[實用新型]同心圓光刻板有效
| 申請號: | 201320398333.5 | 申請日: | 2013-07-04 |
| 公開(公告)號: | CN203324646U | 公開(公告)日: | 2013-12-04 |
| 發明(設計)人: | 喻慧丹;裘立強;王毅 | 申請(專利權)人: | 揚州杰利半導體有限公司 |
| 主分類號: | G03F1/40 | 分類號: | G03F1/40 |
| 代理公司: | 南京縱橫知識產權代理有限公司 32224 | 代理人: | 周全 |
| 地址: | 225008 江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 同心 圓光 刻板 | ||
技術領域
本實用新型涉及對二極管光刻板的改進。
背景技術
隨著半導體行業的迅速發展,擁有良好性能及品質的二極管生產工藝是企業發展的基礎,是增強企業形象和企業競爭力不可或缺的技術力量。
目前在Photo?Glass玻璃鈍化保護PN結的晶片生產工藝中,使用的光刻板圓倒角設計大都是相同尺寸,然而各圓倒角的圓心不在同一位置。其造成的問題有:一、使用傳統光刻板刻出的圖形,在蝕刻后晶粒四角比較尖銳,容易形成電場集中,造成器件失效;二、由于蝕刻后的晶粒四角比較尖銳,三次黃光工藝中光阻劑對其的保護能力比較弱,容易穿透光阻劑,尖角端的玻璃沒有被光刻膠保護起來,鍍金后尖角端玻璃被腐蝕,影響晶片外觀和對產品品質造成隱患。
實用新型內容
本實用新型針對以上問題,提供了一種結構簡單,提高產品品質和性能的同心圓光刻板。
本實用新型的技術方案是:包括片狀本體,所述本體表面設有涂層,所述涂層包括若干晶粒圖形,所述晶粒圖形包括第一矩形和第二矩形,所述第二矩形設在所述第一矩形內、且與所述第一矩形的中心一致;
所述第一矩形具有四個第一圓倒角,所述第二矩形具有四個第二圓倒角;
????所述第一圓倒角和第二圓倒角的圓心一致。
所述本體為玻璃材質。
本實用新型使用同心圓光刻板調整晶粒四角形狀,降低了晶粒四角的尖銳程度,改善了產品的品質能力和外觀良率。
附圖說明
圖1是本實用新型的結構示意圖,
圖2是本實用新型中晶粒圖形的第一次黃光工藝,
圖3是本實用新型中晶粒圖形的第二次黃光工藝,
圖4是本實用新型中晶粒圖形的第三次黃光工藝,
圖5是本實用新型第二次黃光工藝中晶粒圖形的結構示意圖;
圖中1是本體,2是涂層,20是晶粒圖形,3是第一圓倒角,4是第二圓倒角。
具體實施方式
本實用新型如圖1-5所示,包括片狀本體1,所述本體1表面設有涂層2,所述涂層2包括若干晶粒圖形20,所述晶粒圖形20包括第一矩形和第二矩形,所述第二矩形設在所述第一矩形內、且與所述第一矩形的中心一致;
所述第一矩形具有四個第一圓倒角3,所述第二矩形具有四個第二圓倒角4;
????所述第一圓倒角3和第二圓倒角4的圓心一致。
所述本體1為玻璃材質。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準或測試的特殊涂層或標記;其制備





