[實用新型]一種在線反饋ITO薄膜特性裝置

有效

• 申請號: 201320368889.X
• 申請日: 2013-06-26
• 公開（公告）號: CN203360563U
• 公開（公告）日: 2013-12-25
• 發明（設計）人: 李晨光
• 申請（專利權）人: 南昌歐菲光科技有限公司
• 主分類號: C23C14/52
• 分類號: C23C14/52;C23C14/08;C23C14/35
• 代理公司: 南昌新天下專利商標代理有限公司 36115
• 代理人: 施秀瑾

技術領域

本實用新型屬于ITO鍍膜技術領域，尤其涉及一種在線反饋ITO薄膜特性裝置。

背景技術

????目前，實際生產與實驗研究制備ITO導電薄膜廣泛采用磁控濺射技術，磁控濺射所利用的環狀磁場迫使二次電子跳欄式地沿著環狀磁場轉圈。相應地，環狀磁場控制的區域是等離子體密度最高的部位。在磁控濺射時，可以看見濺射氣體——氬氣在這部位發出強烈的淡藍色輝光，形成一個光環。處于光環下的靶材是被離子轟擊最嚴重的部位，會濺射出一條環狀的溝槽。環狀磁場是電子運動的軌道，環狀的輝光和溝槽將其形象地表現了出來。

在陰極濺射中，真空槽中需要充入氣體作為媒介，使輝光放電得以啟動和維持。最常用的氣體是氬氣。如果在通入的氣體中摻入易與靶材發生反應的氣體（如O₂，N₂等），因而能沉積制得靶材的化合物膜（如靶材氧化物，氮化物等化合物薄膜）。

采用反應磁控濺射鍍制ITO薄膜，主要參數為方阻，反射率，透射率，膜層均勻性。不同膜層鍍膜過程中若由于偶然現象引起反應氣體分布不均勻，直接導致膜層厚度不均，方阻及反射率均發生不均一現象，對于生產造成極大浪費，降低產能及生產效率。

發明內容

本實用新型為了克服上述缺陷，目的在于提供一種在線反饋ITO薄膜特性裝置，本實用新型采用等離子體發射監測裝置探測ITO反應磁控濺射過程中發射光譜，裝置探頭分布于基材前中后三個方位，在線監測整個鍍膜腔室內前中后等離子體發射光譜并通過光纖傳出至數據處理裝置，顯示器顯示在線各部分光譜曲線。

反應氣體分布變化時，前中后氣體流量改變導致等離子體發射光譜發生變化，光譜曲線顯示器直接顯示出異常，及時調整反應氣體分布至正常狀態，并保證膜層均勻性。?

本實用新型為了實現上述目的，采用如下技術方案：

一種在線反饋ITO薄膜特性裝置，它包括ITO靶材、銅背板、冷卻裝置、工藝氣體進氣口Ⅰ、工藝氣體進氣口Ⅱ、反應氣體進氣口Ⅰ、反應氣體進氣口Ⅱ、監測光纖探頭、基材、鍍膜腔室、陰極護罩；

ITO靶材綁定于銅背板表面，銅背板的另一面固定有冷卻裝置；

工藝氣體進氣口Ⅰ、工藝氣體進氣口Ⅱ置于陰極靶下方，分為左右兩路；

反應氣體進氣口Ⅰ、反應氣體進氣口Ⅱ置于陰極靶上方，分為左右兩路；

陰極靶正上方為基材；監測光纖探頭放置于反應濺射腔室側壁反應氣體進氣口Ⅱ下方。

等離子體發射監測系統和數據處理裝置與上述監測光纖探頭連接。

所述監測光纖探頭的數量為3個，與靶材平行方向等距放置。

所述基材為玻璃基材或者柔性PET基材，靶基距為100mm-150mm。

陰極靶位采用直流單靶位，電源采用直流電源。

采用等離子體發射探測系統實時監測直流反應磁控濺射ITO靶材等離子發射光譜，在線監測ITO磁控濺射特性，實時監控ITO膜層沉積特性。

等離子體發射光譜經通過光纖探頭經由光纖傳送至腔室外等離子體發射探測裝置并由數據處理系統處理。

數據處理裝置將光譜信號轉換為曲線形式顯示于顯示器，根據不同探頭反饋光譜信息判斷各個部分成分并作出及時調整反應氣體分布。

本實用新型與現有技術相比有如下技術優點：

本實用新型的在線實時監測ITO膜層特性，及時調整由于反應氣體分布不均導致膜層異常，有效地提高生產效率與產能，減少了不良率。

附圖說明

圖1為本實用新型的結構示意圖；

圖2為本實用新型俯視角度的結構示意圖。

具體實施方式

?????下面結合附圖1、2對本實用新型進行詳細說明：

一種在線反饋ITO薄膜特性裝置，它包括ITO靶材1、銅背板2、冷卻裝置3、工藝氣體進氣口Ⅰ4、工藝氣體進氣口Ⅱ5、反應氣體進氣口Ⅰ6、反應氣體進氣口Ⅱ7、監測光纖探頭8、基材9、鍍膜腔室10、陰極護罩11；

ITO靶材1綁定于銅背板2表面，銅背板2的另一面固定有冷卻裝置3；

工藝氣體進氣口Ⅰ4、工藝氣體進氣口Ⅱ5置于陰極靶下方，分為左右兩路；

反應氣體進氣口Ⅰ6、反應氣體進氣口Ⅱ7置于陰極靶上方，分為左右兩路；

陰極靶正上方為基材9；監測光纖探頭8放置于反應濺射腔室側壁反應氣體進氣口Ⅱ7下方。

等離子體發射監測系統12和數據處理裝置13與上述監測光纖探頭8連接。

所述監測光纖探頭8的數量為3個，與靶材平行方向等距放置。