[實用新型]一種帶泄氣槽的影像傳感器封裝結(jié)構(gòu)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201320296755.1 | 申請日: | 2013-05-24 |
| 公開(公告)號: | CN203260584U | 公開(公告)日: | 2013-10-30 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 勞景益;簫文雄;白書磊 | 申請(專利權(quán))人: | 東莞旺福電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 泄氣 影像 傳感器 封裝 結(jié)構(gòu) | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本實用新型涉及傳感器封裝領(lǐng)域,具體涉及一種帶泄氣槽的影像傳感器封裝結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)
現(xiàn)有CMOS影像傳感器的應用集中在200萬像素以下,隨著平板電腦,智慧手機的應用,背照式(BSI:Backside?illumination)技術(shù)的與時俱進,像素微小化以及先進制程的技術(shù)突破,帶動了CMOS影像傳感器大舉進軍高像素(像素500萬以上)應用市場,而芯片級封裝(CSP:Chip?Scale?Package)在高像素CMOS影像傳感器封裝會有技術(shù)的缺陷與瓶頸,板上芯片(COB:Chip?On?Board)封裝必定是趨勢。隨著科技的發(fā)展,手機及平板電腦越來越小越薄,對PCB使用面積要求也越來越高,然而目前絕大部分高像素CMOS影像傳感器COB封裝只是單單的封裝一個裸芯片,被動原件如:電容電阻,驅(qū)動馬達等都需要在客戶端貼附。
目前Sony?IMX111CMOS影像傳感器做的COB封裝結(jié)構(gòu)設(shè)計,通常將CMOS影像傳感器跟其他被動元件隔離,助焊劑,灰塵,碎屑就不能跑到CMOS影像傳感器上面,保證影像無污點不良,保障了影像的品質(zhì)。但是由于在焊接過程中會產(chǎn)生高溫氣體,用于隔離的密閉空間使得高溫氣體無法排出,容易導致氣體膨脹而造成芯片變形等不良后果。
實用新型內(nèi)容
針對上述問題,本實用新型旨在提供一種有效避免氣體膨脹影響的帶泄氣槽的影像傳感器封裝結(jié)構(gòu)。
為實現(xiàn)該技術(shù)目的,本實用新型的方案是:一種帶泄氣槽的影像傳感器封裝結(jié)構(gòu),包括基板、傳感器、芯片、底座、電容、防護罩,所述傳感器、電容和芯片安裝在基板上,底座安裝在基板上,防護罩設(shè)置在底座中心,所述底座上還設(shè)置有泄氣槽,泄氣槽內(nèi)設(shè)置有彈性擋片。
作為優(yōu)選,所述傳感器通過綁定金線與基板上的金手指連接。
作為優(yōu)選,所述底座的中間設(shè)置有凹槽,凹槽將傳感器包裹在內(nèi),凹槽中間設(shè)置有窗口,窗口大小與防護罩相匹配;底座的外圍設(shè)置有分隔槽,分隔槽與凹槽之間通過隔離墻相隔離,分隔槽將芯片與電容罩在其中。
作為優(yōu)選,所述防護罩為濾光玻璃片。
本實用新型的有益效果是:通過密封結(jié)構(gòu)能夠有效防止對影像傳感器的污染、泄氣口在高溫下又能泄氣,提高封裝品質(zhì)和良品率;同時采取卡槽堆疊式組裝的模塊化結(jié)構(gòu),貼片簡單,這對模組組裝非常方便,可以提高生產(chǎn)效率。
附圖說明
圖1為本實用新型的爆炸圖;
圖2為本實用新型的剖面圖;
圖3為本實用新型的泄氣槽的局部示意圖;
圖4為本實用新型的基座的立體圖。
具體實施方式
下面結(jié)合附圖和具體實施例對本實用新型做進一步詳細說明。
如圖1、2所示,本實用新型所述的具體實施例為一種帶泄氣槽的影像傳感器封裝結(jié)構(gòu),包括基板1、傳感器2、芯片4、底座6、電容5、保護罩7,所述傳感器2、電容5和芯片4安裝在基板1上,底座6安裝在基板1上,防護罩7設(shè)置在底座6中心,所述底座6上還設(shè)置有泄氣槽8,泄氣槽8內(nèi)設(shè)置有彈性擋片10。組裝過程為:將傳感器貼裝在已經(jīng)安裝好電容、芯片的基板上,快速固化;隨后將金線焊接,并進行清洗;然后在基板上安裝底座,進行清洗;最后將保護罩貼裝在底座上。
如圖3所示,由于剛剛經(jīng)過錫爐封裝好的芯片溫度較高,會使得底座6的腔體內(nèi)的氣體會發(fā)生膨脹,若是不及時排出氣體,會對芯片和傳感器造成不良影響。設(shè)置泄氣槽8后,彈性擋片10會向內(nèi)發(fā)生變形在泄氣槽8處形成一個一個孔,使得膨脹氣體可以排除;等到腔體內(nèi)氣體冷卻收縮時,彈性擋片10會向外發(fā)生變形在泄氣槽8處形成一個一個孔,吸入空氣以平衡腔體內(nèi)的氣壓??梢杂行У谋Wo芯片和傳感器不受損壞。
如圖1為了保證傳感器在安裝過程中減少污染,所述傳感器2通過綁定金線3與基板上的金手指9連接。
如圖2、4所示,所述底座6的中間設(shè)置有凹槽11,凹槽11將傳感器2包裹在內(nèi),凹槽11中間設(shè)置有窗口13,窗口13大小與保護罩7相匹配,略大于傳感器2的感應面板;底座6的外圍設(shè)置有分隔槽12,分隔槽12與凹槽11之間通過隔離墻14相隔離,分隔槽12將芯片4與電容5罩在其中。通過隔離墻可以有效防止助焊劑,灰塵,碎屑就跑到CMOS影像傳感器上面,保證影像無污點不良,保障了影像的品質(zhì);同時分隔槽和凹槽可以起到保護元器件的作用。
為了增加透光率,提高傳感器的靈敏度,同時也需要一定的強度,保證防護效果,底座的中間的窗口上安裝有防護罩7。所述防護罩7為濾光玻璃片。
以上所述,僅為本實用新型的較佳實施例,并不用以限制本實用新型,凡是依據(jù)本實用新型的技術(shù)實質(zhì)對以上實施例所作的任何細微修改、等同替換和改進,均應包含在本實用新型技術(shù)方案的保護范圍之內(nèi)。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





