[實用新型]一種散熱器的散熱結構及裝置有效
| 申請號: | 201320350727.3 | 申請日: | 2013-06-19 |
| 公開(公告)號: | CN203553133U | 公開(公告)日: | 2014-04-16 |
| 發明(設計)人: | 邱光;楊少軍;郭陽 | 申請(專利權)人: | 昆山瑞凌焊接科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L23/34 | 分類號: | H01L23/34;H01L23/373;H05K7/20 |
| 代理公司: | 廣東星辰律師事務所 44263 | 代理人: | 丁敬偉 |
| 地址: | 215300 江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 散熱器 散熱 結構 裝置 | ||
【技術領域】
本實用新型涉及散熱技術領域,特別涉及一種應用于電力電子或開關電源領域的散熱器的散熱結構及裝置。
【背景技術】
目前,大功率開關電源(如逆變焊機、UPS電源、EPS電源、變頻器)為降低成本,在半導體功率器件的選用上由模塊封裝IGBT(Insulated?Gate?Bipolar?Transistor絕緣柵雙極型晶體管)轉向分離器件單管IGBT或MOS管(Metal?oxid?semiconductor金屬氧化物半導體場效應晶體管),使用單只或多只單管IGBT(或MOS管)并聯來達到模塊IGBT相同的輸出功率;另一種是自制的單管IGBT(或MOS管)模塊,此類結構目前都是采用多只小電流單管IGBT(或MOS管)并聯,從而得到大電流輸出的IGBT模塊;通過PCB板固定單管IGBT(或MOS管)的位置,固定單管IGBT(或MOS管)從而達到固定整個模塊的效果。
在采用單管IGBT(或MOS管),遇到兩個問題:一、半導體功率器件單管IGBT(或MOS管)不能直接安裝在一塊散熱器上,如設計為多塊散熱器且帶電,對機器的漏電埋下隱患,如逆變焊機;二、為了解決上述問題一,一些廠家在使用時,通過導熱絕緣膜來隔離單管IGBT(或MOS管)和散熱器,以此達到散熱的目的。?
但是,現有技術存在以下缺陷:在工作中,特別是可變負載和要求盡可能達到單管IGBT(或MOS管)的最大輸出功率時,單管IGBT(或MOS管)上的溫度上升很快,且溫度很高,溫度高使單管IGBT(或MOS管)的壽命變短,且電源的可靠性降低。其根本原因在于:一、單管IGBT(或MOS管)本體向外傳熱的面積小;二、單管IGBT(或MOS管)本體與散熱器之間有高熱阻導熱絕緣材料,使得單管IGBT(或MOS管)本體向散熱器的傳熱變慢,單管IGBT(或MOS管)本體溫度迅速增高,在一個較高的溫度才能熱平衡,在一些負載變化范圍比較大的設備(逆變焊機),工作中隨時產生熱浪涌,可能達不到熱平衡,單管IGBT(或MOS管)就會損壞。
【實用新型內容】
為了克服現有技術存在單管IGBT(或MOS管)溫度高、壽命短以及可靠性低的技術問題,本實用新型第一目的是提供一種散熱器的散熱結構。
本實用新型的第二目的是提供一種根據上述散熱器的散熱結構組成的裝置。
為了實現上述第一目的,本實用新型所采用的技術方案是:
一種散熱器的散熱結構,其包括散熱器本體、固定于所述散熱器本體上的鋁基板,絕緣固定于所述鋁基板上的多個功率半導體器件,以及與多個功率半導體器件的引腳連接的PCB板。
根據本實用新型的一優選實施例:所述功率半導體器件為偶數個,且該偶數個功率半導體器件倆倆一組絕緣固定于所述鋁基板上。
根據本實用新型的一優選實施例:所述鋁基板呈片狀,且該鋁基板為鋁或銅。
根據本實用新型的一優選實施例:所述散熱器本體與鋁基板之間涂有硅脂層。
根據本實用新型的一優選實施例:所述功率半導體器件為單管IGBT或MOS管。
根據本實用新型的一優選實施例:所述鋁基板通過螺釘固定于散熱器本體上。
為了實現上述第二目的,本實用新型所采用的技術方案是:
一種根據上述的散熱器的散熱結構及裝置組成的裝置,其包括裝置本體,且所述散熱器的散熱結構安裝于該裝置本體上。
根據本實用新型的一優選實施例:所述裝置本體為逆變焊機、UPS電源、EPS電源或變頻器。
相對于現有技術中來說,本實用新型的有益效果為:可使功率半導體器件,即單管IGBT(或MOS管)的使用壽命大大提高,在降低單管IGBT(或MOS管)溫升速度和溫度的同時,提高了電源工作的可靠性。
【附圖說明】
圖1.?本實用新型散熱器的散熱結構示意圖一;
圖2.?本實用新型散熱器的散熱結構示意圖二;
附圖標記說明:101、散熱器本體,102、功率半導體器件,103、PCB板,104、鋁基板。
【具體實施方式】
下面結合附圖和實施方式對本實用新型作進一步說明。
為了解決現有技術中存在的單管IGBT(或MOS管)在工作中,特別是可變負載和要求盡可能達到單管IGBT(或MOS管)的最大輸出功率時,單管IGBT(或MOS管)上的溫度上升很快,且溫度很高,溫度高使單管IGBT(或MOS管)的壽命變短,且電源的可靠性降低這一技術問題,本實用新型提供了一種新型結構的散熱器的散熱結構和裝置。
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