[實用新型]單電子晶體管與MOS管構成的雙閾值邏輯單元有效
| 申請號： | 201320337352.7 | 申請日： | 2013-06-13 |
| 公開（公告）號： | CN203326982U | 公開（公告）日： | 2013-12-04 |
| 發明（設計）人： | 魏榕山;陳錦鋒;于志敏;何明華 | 申請（專利權）人： | 福州大學 |
| 主分類號： | H03K19/20 | 分類號： | H03K19/20 |
| 代理公司： | 福州元創專利商標代理有限公司 35100 | 代理人： | 蔡學俊 |
| 地址： | 350108 福建省福州市*** | 國省代碼： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 電子 晶體管 mos 構成 閾值 邏輯 單元 | ||
【權利要求書】：
1.?一種單電子晶體管與MOS管構成的雙閾值邏輯單元，其特征在于：包括一SET/MOS混合電路、一第一反相器和一第二反相器，所述SET/MOS混合電路包括四個輸入端、一個控制端和一個輸出端，所述SET/MOS混合電路的輸出端連接所述第一反相器的輸入端，所述第一反相器的輸出端連接所述第二反相器的輸入端，所述第二反相器的輸出端作為所述雙閾值邏輯單元的輸出端。
2.?根據權利要求1所述的單電子晶體管與MOS管構成的雙閾值邏輯單元，其特征在于：所述的SET/MOS混合電路包括：
一PMOS管，其源極接電源端Vdd；
一NMOS管，其漏極與所述PMOS管的漏極連接；以及
一SET管，與所述NMOS管的源極連接。
3.?根據權利要求1所述的單電子晶體管與MOS管構成的雙閾值邏輯單元，其特征在于：所述反相器包括：
一PMOS管，其源極接電源端Vdd；以及
一NMOS管，其漏極作為所述反相器的輸出端并連接所述PMOS管的漏極；
且所述PMOS管的柵極作為所述反相器的輸入端并連接所述NMOS管的柵極，所述NMOS管的源極接地。
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