[實用新型]一種太陽能硅片擴散爐有效
| 申請號： | 201320311610.4 | 申請日： | 2013-05-31 |
| 公開（公告）號： | CN203250776U | 公開（公告）日： | 2013-10-23 |
| 發明（設計）人： | 李春強;鄭安;柳淵博;呂海強 | 申請（專利權）人： | 浙江金樂太陽能科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/18 | 分類號： | H01L31/18;C30B31/18 |
| 代理公司： | 余姚德盛專利代理事務所(普通合伙) 33239 | 代理人： | 胡小永 |
| 地址： | 315201 浙江省*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 太陽能 硅片 擴散 | ||
【權利要求書】：
1.一種太陽能硅片擴散爐，其特征在于：包括爐體和石英舟，所述爐體一端設有進氣口，所述爐體側壁上設有出氣口，所述出氣口處設有風閥，所述爐體內設有氣壓傳感器，所述氣壓傳感器用于檢測所述爐體內氣壓并控制所述風閥的出風量。
2.根據權利要求1所述的太陽能硅片擴散爐，其特征在于：所述石英舟包括底架條以及設于該底架條兩側的邊架支撐板，所述邊架支撐板的外端部設有邊架條，所述底架條上沿其長度方向間隔設有凹槽。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
