[實用新型]一種鹽堿地植物種植系統有效
| 申請號： | 201320360109.7 | 申請日： | 2013-06-21 |
| 公開（公告）號： | CN203446252U | 公開（公告）日： | 2014-02-26 |
| 發明（設計）人： | 秦升益;劉春雨 | 申請（專利權）人： | 北京仁創科技集團有限公司 |
| 主分類號： | A01G1/00 | 分類號： | A01G1/00;A01G9/02;A01B79/00 |
| 代理公司： | 北京三聚陽光知識產權代理有限公司 11250 | 代理人： | 彭秀麗 |
| 地址： | 100085 北京市海淀*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 鹽堿地 植物 種植 系統 | ||
1.一種鹽堿地植物種植系統，包括設置在鹽堿地中的種植溝（6），所述種植溝（6）的內部由下向上填充有透氣防滲層（1）和種植土層（5），其特征在于，
所述種植溝（6）的側壁（7）為防水側壁；
所述種植溝內沿其長度方向間隔設置有若干集水井（9），所述集水井具有由透水材料制成的透水井壁，所述集水井（9）的底部位于所述種植土層（5）內。
2.根據權利要求1所述的鹽堿地植物種植系統，其特征在于，所述透氣防滲層（1）和植物種植土層（5）間還設置有防護層（4）。
3.根據權利要求2所述的鹽堿地植物種植系統，其特征在于，所述透氣防滲層（1）和所述防護層（4）之間還設置有找平層（3）。
4.根據權利要求1-3任一所述的鹽堿地植物種植系統，其特征在于，所述種植土層（5）的至少部分底面與水平面形成一夾角。
5.根據權利要求4所述的鹽堿地植物種植系統，其特征在于，所述種植土層（5）的至少部分底面沿所述種植溝（6）的寬度方向傾斜設置，并與水平面形成一夾角。
6.根據權利要求5所述的鹽堿地植物種植系統，其特征在于，所述種植溝（6）內所述種植土層（5）在其寬度方向上地勢低的一端設置有所述集水井（9）。
7.根據權利要求4所述的鹽堿地植物種植系統，其特征在于，所述種植土層（5）的至少部分底面沿所述種植溝（6）的長度方向傾斜設置，并與水平面形成一夾角。
8.根據權利要求5-7任一所述的鹽堿地植物種植系統，其特征在于，
所述種植溝（6）的底面、所述透氣防滲層（1）、找平層（3）和/或防護層（4）平行于所述種植土層（5）的底面。
9.根據權利要求8所述的鹽堿地植物種植系統，其特征在于，所述防護層（4）為透水磚層。
10.根據權利要求9所述的鹽堿地植物種植系統，其特征在于，所述找平層（3）為細土和/或沙子層。
11.根據權利要求10所述的鹽堿地植物種植系統，其特征在于，
所述透氣防滲層（1）為透氣防滲沙層。
12.根據權利要求11所述的鹽堿地植物種植系統，其特征在于，所述種植土層（5）為客土層或鹽堿土層。
13.根據權利要求12所述的鹽堿地植物種植系統，其特征在于，所述種植土層（5）的上表面不低于所述鹽堿地的地表面（10）。
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