[實用新型]一種鹽堿地植物種植系統

有效

• 申請號: 201320360109.7
• 申請日: 2013-06-21
• 公開（公告）號: CN203446252U
• 公開（公告）日: 2014-02-26
• 發明（設計）人: 秦升益;劉春雨
• 申請（專利權）人: 北京仁創科技集團有限公司
• 主分類號: A01G1/00
• 分類號: A01G1/00;A01G9/02;A01B79/00
• 代理公司: 北京三聚陽光知識產權代理有限公司 11250
• 代理人: 彭秀麗

技術領域

本實用新型涉及一種植物種植系統，具體地說，涉及一種適于鹽堿地中植物生長的種植系統。

背景技術

鹽堿地是指土壤含有過量可溶性鹽類的土地，土地鹽堿化的原因是由于土壤和地下水含鹽過高，在強烈的地表蒸發作用下，地下淺層水經毛細管輸送到地表被蒸發掉，毛細管向地表輸水的過程中，也把水中的鹽分帶到地表，水被蒸發后，土壤鹽分通過毛細管作用上升并積聚于土壤表層，鹽分就留在了地表及地面淺層土壤中，這樣積累的鹽分多了，又沒有足夠的淡水稀釋并將其排走，就形成了土壤鹽堿化。鹽堿度在0.3%以上、0.8%以下的鹽堿地因為含鹽量大、要么閑置，要么被勉強利用，就是被勉強利用的，其產量也很低，經濟效益不好。

目前，國內外對鹽堿地的處理方法一般包括排鹽法和壓鹽法，但它們都存在著許多不足之處，排鹽法是靠使用大量的淡水對鹽堿地進行長期沖洗而使鹽堿地表面的含鹽量降低，壓鹽法是利用自然降水或人工大水灌溉，促使部分鹽堿沿著土壤的孔隙、裂縫等向下滲透，將表層土壤的鹽分隨水帶至底層。上述方法雖然能夠使鹽堿地表層的含鹽量降低，但不能夠保持長久，而且需要大量的水源。

為此，中國專利文獻CN102232328A公開了一種改良鹽堿地的方法及鹽堿地的種植方法，該方法將鹽堿表層土去除掉，在去除了表層土的鹽堿地上設置設置透氣性防滲骨料層，在所述透氣性防滲骨料層上設置種植土層，然后于種填土層上種植植物。該透氣性防滲骨料層有效的防止了地下鹽堿水的上竄，但同時也抑制了種植土層中水份的下滲，在多雨季節大量的雨水積蓄在種植土層中，容易造成植物的根系腐爛，影響植物的生成。

實用新型內容

為解決現有技術中，雨量充沛時種植土層中的水無法下滲，造成植物根系腐爛的技術問題，從而提供一種適于鹽堿地植物長期生長的植物種植系統。

為此，本實用新型采取的技術方案為：

一種鹽堿地植物種植系統，包括設置在鹽堿地中的種植溝，所述種植溝的內部由下向上填充有透氣防滲層和種植土層，所述種植溝的側壁為防水側壁；所述種植溝內沿其長度方向間隔設置有若干集水井，所述集水井具有由透水材料制成的透水井壁，所述集水井的底部位于所述種植土層內。

上述鹽堿地植物種植系統中，所述透氣防滲層和植物種植土層間還設置有防護層。

上述鹽堿地植物種植系統中，所述透氣防滲層和所述防護層之間還設置有找平層。

上述鹽堿地植物種植系統中，所述種植土層的至少部分底面與水平面形成一夾角。此處所述種植土層的底面指種植土層與其下方相鄰層相接觸的表面。

上述鹽堿地植物種植系統中，所述種植土層的至少部分底面沿所述種植溝的寬度方向傾斜設置，并與水平面形成一夾角。

上述鹽堿地植物種植系統中，所述種植溝內所述種植土層在其寬度方向上地勢低的一端設置有所述集水井。

上述鹽堿地植物種植系統中，所述種植土層的至少部分底面沿所述種植溝的長度方向傾斜設置，并與水平面形成一夾角。

上述鹽堿地植物種植系統中，所述種植溝的底面、所述透氣防滲層、找平層和/或防護層平行于所述種植土層與所述防護層相接觸的底面。

上述鹽堿地植物種植系統中，所述防護層為透水磚層。

上述鹽堿地植物種植系統中，所述找平層為細土和/或沙子層。

上述鹽堿地植物種植系統中，所述透氣防滲層為透氣防滲沙層。

上述鹽堿地植物種植系統中，所述種植土層為客土層或鹽堿土層。

上述鹽堿地植物種植系統中，所述種植土層的上表面不低于所述鹽堿地的地表面，此處所述種植土層的上表面為種植土層與外界大氣相接觸的表面。

在上述的鹽堿地植物種植系統中，所述透水材料是由骨料和親水性骨料粘結劑粘結而成的具有微孔的材料，所述骨料為石英砂、硅砂、覆膜砂、陶粒等，所述親水性結結劑為環氧樹脂、聚氨酯和丙烯酸酯中的一種或幾種，所述骨料和親水性骨料粘結劑的質量比為100：（1-15）。

與現有技術相比，本實用新型具有如下優點：

（1）本實用新型的鹽堿地植物種植系統中，所述種植溝內沿其長度方向間隔設置有若干集水井，所述集水井具有由透水材料制成的透水井壁，所述集水井的底部位于所述種植土層內。在雨水充沛季節，集水井中的水由泵抽出排放到種植溝外，減少了種植溝內積存的水份，防止了種植土層水量過多時植物的爛根，并且還可以用于灌溉其它植物，在雨量較少時，集水井中的水慢慢滲入種植土層，補充植物生長所需的水分。