[實用新型]大型磁控濺射ITO靶材

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201320372527.8
• 申請日: 2013-06-26
• 公開（公告）號: CN203295593U
• 公開（公告）日: 2013-11-20
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 劉曉偉;王守坤;郭會斌
• 申請（專利權(quán)）人: 京東方科技集團股份有限公司;北京京東方顯示技術(shù)有限公司
• 主分類號: C23C14/08
• 分類號: C23C14/08;C23C14/35
• 代理公司: 北京路浩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11002
• 代理人: 韓國勝

技術(shù)領(lǐng)域

本實用新型涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種大型磁控濺射ITO靶材。

背景技術(shù)

目前在TFT-LCD（Thin?Film?Transistor-Liquid?Crystal?Display，薄膜晶體管液晶顯示器）、OLED（Organic?Light-Emitting?Diode，有機發(fā)光二極管）等顯示基板制造領(lǐng)域中，通常采用通過ITO（Indium?TinOxide，銦錫氧化物）靶材將離子體磁控濺射在顯示基板上的形式設(shè)置ITO層；在制造大尺寸顯示基板時則通常需要大尺寸的ITO靶材以適應(yīng)涂設(shè)大尺寸ITO層的需要，但是由于ITO粉末燒結(jié)工藝的限制，無法一次燒結(jié)出高質(zhì)量的整塊ITO靶材，參見圖1（圖中箭頭方向為離子體濺射方向）所示，因此實際中都是由幾塊小的ITO靶材單元1拼接成一個適用于大尺寸顯示基板濺射的靶材。但由于ITO層本身是粉末燒結(jié)而成，因此在濺射過程中粉末極易變?yōu)榇罅匡w濺的粉塵顆粒，這樣的大量無序飛濺的粉塵顆粒會落到顯示基板上，而對顯示基板的質(zhì)量產(chǎn)生較大影響，尤其是在兩個靶材單元拼接的接縫2處更容易產(chǎn)生和聚集大量的粉塵顆粒；另外現(xiàn)有大型ITO靶材在位于離子體入射面一側(cè)的兩個靶材接縫處均呈直角拐角3的設(shè)置，因此直角的尖端在受到離子體濺射時，更容易將ITO粉末激發(fā)成大量的飛濺的粉塵顆粒；因此更加不利于顯示基板整體清潔。

對于如何抑制ITO靶材濺射粉塵顆粒也是業(yè)內(nèi)的研究熱點；目前還沒有一種大尺寸的ITO靶材能夠有效增加ITO靶材局部區(qū)域的粗糙度，以便能更多的吸附濺射中產(chǎn)生的粉塵顆粒以減少其降落到顯示基板上的數(shù)量。

因此，需要提供一種大型磁控濺射ITO靶材以解決上述問題。

實用新型內(nèi)容

本實用新型所解決的技術(shù)問題是提供一種大型磁控濺射ITO靶材；通過齒狀拼接單元提高接合面粗糙度以實現(xiàn)吸附濺射出的粉塵顆粒的目的。

本實用新型的目的是通過以下技術(shù)方案實現(xiàn)的：一種大型磁控濺射ITO靶材，包括至少兩個靶材單元，在相鄰兩個所述靶材單元的對接處設(shè)有齒狀拼接單元。

進一步地，所述齒狀拼接單元包括設(shè)置在其中一個所述靶材單元上的第一齒狀拼接頭和設(shè)置在與其相鄰的另一個所述靶材單元上的第二齒狀拼接頭；所述第一齒狀拼接頭與所述第二齒狀拼接頭對應(yīng)設(shè)置。

進一步地，所述第一齒狀拼接頭包括多個呈連續(xù)設(shè)置的尖角凸棱；相應(yīng)的所述第二齒狀拼接頭也包括多個呈連續(xù)設(shè)置的尖角凸棱。

進一步地，所述第一齒狀拼接頭包括多個呈連續(xù)設(shè)置的圓角凸棱；相應(yīng)的所述第二齒狀拼接頭也包括多個呈連續(xù)設(shè)置的圓角凸棱。

進一步地，所述第一齒狀拼接頭包括多個呈連續(xù)設(shè)置的矩形凸棱；相應(yīng)的所述第二齒狀拼接頭也包括多個呈連續(xù)設(shè)置的矩形凸棱。

進一步地，所述齒狀拼接單元在位于離子體入射面處的一側(cè)設(shè)有降塵凹槽。

進一步地，所述降塵凹槽包括設(shè)置在所述第一齒狀拼接頭的第一傾面和設(shè)置在所述第二齒狀拼接頭的第二傾面。

進一步地，所述第一傾面與第二傾面之間的夾角為直角或鈍角。

進一步地，所述第一傾面與水平面的夾角等于所述第二傾面與水平面的夾角。

進一步地，所述第一傾面上設(shè)有向外凸起的下圓弧面；相應(yīng)的所述第二傾面上設(shè)有向外凸起的上圓弧面。

本實用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比具有以下的優(yōu)點：

1、本實用新型采用齒狀拼接單元的設(shè)計；可有效增加相鄰兩靶材單元接合面的面積，以提高其粗糙度，這樣可以最大程度地吸附由于磁控濺射ITO靶材所濺射出的粉塵顆粒，防止其無序飛濺，以減少粉塵顆粒落到顯示基板上的數(shù)量，可以有效的提升ITO靶材的清理周期，降低靶材發(fā)塵產(chǎn)生的負面影響；從客觀上有效保證了ITO層的品質(zhì)。

2、本實用新型采用降塵凹槽的設(shè)計；可將原本位于離子體入射面處的直角改為相對平緩的鈍角，可有效避免因離子體噴濺到直角處而產(chǎn)生大量發(fā)塵的現(xiàn)象出現(xiàn)；并以此極大地降低粉塵顆粒的產(chǎn)生，進一步有效減少粉塵顆粒落到顯示基板上的數(shù)量，以縮短ITO靶材的清理周期，降低靶材發(fā)塵產(chǎn)生的負面影響；有效提高顯示基板ITO層的品質(zhì)。

3、本實用新型采用下圓弧面和上圓弧面的設(shè)計；可進一步改善原有直角的平緩度，以此進一步避免因離子體噴濺到直角處而產(chǎn)生大量發(fā)塵的現(xiàn)象出現(xiàn)；并以此極大地降低粉塵顆粒的產(chǎn)生，進一步有效減少落到顯示基板上的粉塵顆粒的數(shù)量。

附圖說明

以下結(jié)合附圖和實施例對本實用新型作進一步說明。

圖1是現(xiàn)有技術(shù)中大型磁控濺射ITO靶材的結(jié)構(gòu)示意圖（剖視圖）；