[實用新型]一種等離子體刻蝕設(shè)備的腔室內(nèi)襯

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201320335702.6
• 申請日: 2013-06-08
• 公開（公告）號: CN203481181U
• 公開（公告）日: 2014-03-12
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張欽亮;平志韓;蘇靜洪;王謨;祝啟蒙
• 申請（專利權(quán)）人: 天通吉成機器技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32;H01L21/67
• 代理公司: 浙江杭州金通專利事務(wù)所有限公司 33100
• 代理人: 趙芳;黃芳

技術(shù)領(lǐng)域

本實用新型涉及等離子體刻蝕技術(shù)領(lǐng)域，特別是一種干法等離子體刻蝕設(shè)備的腔室內(nèi)襯。

背景技術(shù)

刻蝕是半導體、微電子及LED制造過程中的一個重要工序，刻蝕是利用化學或物理方法有選擇性地從硅片或者藍寶石襯底表面去除不需要的材料的過程。隨著半導體器件的集成度提高，半導體器件的線寬越來越小，關(guān)鍵尺寸的控制也越來越重要，對刻蝕工藝的要求也越來越高。從工藝上區(qū)分，刻蝕可以分為濕法刻蝕和干法刻蝕。干法刻蝕即等離子體刻蝕，通常在等離子體處理裝置中通入刻蝕氣體，并電離刻蝕氣體成等離子體，利用所述等離子體對待刻蝕的晶圓進行刻蝕。現(xiàn)有的等離子體刻蝕方法通常在待刻蝕表面形成光刻膠圖形，以該光刻膠圖形為掩膜對待刻蝕層進行刻蝕。干法刻蝕由于各項異性好，選擇比高，可控性好，靈活性高，重復形好，易實現(xiàn)自動化，潔凈度高的優(yōu)點成為當今最常用的刻蝕工藝之一。

干法等離子體刻蝕設(shè)備中，反應(yīng)腔室是用于進行等離子體刻蝕的核心部件。腔室內(nèi)工藝氣體的均勻分布是保證等離子體均勻分布的關(guān)鍵因素，而等離子體的均勻分布則是影響刻蝕均勻性的關(guān)鍵。

如圖1所示，現(xiàn)有的等離子體刻蝕裝置的結(jié)構(gòu)包括圓筒狀反應(yīng)腔體A3和蓋在反應(yīng)腔體A3上面的石英蓋A4，石英蓋A4的中央位置設(shè)有進氣孔，反應(yīng)腔體A3的側(cè)壁A1、底壁A2及石英蓋A4形成了反應(yīng)腔室。待刻蝕的基片A6放置在反應(yīng)腔室內(nèi)底壁A2的中央位置。這種等離子體刻蝕裝置中，石英蓋A4為圓形板狀，現(xiàn)有技術(shù)中石英蓋A4的中央有一個進氣孔A5.根據(jù)流體的特性，當刻蝕氣體由石英蓋A4中央的進氣孔A5進入反應(yīng)腔室時，氣體趨于直接沖擊底壁A2中間位置，不易于向周圍擴散，于是就造成了中間位置的氣體密度較大，而越靠近側(cè)壁A1位置，氣體密度越小。

另外，這種等離子刻蝕設(shè)備在刻蝕過程中，不可避免地會產(chǎn)生很多刻蝕沉積物并聚集附著在腔室內(nèi)壁上，造成腔室的污染和損傷，且難以去除導致反應(yīng)腔室內(nèi)刻蝕環(huán)境的不穩(wěn)定性且加快了設(shè)備的損耗。

實用新型內(nèi)容

為了克服現(xiàn)有的等離子刻蝕設(shè)備的反應(yīng)腔體內(nèi)刻蝕氣體的均勻性差及容易造成腔室污染和損傷的缺點，本實用新型提供了一種能夠均勻反應(yīng)腔室內(nèi)刻蝕氣體的等離子體刻蝕設(shè)備的腔室內(nèi)襯。

等離子體刻蝕設(shè)備的腔室內(nèi)襯，包括圓筒狀的本體，本體上設(shè)有取送待刻蝕晶片的傳送片口，本體的外壁與等離子刻蝕設(shè)備的反應(yīng)腔室適配，本體底部設(shè)有一圈向內(nèi)延伸的環(huán)形底板，環(huán)形底板與待刻蝕晶片的位置匹配，環(huán)形底板上均勻地分布有勻流槽孔；本體的頂部設(shè)有與反應(yīng)腔室連接的固定法蘭。

進一步，反應(yīng)腔室一側(cè)設(shè)有抽真空室，內(nèi)襯底板分隔所述的反應(yīng)腔室和抽真空室，抽真空室與抽真空泵連接。

進一步，勻流槽由呈同心圓排布的槽孔組成，同一個圓周上等間隔地分布有多個槽孔。槽孔為圓弧形，槽孔的寬度約為1.5mm。圓弧形槽孔的圓心角小于或等于20°。

進一步，傳送片口高出環(huán)形底板的頂面。

進一步，外壁上開設(shè)有觀察孔。

本實用新型的有益效果在于：

1、內(nèi)襯底板上設(shè)有勻流槽孔，抽真空時，反應(yīng)腔室的氣體經(jīng)勻流槽孔進入抽真空室內(nèi)，勻流槽孔的數(shù)量多，相比一般常用的圓孔形內(nèi)襯，氣流通過的面積大，高真空的抽取能力強，提高了片盤周圍氣體的均勻性。

2、內(nèi)襯安裝于等離子體刻蝕設(shè)備的反應(yīng)腔室內(nèi)，能夠有效防止或減少刻蝕沉積物積聚或附著在反應(yīng)腔室的內(nèi)壁上，能夠延長腔室的使用壽命。內(nèi)襯通過固定法蘭安裝于反應(yīng)腔室內(nèi)，因此內(nèi)襯更換、安裝方便，只需要定時更換或清洗內(nèi)襯即可保持刻蝕環(huán)境的純凈性。

附圖說明

圖1是現(xiàn)有技術(shù)的示意圖。

圖2是本實用新型的立體圖。

圖3是本實用新型的正視圖。

圖4是勻流槽孔的示意圖。

圖5是勻流槽孔安裝于反應(yīng)腔室內(nèi)的示意圖。

具體實施方式

如圖2-5所示，等離子體刻蝕設(shè)備的腔室內(nèi)襯，包括圓筒狀的本體1，本體1上設(shè)有取送待刻蝕晶片的傳送片口5，本體1的外壁與等離子刻蝕設(shè)備的反應(yīng)腔室7適配，本體1底部設(shè)有一圈向內(nèi)延伸的環(huán)形底板2，環(huán)形底板2與待刻蝕晶片9的位置匹配，環(huán)形底板2上均勻地分布有勻流槽4；本體1的頂部設(shè)有與反應(yīng)腔室7連接的固定法蘭3。環(huán)形底板2與待刻蝕晶片9的位置匹配指的是環(huán)形底板2的頂面與待刻蝕晶片9齊平。

反應(yīng)腔室7一側(cè)設(shè)有抽真空室8，內(nèi)襯底板分隔所述的反應(yīng)腔室7和抽真空室8，抽真空室8與抽真空泵連接。