[實用新型]一種PECVD裝置有效
| 申請號: | 201320298474.X | 申請日: | 2013-05-28 |
| 公開(公告)號: | CN203284466U | 公開(公告)日: | 2013-11-13 |
| 發明(設計)人: | 何祝兵;王春柱;蘇奇聰 | 申請(專利權)人: | 南方科技大學 |
| 主分類號: | C23C16/513 | 分類號: | C23C16/513 |
| 代理公司: | 廣州三環專利代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝傳鑫;熊永強 |
| 地址: | 518000 廣東省*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 pecvd 裝置 | ||
1.一種PECVD裝置,其特征在于,包括工藝腔體,以及均設置在所述工藝腔體內的承載架、冷卻均熱板及至少一個反應室;所述冷卻均熱板為多個,沿豎直向呈層式排布安裝至所述承載架;所述反應室水平設置在相鄰兩個所述冷卻冷卻均熱板之間,且各所述反應室的上下兩側均設置有所述冷卻均熱板。
2.根據權利要求1所述的PECVD裝置,其特征在于,所述承載架包括支撐件及與所述冷卻均熱板一一對應的多個固定框,多個所述固定框沿豎直向呈層式排布安裝于所述支撐件,各所述冷卻均熱板分別安裝于各所述固定框中。
3.根據權利要求2所述的PECVD裝置,其特征在于,所述冷卻均熱板包括均熱管、上均熱面板及下均熱面板,所述均熱管位于所述上均熱面板與所述下均熱面板之間;所述PECVD裝置還包括液體冷卻交換設備,各所述冷卻均熱板的均熱管的兩端均連接至液體冷卻交換設備。
4.根據權利要求3所述的PECVD裝置,其特征在于,每個所述冷卻均熱板所包含的上均熱面板及下均熱面板的數目相同,且均為兩個或兩個以上;各所述上均熱面板與各所述下均熱面板一一相對設置形成子冷卻均熱板;所述冷卻均熱板所包含的均熱管數目為一個;所述固定框內固設有中桿,所述中桿位于相鄰兩個子冷卻均熱板之間。
5.根據權利要求2所述的PECVD裝置,其特征在于,所述承載架還包括可調連接件,所述可調連接件連接在所述支撐件與所述固定框之間,用于調整所述固定框在豎直向的位置。
6.根據權利要求1所述的PECVD裝置,其特征在于,所述反應室包括相互配合的上電極部和下電極部,所述上電極部和所述下電極部之間形成用于工藝反應的工藝腔室;所述上電極部的上表面中央位置開設有連通至所述工藝腔室的進氣口,所述反應室上開設有出氣口,所述出氣口為兩個或兩個以上,均勻排布在所述上電極部與所述下電極部之間的周向連接處。
7.根據權利要求1所述的PECVD裝置,其特征在于,所述反應室水平滑動放置在相鄰兩個所述冷卻均熱板之間。
8.根據權利要求7所述的PECVD裝置,其特征在于,所述固定框的上表面設有用于與所述反應室配合的滾輪;所述固定框的下表面設有直線吊軌,所述反應室的上表面設有與所述直線吊軌相配合的微型輪。
9.根據權利要求1所述的PECVD裝置,其特征在于,所述承載架滑動放置于所述工藝腔體中。
10.根據權利要求1所述的PECVD裝置,其特征在于,所述PECVD還包括真空系統、遠程等離子體源清洗系統、及氣路系統;各所述反應室共用所述真空系統、所述遠程等離子體源清洗系統、及所述氣路系統;所述遠程等離子體源清洗系統及所述真空系統均通過所述氣路系統連通至各所述反應室。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





