jù)線時，由于阻擋層與形成數(shù)據(jù)線的金屬之間的接觸面存在氣泡狀間隙，因此刻蝕液會沿著這些氣泡狀間隙滲入到阻擋層與數(shù)據(jù)線的接觸面，使數(shù)據(jù)線被腐蝕，造成數(shù)據(jù)線斷裂，該不良現(xiàn)象在爬坡處尤為嚴重，該爬坡處可以理解為柵絕緣層或阻擋層上高度變化的位置，通常與柵電極或柵線的位置對應(yīng)（例如圖1所示的數(shù)據(jù)線1與柵線2交疊處的爬坡處5，高度由低到高變化，形成爬坡）。

實用新型內(nèi)容

本實用新型的目的是提供一種陣列基板、顯示裝置及陣列基板的制作方法，解決現(xiàn)有技術(shù)中阻擋層與形成數(shù)據(jù)線的金屬之間的接觸面存在氣泡狀間隙，進行數(shù)據(jù)線刻蝕時，容易出現(xiàn)數(shù)據(jù)線斷裂的問題。

本實用新型的目的是通過以下技術(shù)方案實現(xiàn)的：

本實用新型實施例提供一種陣列基板，包括一基板和形成在基板上的薄膜場效應(yīng)晶體管（Thin?Film?Transistor，TFT）和數(shù)據(jù)線，所述薄膜場效應(yīng)晶體管包括柵電極、有源層、源電極和漏電極，所述柵電極和所述有源層之間形成有柵絕緣層，所述陣列基板包括：

保護層，形成于所述柵絕緣層與所述數(shù)據(jù)線之間，且與所述數(shù)據(jù)線直接接觸；所述保護層與所述有源層同層設(shè)置且材料相同。

優(yōu)選的，所述保護層為ZnO、InZnO、ZnSnO、GaInZnO或ZrInZnO。

優(yōu)選的，所述保護層的厚度為

優(yōu)選的，所述薄膜場效應(yīng)晶體管為底柵型薄膜場效應(yīng)晶體管。

優(yōu)選的，包括阻擋層，形成于所述有源層之上以及所述保護層之外的柵絕緣層之上。

優(yōu)選的，包括像素電極、公共電極和形成于所述像素電極和所述公共電極之間的鈍化層，所述像素電極形成于所述阻擋層之上，且所述像素電極與所述漏電極電連接。

優(yōu)選的，包括阻擋層，所述阻擋層僅形成于所述有源層之上。

優(yōu)選的，包括像素電極、公共電極和形成于所述像素電極和所述公共電極之間的鈍化層，所述像素電極形成于所述柵絕緣層之上。

優(yōu)選的，包括與所述柵電極同層設(shè)置且同步形成的柵線，所述柵線的位置與所述保護層的位置對應(yīng)。

本實用新型實施例提供一種顯示裝置，包括如上述的陣列基板。

本實施例有益效果如下：數(shù)據(jù)線與柵絕緣層之間設(shè)置有保護層，保護層直接與數(shù)據(jù)線接觸，由于保護層采用與有源層相同的半導體材料制作，因此其致密度高于柵絕緣層，保護層與數(shù)據(jù)線之間不存在間隙氣泡且具有較強的抗腐蝕能力，當進行數(shù)據(jù)線刻蝕時，對數(shù)據(jù)線進行保護，避免數(shù)據(jù)線被腐蝕而出現(xiàn)斷裂；同時金屬保護層的材料為ZnO、InZnO、ZnSnO、GaInZnO或ZrInZnO，其柔軟性優(yōu)于金屬材料，在爬坡處不宜斷裂，也有助于減少數(shù)據(jù)線出現(xiàn)斷裂。

附圖說明

圖1為現(xiàn)有技術(shù)的陣列基板中數(shù)據(jù)線與柵線交疊處的剖面示意圖；

圖2為本實用新型實施例所述陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本實用新型實施例所述另一陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為本實用新型實施例所述陣列基板的制作方法的流程圖。

附圖標記：