[實用新型]一種化學機械拋光修整器

有效

• 申請號: 201320385493.6
• 申請日: 2013-07-01
• 公開（公告）號: CN203509931U
• 公開（公告）日: 2014-04-02
• 發明（設計）人: 唐強
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: B24B53/017
• 分類號: B24B53/017
• 代理公司: 上海光華專利事務所 31219
• 代理人: 李儀萍

技術領域

本實用新型涉及半導體制造領域，特別是涉及一種化學機械拋光修整器。

背景技術

在半導體工藝流程中，化學機械拋光（Chemical?Mechanical?Polishing，CMP）是非常重要的一道工序，有時也稱之為化學機械平坦化（Chemical?Mechanical?Planarization，CMP）。所謂化學機械拋光，它是采用化學與機械綜合作用從半導體硅片上去除多余材料，并使其獲得平坦表面的工藝過程。具體來說，這種拋光方法通常是將芯片壓于一高速旋轉的拋光墊上，并在包含有化學拋光劑和研磨顆粒的拋光漿料的作用下通過拋光墊與晶片的相互摩擦達到平坦化的目的。由此看來，拋光墊表面性能的好壞直接會影響拋光的質量。在化學機械拋光過程中，被拋光下來的碎屑以及拋光墊表面的拋光漿料會慢慢地填入拋光墊中，時間一長，拋光墊表面將發硬發亮，形成釉面，變得打滑，無法再進行拋光。因而，對拋光墊表面的保養是拋光工藝中必不可少的步驟，否則會影響晶片拋光的質量。

如圖1所示是現有的化學機械拋光墊修整器，用于對拋光墊表面進行修磨調整，該修整器包括一旋轉圓盤1A，在其表面固定有尺寸均一的超硬磨料顆粒2A---金剛石，用此帶有金剛石顆粒的圓盤1A來對拋光墊表面進行機械式摩擦梳理，使拋光墊上的碎屑去除，從而使拋光墊恢復良好的拋光性能。但是現有化學機械拋光墊修整器上的磨料顆粒尺寸均一，一方面，尺寸均一的磨料顆粒不能有效地去除拋光墊上的污垢；另外，修整過程中金剛石由于摩擦會受到很大的作用力，很容易從圓盤1A上斷裂或者脫落至拋光墊上，這樣不僅縮短了修整器的壽命，還將會造成晶片的刮傷，減少晶片的產率，增大成本支出。

因此，提供一種改進型化學機械拋光修整器是本領域技術人員需要解決的課題。

實用新型內容

鑒于以上所述現有技術的缺點，本實用新型的目的在于提供一種化學機械拋光修整器，用于解決現有技術中化學機械拋光修整器上金剛石顆粒易于脫落或斷裂、拋光墊上污垢去除率低等的問題。

為實現上述目的及其他相關目的，本實用新型提供一種化學機械拋光修整器，所述修整器至少包括：

圓盤，中央設有一通孔；

磨料顆粒，設于所述圓盤上。

優選地，所述磨料顆粒包括大磨料顆粒和小磨料顆粒。

優選地，所述大磨料顆粒設于圓盤的內圈表面上，所述小磨料顆粒設于圓盤的外圈表面上。

優選地，所述小磨料顆粒的尺寸范圍為5～7μm，所述大磨料顆粒的尺寸范圍為7～9μm。

優選地，所述圓盤上設置有用于容置所述磨料顆粒且具有預定圖形的柵格。

優選地，所述預定圖形為圓形。

優選地，所述圓盤表面還設有自圓盤內邊緣延伸至圓盤外邊緣的至少兩條均勻分布的隔離帶。

優選地，所述磨料顆粒為金剛石顆粒。

優選地，所述圓盤材料為不銹鋼。

優選地，所述修整器還包括與所述圓盤相連接且用于提供所述圓盤運動作用力的動力臂。

如上所述，本實用新型的化學機械拋光修整器，具有以下有益效果：通過對圓盤上的磨料顆粒進行重新排列，使大磨料顆粒設于圓盤的內圈表面上，小磨料顆粒設于圓盤的外圈表面上，優化了圓盤硬件結構，使磨料顆粒在拋光過程中不易脫落或斷裂，延長修整器的壽命，增強污垢的去除率，并且避免晶片刮傷，增大晶片產率。該化學機械拋光修整器結構簡單，操作方便，適用于工業化生產。

附圖說明

圖1為現有技術中的化學機械拋光修整器示意圖。

圖2為本實用新型的化學機械拋光修整器示意圖。

圖3為本實用新型的具有凹槽的拋光墊。

元件標號說明

1,1A????????????圓盤

2,2A????????????磨料顆粒

21??????????????小磨料顆粒

22??????????????大磨料顆粒

3???????????????通孔

4???????????????隔離帶

5???????????????拋光墊

6???????????????拋光液污垢

具體實施方式

以下由特定的具體實施例說明本實用新型的實施方式，熟悉此技術的人士可由本說明書所揭露的內容輕易地了解本實用新型的其他優點及功效。