[實(shí)用新型]用于半導(dǎo)體制作工藝的輸送裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201320309738.7 | 申請(qǐng)日： | 2013-05-31 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN203415559U | 公開（公告）日： | 2014-01-29 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 朱賢明 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 朱賢明 |
| 主分類號(hào)： | H01L21/677 | 分類號(hào)： | H01L21/677 |
| 代理公司： | 北京匯澤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11228 | 代理人： | 張瑾 |
| 地址： | 中國(guó)臺(tái)灣新*** | 國(guó)省代碼： | 中國(guó)臺(tái)灣;71 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 用于 半導(dǎo)體 制作 工藝 輸送 裝置 | ||
1.一種用于半導(dǎo)體制作工藝的輸送裝置，其特征在于，其包括：一輸送鏈帶，及多個(gè)結(jié)合于該輸送鏈帶上用以承載半導(dǎo)體的承載組件；該承載組件具有一用于接觸該半導(dǎo)體的承載部，該承載部的表面設(shè)有一鈦基鍍膜層。
2.如權(quán)利要求1所述用于半導(dǎo)體制作工藝的輸送裝置，其特征在于，該承載部為一直傾斜桿，該直傾斜桿具有一直傾斜面，該鈦基鍍膜層形成于該直傾斜面。
3.如權(quán)利要求2所述用于半導(dǎo)體制作工藝的輸送裝置，其特征在于，該承載部由鎳基合金線材構(gòu)成，且該承載部的兩端分別一體成型有一連接部，該連接部結(jié)合于該輸送鏈帶。
4.如權(quán)利要求3所述用于半導(dǎo)體制作工藝的輸送裝置，其特征在于，該鈦基鍍膜層的厚度為0.1μm～10μm。
5.如權(quán)利要求1所述用于半導(dǎo)體制作工藝的輸送裝置，其特征在于，該承載部為一彎曲桿，該彎曲桿具有一凹弧面，該鈦基鍍膜層形成于該凹弧面。
6.如權(quán)利要求5所述用于半導(dǎo)體制作工藝的輸送裝置，其特征在于，該承載部由鎳基合金線材構(gòu)成，且該承載部的兩端分別一體成型有一連接部，該連接部結(jié)合于該輸送鏈帶。
7.如權(quán)利要求6所述用于半導(dǎo)體制作工藝的輸送裝置，其特征在于，該鈦基鍍膜層的厚度為0.1μm～10μm。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
