[實用新型]大型磁控濺射ITO靶材有效
| 申請號： | 201320372527.8 | 申請日： | 2013-06-26 |
| 公開（公告）號： | CN203295593U | 公開（公告）日： | 2013-11-20 |
| 發明（設計）人： | 劉曉偉;王守坤;郭會斌 | 申請（專利權）人： | 京東方科技集團股份有限公司;北京京東方顯示技術有限公司 |
| 主分類號： | C23C14/08 | 分類號： | C23C14/08;C23C14/35 |
| 代理公司： | 北京路浩知識產權代理有限公司 11002 | 代理人： | 韓國勝 |
| 地址： | 100015 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 大型 磁控濺射 ito 靶材 | ||
1.一種大型磁控濺射ITO靶材，其特征在于，包括至少兩個靶材單元，在相鄰兩個所述靶材單元的對接處設有齒狀拼接單元。
2.如權利要求1所述大型磁控濺射ITO靶材，其特征在于，所述齒狀拼接單元包括設置在其中一個所述靶材單元上的第一齒狀拼接頭和設置在與其相鄰的另一個所述靶材單元上的第二齒狀拼接頭；所述第一齒狀拼接頭與所述第二齒狀拼接頭對應設置。
3.如權利要求2所述大型磁控濺射ITO靶材，其特征在于，所述第一齒狀拼接頭包括多個呈連續設置的尖角凸棱；相應的所述第二齒狀拼接頭也包括多個呈連續設置的尖角凸棱。
4.如權利要求2所述大型磁控濺射ITO靶材，其特征在于，所述第一齒狀拼接頭包括多個呈連續設置的圓角凸棱；相應的所述第二齒狀拼接頭也包括多個呈連續設置的圓角凸棱。
5.如權利要求2所述大型磁控濺射ITO靶材，其特征在于，所述第一齒狀拼接頭包括多個呈連續設置的矩形凸棱；相應的所述第二齒狀拼接頭也包括多個呈連續設置的矩形凸棱。
6.如權利要求2-5中任一所述大型磁控濺射ITO靶材，其特征在于，所述齒狀拼接單元在位于離子體入射面處的一側設有降塵凹槽。
7.如權利要求6所述大型磁控濺射ITO靶材，其特征在于，所述降塵凹槽包括設置在所述第一齒狀拼接頭的第一傾面和設置在所述第二齒狀拼接頭的第二傾面。
8.如權利要求7所述大型磁控濺射ITO靶材，其特征在于，所述第一傾面與第二傾面之間的夾角為直角或鈍角。
9.如權利要求8所述大型磁控濺射ITO靶材，其特征在于，所述第一傾面與水平面的夾角等于所述第二傾面與水平面的夾角。
10.如權利要求9所述大型磁控濺射ITO靶材，其特征在于，所述第一傾面上設有向外凸起的下圓弧面；相應的所述第二傾面上設有向外凸起的上圓弧面。
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