[實用新型]旋轉(zhuǎn)型除蠟器

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201320288842.2
• 申請日: 2013-05-23
• 公開（公告）號: CN203325850U
• 公開（公告）日: 2013-12-04
• 發(fā)明（設計）人: 王月芳
• 申請（專利權(quán)）人: 王月芳
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術(shù)領(lǐng)域

本實用新型涉及一種除臘裝置，尤其涉及一種旋轉(zhuǎn)型除蠟器，屬于半導體應用領(lǐng)域。

背景技術(shù)

半導體是人類當代工業(yè)發(fā)展中不可或缺的材料，通常意義上講，半導體是指常溫下導電性能介于導體(conductor)與絕緣體(insulator)之間的材料。半導體在收音機、電視機以及測溫上有著廣泛的應用。

半導體材料可按化學組成來分，再將結(jié)構(gòu)與性能比較特殊的非晶態(tài)與液態(tài)半導體單獨列為一類。按照這樣分類方法可將半導體材料分為元素半導體、無機化合物半導體、有機化合物半導體和非晶態(tài)與液態(tài)半導體。

半導體材料雖然種類繁多但有一些固有的特性，稱為半導體材料的半導體材料特性參數(shù)。這些特性參數(shù)不僅能反映半導體材料與其他非半導體材料之間的差別，而且更重要的是能反映各種半導體材料之間甚至同一種材料在不同情況下特性上的量的差別。常用的半導體材料的特性參數(shù)有：禁帶寬度、電阻率、載流子遷移率(載流子即半導體中參加導電的電子和空穴)、非平衡載流子壽命、位錯密度。禁帶寬度由半導體的電子態(tài)、原子組態(tài)決定，反映組成這種材料的原子中價電子從束縛狀態(tài)激發(fā)到自由狀態(tài)所需的能量。電阻率、載流子遷移率反映材料的導電能力。非平衡載流子壽命反映半導體材料在外界作用(如光或電場)下內(nèi)部的載流子由非平衡狀態(tài)向平衡狀態(tài)過渡的弛豫特性。位錯是晶體中最常見的一類晶體缺陷。位錯密度可以用來衡量半導體單晶材料晶格完整性的程度。當然，對于非晶態(tài)半導體是沒有這一反映晶格完整性的特性參數(shù)的。

20世紀中葉，單晶硅和半導體晶體管的發(fā)明及其硅集成電路的研制成功，導致了電子工業(yè)革命；20世紀70年代初石英光導纖維材料和GaAs激光器的發(fā)明，促進了光纖通信技術(shù)迅速發(fā)展并逐步形成了高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)，使人類進入了信息時代。超晶格概念的提出及其半導體超晶格、量子阱材料的研制成功，徹底改變了光電器件的設計思想，使半導體器件的設計與制造從“雜質(zhì)工程”發(fā)展到“能帶工程”。納米科學技術(shù)的發(fā)展和應用，將使人類能從原子、分子或納米尺度水平上控制、操縱和制造功能強大的新型器件與電路，深刻地影響著世界的政治、經(jīng)濟格局和軍事對抗的形式，徹底改變?nèi)藗兊纳罘绞健?/p>

由此可見，半導體材料在人類現(xiàn)代化工業(yè)生產(chǎn)中起著舉足輕重的作用，而伴隨著半導體材料進行的各種產(chǎn)品研發(fā)、應用、設計等都是科研人員孜孜以求的目標。伴隨著半導體材料的發(fā)展，我們認為可以有更多的應用和推廣。

實用新型內(nèi)容

為了克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，解決好現(xiàn)有技術(shù)的問題，彌補現(xiàn)有目前市場上現(xiàn)有產(chǎn)品的不足。

本實用新型提供了一種旋轉(zhuǎn)型除蠟器，包括加熱皿、蠟液回收瓶，所述加熱皿設置在蠟液回收瓶的瓶口處，加熱皿內(nèi)設置有半導體晶片的夾持機構(gòu)和旋轉(zhuǎn)機構(gòu)，所述夾持機構(gòu)固定在所述旋轉(zhuǎn)機構(gòu)上，所述加熱皿的底部設置有多個孔洞，所述蠟液回收瓶具有蠟液流出口。

優(yōu)選的，上述蠟液回收瓶的瓶口處設置有濾網(wǎng)。

優(yōu)選的，上述加熱皿上設置有蓋體。

優(yōu)選的，上述加熱皿的外壁上還設置有溫度傳感器。

優(yōu)選的，上述濾網(wǎng)的層數(shù)為2～5層。

優(yōu)選的，上述加熱皿采用耐高溫陶瓷材料制成。

本實用新型提供的旋轉(zhuǎn)型除蠟器與傳統(tǒng)的裝置相比，本實用新型提供的旋轉(zhuǎn)型除蠟器除臘效果佳，使用了濾網(wǎng)，提高了液態(tài)蠟的純凈度，也提高了除臘效率。

附圖說明

圖1為本實用新型結(jié)構(gòu)示意圖。

圖中標記：1-加熱皿；2-蠟液回收瓶；3-夾持機構(gòu)；4-旋轉(zhuǎn)機構(gòu)；5-孔洞；6-蠟液流出口；7-濾網(wǎng)；8-蓋體。

具體實施方式

為了便于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員理解和實施本實用新型，下面結(jié)合附圖及具體實施方式對本實用新型作進一步的詳細描述。

如圖1所示為本實用新型的旋轉(zhuǎn)型除蠟器結(jié)構(gòu)示意圖，主體包括加熱皿1和蠟液回收瓶2，所述加熱皿1設置在蠟液回收瓶2的瓶口處。

其中，加熱皿1內(nèi)設置有半導體晶片的夾持機構(gòu)3和旋轉(zhuǎn)機構(gòu)4，所述夾持機構(gòu)3固定在所述旋轉(zhuǎn)機構(gòu)4上，所述加熱皿1的底部設置有多個孔洞5，所述蠟液回收瓶2具有蠟液流出口6。

蠟液回收瓶6的瓶口處設置有濾網(wǎng)7。

加熱皿1上設置有蓋體8。

加熱皿1的外壁上還設置有溫度傳感器。

濾網(wǎng)7的層數(shù)為2～5層。

加熱皿1采用耐高溫陶瓷材料制成。

本實用新型提供的旋轉(zhuǎn)型除蠟器與傳統(tǒng)的裝置相比，本實用新型提供的旋轉(zhuǎn)型除蠟器除臘效果佳，使用了濾網(wǎng)，提高了液態(tài)蠟的純凈度，也提高了除臘效率。

以上所述之具體實施方式為本實用新型的較佳實施方式，并非以此限定本實用新型的具體實施范圍，本實用新型的范圍包括并不限于本具體實施方式，凡依照本實用新型之形狀、結(jié)構(gòu)所作的等效變化均在本實用新型的保護范圍內(nèi)。