[實用新型]一種等離子體刻蝕設備的腔室內襯

有效

• 申請號: 201320335702.6
• 申請日: 2013-06-08
• 公開（公告）號: CN203481181U
• 公開（公告）日: 2014-03-12
• 發明（設計）人: 張欽亮;平志韓;蘇靜洪;王謨;祝啟蒙
• 申請（專利權）人: 天通吉成機器技術有限公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32;H01L21/67
• 代理公司: 浙江杭州金通專利事務所有限公司 33100
• 代理人: 趙芳;黃芳

技術領域

本實用新型涉及等離子體刻蝕技術領域，特別是一種干法等離子體刻蝕設備的腔室內襯。

背景技術

刻蝕是半導體、微電子及LED制造過程中的一個重要工序，刻蝕是利用化學或物理方法有選擇性地從硅片或者藍寶石襯底表面去除不需要的材料的過程。隨著半導體器件的集成度提高，半導體器件的線寬越來越小，關鍵尺寸的控制也越來越重要，對刻蝕工藝的要求也越來越高。從工藝上區分，刻蝕可以分為濕法刻蝕和干法刻蝕。干法刻蝕即等離子體刻蝕，通常在等離子體處理裝置中通入刻蝕氣體，并電離刻蝕氣體成等離子體，利用所述等離子體對待刻蝕的晶圓進行刻蝕。現有的等離子體刻蝕方法通常在待刻蝕表面形成光刻膠圖形，以該光刻膠圖形為掩膜對待刻蝕層進行刻蝕。干法刻蝕由于各項異性好，選擇比高，可控性好，靈活性高，重復形好，易實現自動化，潔凈度高的優點成為當今最常用的刻蝕工藝之一。

干法等離子體刻蝕設備中，反應腔室是用于進行等離子體刻蝕的核心部件。腔室內工藝氣體的均勻分布是保證等離子體均勻分布的關鍵因素，而等離子體的均勻分布則是影響刻蝕均勻性的關鍵。

如圖1所示，現有的等離子體刻蝕裝置的結構包括圓筒狀反應腔體A3和蓋在反應腔體A3上面的石英蓋A4，石英蓋A4的中央位置設有進氣孔，反應腔體A3的側壁A1、底壁A2及石英蓋A4形成了反應腔室。待刻蝕的基片A6放置在反應腔室內底壁A2的中央位置。這種等離子體刻蝕裝置中，石英蓋A4為圓形板狀，現有技術中石英蓋A4的中央有一個進氣孔A5.根據流體的特性，當刻蝕氣體由石英蓋A4中央的進氣孔A5進入反應腔室時，氣體趨于直接沖擊底壁A2中間位置，不易于向周圍擴散，于是就造成了中間位置的氣體密度較大，而越靠近側壁A1位置，氣體密度越小。

另外，這種等離子刻蝕設備在刻蝕過程中，不可避免地會產生很多刻蝕沉積物并聚集附著在腔室內壁上，造成腔室的污染和損傷，且難以去除導致反應腔室內刻蝕環境的不穩定性且加快了設備的損耗。

實用新型內容

為了克服現有的等離子刻蝕設備的反應腔體內刻蝕氣體的均勻性差及容易造成腔室污染和損傷的缺點，本實用新型提供了一種能夠均勻反應腔室內刻蝕氣體的等離子體刻蝕設備的腔室內襯。

等離子體刻蝕設備的腔室內襯，包括圓筒狀的本體，本體上設有取送待刻蝕晶片的傳送片口，本體的外壁與等離子刻蝕設備的反應腔室適配，本體底部設有一圈向內延伸的環形底板，環形底板與待刻蝕晶片的位置匹配，環形底板上均勻地分布有勻流槽孔；本體的頂部設有與反應腔室連接的固定法蘭。

進一步，反應腔室一側設有抽真空室，內襯底板分隔所述的反應腔室和抽真空室，抽真空室與抽真空泵連接。

進一步，勻流槽由呈同心圓排布的槽孔組成，同一個圓周上等間隔地分布有多個槽孔。槽孔為圓弧形，槽孔的寬度約為1.5mm。圓弧形槽孔的圓心角小于或等于20°。

進一步，傳送片口高出環形底板的頂面。

進一步，外壁上開設有觀察孔。

本實用新型的有益效果在于：

1、內襯底板上設有勻流槽孔，抽真空時，反應腔室的氣體經勻流槽孔進入抽真空室內，勻流槽孔的數量多，相比一般常用的圓孔形內襯，氣流通過的面積大，高真空的抽取能力強，提高了片盤周圍氣體的均勻性。

2、內襯安裝于等離子體刻蝕設備的反應腔室內，能夠有效防止或減少刻蝕沉積物積聚或附著在反應腔室的內壁上，能夠延長腔室的使用壽命。內襯通過固定法蘭安裝于反應腔室內，因此內襯更換、安裝方便，只需要定時更換或清洗內襯即可保持刻蝕環境的純凈性。

附圖說明

圖1是現有技術的示意圖。

圖2是本實用新型的立體圖。

圖3是本實用新型的正視圖。

圖4是勻流槽孔的示意圖。

圖5是勻流槽孔安裝于反應腔室內的示意圖。

具體實施方式

如圖2-5所示，等離子體刻蝕設備的腔室內襯，包括圓筒狀的本體1，本體1上設有取送待刻蝕晶片的傳送片口5，本體1的外壁與等離子刻蝕設備的反應腔室7適配，本體1底部設有一圈向內延伸的環形底板2，環形底板2與待刻蝕晶片9的位置匹配，環形底板2上均勻地分布有勻流槽4；本體1的頂部設有與反應腔室7連接的固定法蘭3。環形底板2與待刻蝕晶片9的位置匹配指的是環形底板2的頂面與待刻蝕晶片9齊平。

反應腔室7一側設有抽真空室8，內襯底板分隔所述的反應腔室7和抽真空室8，抽真空室8與抽真空泵連接。