[實用新型]一種干刻設備的下部電極和干刻設備有效
| 申請號: | 201320382166.5 | 申請日: | 2013-06-28 |
| 公開(公告)號: | CN203300611U | 公開(公告)日: | 2013-11-20 |
| 發明(設計)人: | 方業周;任健;王振偉 | 申請(專利權)人: | 北京京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/00 | 分類號: | H01L21/00;H01L21/3065;H01J37/32;H01J37/04 |
| 代理公司: | 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291 | 代理人: | 黃志華 |
| 地址: | 100176 北京市*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 設備 下部 電極 | ||
1.一種干刻設備的下部電極,包括:電極鋁材層、位于所述電極鋁材層上的氧化鋁陶瓷層、以及位于所述氧化鋁陶瓷層上的多個壓紋點,所述電極鋁材層內具有容納冷媒的冷媒管道,其特征在于,所述氧化鋁陶瓷層與所述多個壓紋點之間設有電阻絲。
2.根據權利要求1所述的干刻設備的下部電極,其特征在于,所述電極鋁材層與所述氧化鋁陶瓷層之間還設有鎳材層。
3.根據權利要求2所述的干刻設備的下部電極,其特征在于,所述電阻絲為一根,所述電阻絲將所述多個壓紋點依次串連。
4.根據權利要求2所述的干刻設備的下部電極,其特征在于,所述電阻絲為多根,每一根所述電阻絲連接至少兩個所述壓紋點。
5.根據權利要求1~4任一項所述的干刻設備的下部電極,其特征在于,所述電極鋁材層設有凹向所述氧化鋁陶瓷層的圓錐孔。
6.一種干刻設備,包括:反應腔,其特征在于,還包括:如權利要求1~5任一項所述的干刻設備的下部電極,所述干刻設備的下部電極位于所述反應腔內。
7.根據權利要求6所述的干刻設備,其特征在于,還包括:
采集干刻設備的下部電極溫度信息的采集單元;
當接收到的所述采集單元采集到的溫度信息低于設定溫度值時產生調節信號的中央處理器,所述中央處理器與所述采集單元信號連接;
根據接收到的所述中央處理器產生的調節信號輸出相應電流值的電流輸出裝置,所述電流輸出裝置與所述干刻設備的下部電極中的電阻絲電連接。
8.根據權利要求7所述的干刻設備,其特征在于,所述采集單元為溫度傳感器。
9.根據權利要求6所述的干刻設備,其特征在于,還包括:用于放置所述干刻設備的下部電極的底座,所述底座上與所述干刻設備的下部電極中的電極鋁材層中設有的圓錐孔相對應的位置處設有錐形凸起。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





