[實(shí)用新型]一種多晶硅制造設(shè)備

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201320348352.7
• 申請(qǐng)日: 2013-06-18
• 公開（公告）號(hào): CN203419747U
• 公開（公告）日: 2014-02-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李波;金越順;朱燁俊
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 浙江精功新材料技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): C01B33/035
• 分類號(hào): C01B33/035
• 代理公司: 杭州杭誠(chéng)專利事務(wù)所有限公司 33109
• 代理人: 尉偉敏

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及光伏技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種多晶硅制造設(shè)備。?

背景技術(shù)

目前，多晶硅的生產(chǎn)大部分都是采用改良西門子的方法生產(chǎn)，改良西門子法是用氯和氫合成氯化氫，氯化氫和工業(yè)硅粉在一定的溫度下合成三氯氫硅，然后對(duì)三氯氫硅進(jìn)行分離精餾提純，提純后的三氯氫硅在還原爐內(nèi)進(jìn)行氣相化學(xué)沉積反應(yīng)生產(chǎn)多晶硅，反應(yīng)的最佳溫度范圍在1080℃-1150℃，如果反應(yīng)爐內(nèi)溫度太高則產(chǎn)生大量的硅粉，懸浮在反應(yīng)爐內(nèi)，并沉積在硅棒表面，生成不定性硅，從而導(dǎo)致硅棒純度降低，現(xiàn)在常見的還原爐通常都是通過爐壁的夾層中通冷卻介質(zhì)冷卻，然而由于還原爐內(nèi)體積大，爐壁的冷卻效果顯然較差。?

中國(guó)專利授權(quán)公告號(hào)：CN101966991A，授權(quán)公告日2011年2月9日，公開了多晶硅生產(chǎn)裝置,包括:底盤；鐘罩,設(shè)置在底盤之上,與底盤形成反應(yīng)器；鐘罩上設(shè)有尾氣出口；鐘罩外部設(shè)置夾套,夾套上設(shè)置夾套冷卻油入口與夾套冷卻油出口；反應(yīng)器內(nèi)部設(shè)置內(nèi)件,內(nèi)件包含中間接管和夾套管,夾套管內(nèi)設(shè)置多晶硅棒；中間接管底部設(shè)置工藝氣體入口、反應(yīng)器冷卻油入口與反應(yīng)器冷卻油出口。利用該種生產(chǎn)多晶硅裝置,可以有效降低反應(yīng)器內(nèi)無定形硅的生長(zhǎng),減少裝置的污染,提高多晶硅的轉(zhuǎn)化率與純度。其不足之處是該種結(jié)構(gòu)的多晶硅生產(chǎn)裝置中鐘罩內(nèi)的反應(yīng)溫度只通過夾套內(nèi)的冷卻介質(zhì)冷卻，溫度調(diào)節(jié)能力差，反應(yīng)爐內(nèi)容易產(chǎn)生副反應(yīng)，從而降低多晶硅純度。?

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型為了克服現(xiàn)有技術(shù)中的多晶硅生產(chǎn)裝置通過反應(yīng)爐壁上的夾層冷卻，冷卻效果差，已生成不定性硅，從而降低硅棒純度的不足，提供了一種冷卻效果好，把反應(yīng)溫度穩(wěn)定的控制在最佳范圍，從而提高硅棒純度的多晶硅制造裝置。?

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型采用如下技術(shù)方案：?

一種多晶硅制造設(shè)備，包括底盤、鐘罩和封蓋，所述的底盤、封蓋都為雙層結(jié)構(gòu)，底盤和封蓋上都設(shè)有冷卻液進(jìn)口和冷卻液出口，所述的鐘罩的中心設(shè)有若干電極，電極的下端與底盤固定，電極的上端連接有豎直的硅芯，每根硅芯的外側(cè)都套設(shè)有冷卻夾套，冷卻夾套包括內(nèi)夾套和外夾套，所述的內(nèi)夾套和外夾套的上端連通下端隔離，所述的內(nèi)夾套的下端設(shè)有冷卻液進(jìn)口，外夾套的下端設(shè)有冷卻液出口，底盤上還設(shè)有進(jìn)氣管和出氣管。冷卻夾套與硅芯之間的空腔為硅棒生長(zhǎng)腔，冷卻液從內(nèi)夾套下端的冷卻液進(jìn)口處進(jìn)入，冷卻液上升并從內(nèi)夾套上端的進(jìn)入外夾套內(nèi)，然后在外夾套內(nèi)回流，最后從外夾套下端的冷卻液出口處排出去，冷卻夾套直接對(duì)硅棒生長(zhǎng)腔進(jìn)行冷卻，從而準(zhǔn)確的控制反應(yīng)溫度，減少副反應(yīng)的發(fā)生，減少不定性硅的產(chǎn)生，從而提高多晶硅的純度。

?作為優(yōu)選，所述的鐘罩內(nèi)位于冷卻夾套與鐘罩內(nèi)壁之間的環(huán)形空腔內(nèi)設(shè)有冷卻器，冷卻器的下端連接有過濾器。尾氣從硅棒生長(zhǎng)腔上端排出后，進(jìn)入環(huán)形空腔內(nèi)經(jīng)過冷卻器的冷卻，然后再經(jīng)過過濾器的過濾，把多余的硅粉多慮掉，最后從排氣管中排出去。?

作為優(yōu)選，底盤的上側(cè)中心設(shè)有隔離管，隔離管的上端與冷卻夾套連接，隔離管的下端與底盤上表面連接，隔離管內(nèi)設(shè)有氣體分布板，氣體分布板上設(shè)有進(jìn)氣孔。隔離管是為了把進(jìn)入的硅源性氣體和尾氣完全隔離開，防止混氣而影響多晶硅的生長(zhǎng)以及純度，氣體分布板有利于硅源性氣體混合均勻，便于反應(yīng)的發(fā)生。?

作為優(yōu)選，進(jìn)氣管的內(nèi)端與隔離管內(nèi)部的空腔連通，出氣管的內(nèi)端與隔離管外部的空腔連通。硅源性氣體從進(jìn)氣管中進(jìn)入硅棒生長(zhǎng)腔內(nèi)，反應(yīng)后產(chǎn)生的尾氣從排氣管中排出。?

因此，本實(shí)用新型具有冷卻效果好，能精確的控制反應(yīng)溫度，從而提高硅棒純度的有益效果。?

附圖說明

圖1為本實(shí)用新型一種結(jié)構(gòu)示意圖。?

圖中：底盤1??鐘罩2??封蓋3??冷卻液進(jìn)口4??冷卻液出口5??電極6??硅芯7??冷卻夾套8??內(nèi)夾套81??外夾套82??冷卻器9??過濾器10??隔離管11??氣體分布板12??進(jìn)氣管13??出氣管14?。?

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步描述：?