[實用新型]一種陣列基板和顯示裝置有效
| 申請號： | 201320400476.5 | 申請日： | 2013-07-05 |
| 公開（公告）號： | CN203365871U | 公開（公告）日： | 2013-12-25 |
| 發明（設計）人： | 徐向陽;杜雷;王盛 | 申請（專利權）人： | 合肥京東方光電科技有限公司;京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號： | G02F1/1368 | 分類號： | G02F1/1368 |
| 代理公司： | 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291 | 代理人： | 黃志華 |
| 地址： | 230011 安*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 陣列 顯示裝置 | ||
1.一種陣列基板，包括一基板和形成在基板上的薄膜場效應晶體管和數據線，所述薄膜場效應晶體管包括柵電極、有源層、源電極和漏電極，所述柵電極和所述有源層之間形成有柵絕緣層，其特征在于，所述陣列基板包括：?
保護層，形成于所述柵絕緣層與所述數據線之間，且與所述數據線直接接觸；所述保護層與所述有源層同層設置且材料相同。?
2.如權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述保護層為ZnO、InZnO、ZnSnO、GaInZnO或ZrInZnO。?
3.如權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述保護層的厚度為
4.如權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述薄膜場效應晶體管為底柵型薄膜場效應晶體管。?
5.如權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，還包括阻擋層，形成于所述有源層之上以及所述保護層之外的柵絕緣層之上。?
6.如權利要求5所述的陣列基板，其特征在于，還包括像素電極、公共電極和形成于所述像素電極和所述公共電極之間的鈍化層，所述像素電極形成于所述阻擋層之上，且所述像素電極與所述漏電極電連接。?
7.如權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，還包括阻擋層，所述阻擋層僅形成于所述有源層上。?
8.如權利要求7所述的陣列基板，其特征在于，還包括像素電極、公共電極和形成于所述像素電極和所述公共電極之間的鈍化層，所述像素電極形成于所述柵絕緣層之上。?
9.如權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，還包括與所述柵電極同層設置且同步形成的柵線，所述柵線的位置與所述保護層的位置對應。?
10.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權利要求1至9任一項所述的陣列基板。?
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